晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
IRF3706S	-	询价	1990年	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF3706S	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			20V	77A（温度）	2.8V、10V	8.5毫欧@15A，10V	2V@250μA	35nC@4.5V	±12V	10V时为2410pF	-	88W（温度）
AUIRFR2905ZTRL	1.0061	询价	7027	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AUIRFR2905		MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001520228	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			55V	42A（温度）	10V	14.5毫欧@36A，10V	4V@250μA	44nC@10V	±20V	1380pF@25V	-	110W（温度）
FS600R07A2E3BOSA1	-	询价	1330	英飞凌科技	HybridPACK™ 2	托盘	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FS600R07			1250W	标准	-	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		1	土耳其															沟渠场站	650伏	530A		1.6V@15V，400A				5毫安	是的	39nF@25V
IGC99T120T8RQX7SA1	-	询价	7802	英飞凌科技	TrenchStop™	大部分	的积极				IGC99T120	标准					下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	IGC99T120T8RQ	EAR99	8541.29.0095	1			-													沟渠场站	1200伏		300A	2.42V@15V，100A	-		-
BSO615NGHUMA1	-	询价	6961	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	BSO615		MOSFET（金属O化物）	2W		PG-DSO-8	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）				60V	2.6A		150毫欧@2.6A，4.5V	2V@20μA	20nC@10V		380pF@25V	逻辑电平门
SIPC26N60CFDX1SA1	-	询价	7916	英飞凌科技	-	盒子	过时的										-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	SP000015120	过时的	0000.00.0000	1						-
IKD10N60RAATMA2	-	询价	3514	英飞凌科技	TrenchStop®	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	10N 平盾	标准		150W		PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人			400V，10A，23欧姆，15V												62纳秒	沟	600伏	20A	30A	2.1V@15V，10A	-	64nC	14纳秒/192纳秒
IRLU7833	-	询价	7566	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）			I-PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRLU7833	EAR99	8541.29.0095	2,025		N沟道			30V	140A（温度）	4.5V、10V	4.5毫欧@15A，10V	2.3V@250μA	50nC@4.5V	±20V	4010pF@15V	-	140W（温度）
BSC026NE2LS5ATMA1	1.4900	询价	18	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSC026		MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-7	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道			25V	24A（Ta）、82A（Tc）	4.5V、10V	2.6毫欧@30A，10V	2V@250μA	16nC@10V	±16V	1100pF@12V	-	2.5W（Ta）、29W（Tc）
IAUC120N04S6N006ATMA1	4.0600	询价	6603	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	IAUC120		MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-53	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道			40V	120A（Tj）	7V、10V	0.6毫欧@60A，10V	3V@130μA	151nC@10V	±20V	10117pF@25V	-	187W（温度）
BCR 108 B6327	-	询价	9721	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCR 108			200毫W		PG-SOT23	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	30,000																	50V	100毫安						100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	70@5mA，5V	170兆赫	2.2欧姆	47欧姆
IPAN70R750P7SXKSA1	1.1600	询价	148	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	IPAN70		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			700伏	6.5A（温度）	10V	750毫欧@1.4A，10V	3.5V@70μA	10V时为8.3nC	±16V	306 pF @ 400 V	-	20.8W（温度）
IRF7410PBF	-	询价	2335	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	95		P沟道			12V	16A（塔）	1.8V、4.5V	7毫欧@16A，4.5V	900mV@250μA	91nC@4.5V	±8V	10V时为8676pF	-	2.5W（塔）
IHW20N120R5	1.0000	询价	2974	英飞凌科技	TRENCHSTOP™	大部分	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		标准		288 W		PG-TO247-3-41	下载					EAR99	8541.29.0095	1			600V，20A，10欧姆，15V													沟渠场站	1200伏	40A	60A	1.75V@15V，20A	-, 750μJ（关闭）	170℃	-/260纳秒
IPW95R060PFD7XKSA1	14.9500	询价	194	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）			PG-TO247-3-41	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道			950伏	74.7A（温度）	10V	60毫欧@57A，10V	3.5V@2.85mA	315nC@10V	±20V	9378 pF @ 400 V	-	446W（温度）
