晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
IRFC4010EB	-	询价	8307	英飞凌科技	*	大部分	过时的										下载		1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1
IRFS3207PBF	-	询价	9106	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		75V	170A（温度）	10V	4.5毫欧@75A，10V	4V@250μA	260nC@10V	±20V	7600pF@50V	-	300W（温度）
AUIRFR3504ZTRL	1.1429	询价	9665	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AUIRFR3504		MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001516690	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		40V	42A（温度）		9毫欧@42A，10V	4V@250μA	45nC@10V		1510pF@25V	-	90W（温度）
IPA60R180C7XKSA1	3.3800	询价	第434章	英飞凌科技	CoolMOS™ C7	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	IPA60R		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220全包	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	9A（温度）	10V	180毫欧@5.3A，10V	4V@260μA	24nC@10V	±20V	1080 pF @ 400 V	-	29W（温度）
IRFH7923TRPBF	-	询价	1696	英飞凌科技	-	切带 (CT)	过时的		表面贴装	8-PowerVDFN			MOSFET（金属O化物）			PQFN (5x6) 单芯片	下载		2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道		30V	15A（Ta）、33A（Tc）		8.7毫欧@15A，10V	2.35V@25μA	13nC@4.5V		1095pF@15V	-
IGZ100N65H5	-	询价	4322	英飞凌科技	TRENCHSTOP™	大部分	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4		标准		536 W		PG-TO247-4-1	下载					EAR99	8542.39.0001	1			400V，50A，8欧姆，15V											沟渠场站	650伏	161 一个	400A	2.1V@15V，100A	850μJ（开），770μJ（关）	210nC	30纳秒/421纳秒
FF4MR12W2M1HB11BPSA1	263.3300	询价	1912年	英飞凌科技	酷碳化硅™	托盘	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块	FF4MR12		碳化硅（SiC）	20毫W		模块	-	符合ROHS3标准			448-FF4MR12W2M1HB11BPSA1	EAR99	8542.39.0001	15	2个N沟道（半桥）			1200V	170A（Tj）		4毫欧@200A，18V	5.15V@80mA	594nC@18V		17600pF@800V	碳化硅（SiC）
IPP80N06S205AKSA1	-	询价	8983	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP80N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		55V	80A（温度）	10V	5.1毫欧@80A，10V	4V@250μA	170nC@10V	±20V	5110pF@25V	-	300W（温度）
PTFA080551EV4T500XWSA1	-	询价	3800	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	过时的										下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000393365	EAR99	8541.29.0075	500
FF600R12IP4VBOSA1	573.6367	询价	7599	英飞凌科技	PrimePACK™2	托盘	不适合新设计	-40℃～150℃	安装结构	模块	FF600R12			3350W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3	2 独立													沟渠场站	1200伏	600A		2.05V@15V，600A				5毫安	是的	37nF@25V
SP000687556	1.0000	询价	9287	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载						0000.00.0000	1		N沟道		600伏	37.9A（温度）	10V	99毫欧@18.1A，10V	3.5V@1.21mA	119nC@10V	±20V	100V时为2660pF	-	35W（温度）
IPB020N04NGATMA1	3.0800	询价	6	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）	IPB020		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-7-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		40V	140A（温度）	10V	2mOhm@100A，10V	4V@95μA	120nC@10V	±20V	9700pF@20V	-	167W（温度）
IPTC020N13NM6ATMA1	4.5336	询价	4576	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	的积极										-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-IPTC020N13NM6ATMA1TR			1,800
IPS80R1K4P7	0.5800	询价	2173	英飞凌科技	CoolMOS P7™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak			MOSFET（金属O化物）			PG-TO251	下载					EAR99	8542.39.0001	第375章		N沟道		800V	4A（Tj）	10V	1.4欧姆@1.4A，10V	3.5V@700μA	10nC@10V	±20V	250 pF @ 500 V	-	32W（温度）
IRF7379TRPBF	-	询价	7519	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF737		MOSFET（金属O化物）	2.5W		8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	N 和 P 沟道			30V	5.8A、4.3A		45毫欧@5.8A，10V	1V@250μA	25nC@10V		520pF@25V	-
IPB038N12N3GATMA1	6.7100	询价	1	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB038		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		120V	120A（温度）	10V	3.8毫欧@100A，10V	4V@270μA	211nC@10V	±20V	13800pF@60V	-	300W（温度）
