晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
PTFA190451EV4XWSA1	-	询价	7446	英飞凌科技	-	托盘	过时的	65V		表面贴装	H-36265-2	PTFA190451		1.96GHz	LDMOS			H-36265-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50			10微安		450毫安	11W	17.5分贝											-										28V
IPP60R090CFD7	-	询价	6875	英飞凌科技	*	大部分	的积极												下载						0000.00.0000	1
BG3123E6327HTSA1	-	询价	5544	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	8V		表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BG3123		800兆赫	场效应晶体管			PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		25毫安、20毫安		14毫安	-	25分贝											1.8分贝										5V
BC848AE6327	0.0300	询价	78	英飞凌科技	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3					330毫W		PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	9,427																					30V	100毫安							15nA（ICBO）			NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	110@2mA，5V	250兆赫
IRF6216TRPBF	-	询价	第1347章	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）				MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		P沟道						150伏	2.2A（塔）	10V	240毫欧@1.3A，10V	5V@250μA	49nC@10V	±20V	1280pF@25V	-	2.5W（塔）
IPB05N03LAT	-	询价	9251	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB05N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						25V	80A（温度）	4.5V、10V	4.6毫欧@55A，10V	2V@50μA	25nC@5V	±20V	15V时为3110pF	-	94W（温度）
IPF014N08NF2SATMA1	5.1100	询价	800	英飞凌科技	强IRFET™2	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	IPF014N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-7-14	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道						80V	282A（TC）	6V、10V	1.4毫欧@100A，10V	3.8V@267μA	255nC@10V	±20V	12000pF@40V	-	300W（温度）
IRL3713STRLPBF	-	询价	3997	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道						30V	260A（温度）	4.5V、10V	3毫欧@38A，10V	2.5V@250μA	110nC@4.5V	±20V	5890pF@15V	-	330W（温度）
IRFZ24NSTRL	-	询价	7127	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道						55V	17A（温度）	10V	70毫欧@10A、10V	4V@250μA	20nC@10V	±20V	370pF@25V	-	3.8W（Ta）、45W（Tc）
IRFH5406TR2PBF	-	询价	8140	英飞凌科技	-	切带 (CT)	过时的			表面贴装	8-PowerVDFN				MOSFET（金属O化物）			8-PQFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		N沟道						60V	11A（Ta）、40A（Tc）		14.4毫欧@24A，10V	4V@50μA	35nC@10V		1256pF@25V	-
IPA60R230P6	-	询价	6648	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包				MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-111	下载					EAR99	8542.39.0001	1		N沟道						600伏	16.8A（温度）	10V	230毫欧@6.4A，10V	4.5V@530μA	31nC@10V	±20V	1450 pF @ 100 V	-	33W（温度）
IRF1405ZLPBF	2.3000	询价	第581章	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA				MOSFET（金属O化物）			TO-262	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						55V	75A（温度）	10V	4.9毫欧@75A，10V	4V@250μA	180nC@10V	±20V	4780pF@25V	-	230W（温度）
BSD235NH6327XTSA1	0.4200	询价	21	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™ 2	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BSD235			MOSFET（金属O化物）	500毫W		PG-SOT363-PO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）							20V	950毫安		350mOhm@950mA，4.5V	1.2V@1.6μA	0.32nC@4.5V		63pF@10V	逻辑电平门
IPN60R600P7SATMA1	0.9700	询价	3946	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	IPN60R600			MOSFET（金属O化物）			PG-SOT223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道						600伏	6A（温度）	10V	600毫欧@1.7A，10V	4V@80μA	9nC@10V	±20V	363 pF @ 400 V	-	7W（温度）
BCR 148T E6327	-	询价	2144	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-75、SOT-416	BCR 148				250毫W		PG-SC-75	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	70毫安							100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	70@5mA，5V	100兆赫	47欧姆	47欧姆