IRL3714LPBF	-	询价	7430	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）			TO-262	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			20V	36A（温度）	4.5V、10V	20毫欧@18A，10V	3V@250μA	9.7nC@4.5V	±20V	670pF@10V	-	47W（温度）
BSP296NL6327HTSA1	-	询价	9860	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA			MOSFET（金属O化物）			PG-SOT223-4	-		1（无限制）	REACH 不出行	SP000942910	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道			100伏	1.2A（塔）	4.5V、10V	600毫欧@1.2A，10V	1.8V@100μA	6.7nC@10V	±20V	152.7pF@25V	-	1.8W（塔）
BSM200GA120DLCHOSA1	167.3260	询价	1735	英飞凌科技	-	托盘	最后一次购买	-40℃～125℃	安装结构	模块	BSM200			1450W	标准	模块	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	单身的															-	1200伏	370A		2.6V@15V，200A				5毫安	不	13nF@25V
IRG4BC10KPBF	-	询价	8170	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准		38W		TO-220AB	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50			480V，5A，100欧姆，15V													-	600伏	9A	18A	2.62V@15V，5A	160μJ（开），100μJ（关）	19nC	11纳秒/51纳秒
IPZA60R060P7XKSA1	8.9800	询价	5368	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-4	IPZA60		MOSFET（金属O化物）			PG-TO247-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道			600伏	48A（温度）	10V	60毫欧@15.9A，10V	4V@800μA	67nC@10V	±20V	2895 pF @ 400 V	-	164W（温度）
IPD60R520CPBTMA1	-	询价	7684	英飞凌科技	CoolMOS™ CP	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD60R		MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			600伏	6.8A（温度）	10V	520毫欧@3.8A，10V	3.5V@250μA	31nC@10V	±20V	630 pF @ 100 V	-	66W（温度）
FS200T12A1T4BOSA1	-	询价	7984	英飞凌科技	-	托盘	过时的	-	-	-	FS200T12				-	-	-		1（无限制）	REACH 不出行	SP000840730	过时的	0000.00.0000	1	-															-				-
BFR380FH6327XTSA1	0.4400	询价	19号	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	BFR380			380毫W		PG-TSFP-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000				9.5分贝～13.5分贝													9V	80毫安									NPN		90@40mA，3V	14GHz			1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
IPP50CN10NGHKSA1	-	询价	3009	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			100伏	20A（温度）	10V	50毫欧@20A，10V	4V@20μA	16nC@10V	±20V	1090pF@50V	-	44W（温度）
BCR35PNE6433HTMA1	-	询价	4808	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BCR35			250毫W		PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000																	50V	100毫安						-			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@500μA，10mA	70@5mA，5V	150兆赫	10k欧姆	47k欧姆
IRF7820PBF	-	询价	7291	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001570478	EAR99	8541.29.0095	95		N沟道			200V	3.7A（塔）	10V	78毫欧@2.2A，10V	5V@100μA	44nC@10V	±20V	1750 pF @ 100 V	-	2.5W（塔）
IAUC70N08S5N074ATMA1	1.8400	询价	9	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™-5	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	IAUC70		MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-33	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道			80V	70A（温度）	6V、10V	7.4毫欧@35A，10V	3.8V@36μA	30nC@10V	±20V	2080pF@40V	-	83W（温度）
DF200R12W1H3B27BOMA1	72.2225	询价	7929	英飞凌科技	-	托盘	的积极	-40℃～150℃	安装结构	模块	DF200R12			375W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	24	2 独立															-	1200伏	30A		1.3V@15V，30A				1毫安	是的	2nF@25V
IKB10N60TATMA1	2.1300	询价	6365	英飞凌科技	TrenchStop®	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IKB10N	标准		110W		PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000			400V，10A，23欧姆，15V												115纳秒	NPT，报告现场停止	600伏	20A	30A	2.05V@15V，10A	430μJ	62纳克	12纳秒/215纳秒
ICD22V04X1SA1	-	询价	1699	英飞凌科技	*	大部分	过时的										下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000986944	过时的	0000.00.0000	1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²