IRG4PC50U	-	询价	3734	英飞凌科技	-	包	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准		200W		TO-247AC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25			480V，27A，5欧姆，15V											-	600伏	55A	220A	2V@15V，27A	120μJ（开），540μJ（关）	180℃	32纳秒/170纳秒
DD800S17K3B2NOSA1	842.7200	询价	86	英飞凌科技	*	大部分	的积极										下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-DD800S17K3B2NOSA1-448			1
IPA083N10NM5SXKSA1	1.9300	询价	500	英飞凌科技	OptiMOS™5	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	IPA083		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220全包	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		100伏	50A（温度）	6V、10V	8.3毫欧@25A，10V	3.8V@49μA	40nC@10V	±20V	2700pF@50V	-	36W（温度）
BCR108SE6433HTMA1	-	询价	3900	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BCR108			250毫W		PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000															50V	100毫安						-			2 NPN - 预偏置（双）	300mV@500μA，10mA	70@5mA，5V	170兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
IRF7210PBF	-	询价	5350	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001554134	EAR99	8541.29.0095	95		P沟道		12V	16A（塔）	2.5V、4.5V	7毫欧@16A，4.5V	600mV@500μA（最低）	212nC@5V	±12V	17179pF@10V	-	2.5W（塔）
BCX5310E6327	0.0900	询价	19号	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				2W		PG-SOT89-4-2	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000															80V	1A						100nA（ICBO）				500毫伏@50毫安，500毫安	40@50mA，2V	125兆赫
BTS244Z E3062A	-	询价	7272	英飞凌科技	TEMPFET®	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-5、D²Pak（4引脚+接片）、TO-263BB			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-5-62	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		55V	35A（温度）	4.5V、10V	13毫欧@19A，10V	2V@130μA	130nC@10V	±20V	2660pF@25V	温度传感方向	170W（温度）
IPLK60R1K5PFD7ATMA1	1.2200	询价	92	英飞凌科技	CoolMOS™ PFD7	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	IPLK60		MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-52	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		600伏	3.8A（温度）	10V	1.5欧姆@700mA，10V	4.5V@40μA	4.6nC@10V	±20V	169 pF @ 400 V	-	25W（温度）
IRG5K35HF12A	-	询价	3879	英飞凌科技	-	盒子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	POWIR® 34 模块	IRG5K35			280W	标准	POWIR®34	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	20	半桥													-	1200伏	70A		2.6V@15V，35A				1毫安	不	3.4nF@25V
IRF7521D1TRPBF	-	询价	5706	英飞凌科技	FETKY™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			微8™	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001555506	EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道		20V	2.4A（塔）	2.7V、4.5V	135毫欧@1.7A，4.5V	700mV @ 250μA（极低）	8nC@4.5V	±12V	260pF@15V	肖特基分散（隔离）	1.3W（塔）
SGP15N60XKSA1	-	询价	3718	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SGP15N	标准		139 W		PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500			400V，15A，21欧姆，15V											不扩散条约	600伏	31A	62A	2.4V@15V，15A	570μJ	76 纳克	32纳秒/234纳秒
FS225R12OE4BOSA1	530.8100	询价	4	英飞凌科技	经济包装™+	托盘	的积极	-40℃～125℃	安装结构	模块	FS225R12			1250W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4	全桥景观器													沟渠场站	1200伏	350A		2.15V@15V，225A				3毫安	是的	13nF@25V
IRL3502STRLPBF	-	询价	1629	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		20V	110A（温度）	4.5V、7V	7毫欧@64A，7V	700mV @ 250μA（极低）	110nC@4.5V	±10V	4700pF@15V	-	140W（温度）
IPP80N06S2L-06	1.0000	询价	9133	英飞凌科技	*	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		55V	80A（温度）	4.5V、10V	6.3毫欧@69A，10V	2V@180μA	150nC@10V	±20V	3800pF@25V	-	250W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²