IRG7PG35UPBF	-	询价	6490	英飞凌科技	-	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IRG7PG	标准			210W		TO-247AC	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001541454	EAR99	8541.29.0095	25				600V，20A，10欧姆，15V																沟	1000伏	55A	60A	2.2V@15V，20A	1.06mJ（开），620μJ（关）	85℃	30纳秒/160纳秒
IMW65R030M1HXKSA1	21.6000	询价	5674	英飞凌科技	酷碳化硅™	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IMW65R			SiCFET（碳化硅）			PG-TO247-3-41	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道						650伏	58A（温度）	18V	42毫欧@29.5A，18V	5.7V@8.8mA	48nC@18V	+20V，-2V	1643 pF @ 400 V	-	197W（温度）
AIGB30N65H5ATMA1	3.8600	询价	3223	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极		-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AIGB30	标准					PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000				-																不扩散条约	650伏	30A		-	-		-
FF600R12ME4CB11BPSA1	395.8320	询价	7457	英飞凌科技	EconoDUAL™ 3	托盘	不适合新设计		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FF600R12				4050W	标准	农业经济	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	2 独立																			沟渠场站	1200伏	1060A		2.1V@15V，600A					3毫安	是的	37nF@25V
IRF3709ZSTRR	-	询价	3499	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道						30V	87A（温度）	4.5V、10V	6.3毫欧@21A，10V	2.25V@250μA	26nC@4.5V	±20V	15V时为2130pF	-	79W（温度）
FZ1200R12KF4NOSA1	-	询价	7347	英飞凌科技	IHM-B	托盘	过时的		150°C（太焦）	安装结构	模块					7800W	标准	-	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2	单开关																			-	1200伏	1200A		3.2V@15V，1.2kA					16毫安	不	90nF@25V
IKW30N60DTPXKSA1	3.0500	询价	第740章	英飞凌科技	TrenchStop™	管子	不适合新设计		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IKW30N60	标准			200W		PG-TO247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30				400V，30A，10.5欧姆，15V															76纳秒	沟渠场站	600伏	53A	90A	1.8V@15V，30A	710μJ（开），420μJ（关）	130 纳克	15纳秒/179纳秒
ISC0804NLSATMA1	1.5700	询价	9	英飞凌科技	OptiMOS™5	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	ISC0804N			MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						100伏	12A（Ta）、59A（Tc）	4.5V、10V	10.9毫欧@20A，10V	2.3V@28μA	24nC@10V	±20V	1600pF@50V	-	2.5W（Ta）、60W（Tc）
BSC016N03MSGATMA1	1.6100	询价	15	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSC016			MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						30V	28A（Ta）、100A（Tc）	4.5V、10V	1.6毫欧@30A，10V	2V@250μA	173nC@10V	±20V	13000pF@15V	-	2.5W（Ta）、125W（Tc）
IRG4PH30KD	-	询价	2205	英飞凌科技	-	包	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IRG4PH30	标准			100W		TO-247AC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRG4PH30KD	EAR99	8541.29.0095	25				800V，10A，23欧姆，15V															50纳秒	-	1200伏	20A	40A	4.2V@15V，10A	950μJ（开），1.15mJ（关）	53nC	39纳秒/220纳秒
SPB80N04S2L-03	-	询价	7811	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	SPB80N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						40V	80A（温度）	4.5V、10V	3.1毫欧@80A，10V	2V@250μA	213nC@10V	±20V	7930pF@25V	-	300W（温度）
IPDQ65R029CFD7XTMA1	13.4600	询价	4420	英飞凌科技	CoolMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	22-PowerBSOP模块	IPDQ65			MOSFET（金属O化物）			PG-HDSOP-22-1	-	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	750		N沟道						650伏	85A（温度）	10V	29毫欧@35.8A，10V	4.5V@1.79mA	139nC@10V	±20V	7149 pF @ 400 V	-	463W（温度）
IST006N04NM6AUMA1	3.8800	询价	1241	英飞凌科技	OptiMOS™6	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	5-PowerSFN	IST006			MOSFET（金属O化物）			PG-HSOF-5-1	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道						40V	58A（Ta）、475A（Tc）	6V、10V	0.6毫欧@100A，10V	3.3V@250μA	178nC@10V	±20V	8800pF@20V	-	3.8W（Ta）、250W（Tc）
IRLZ44ZPBF	1.3100	询价	79	英飞凌科技	HEXFET®	管子	不适合新设计		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRLZ44			MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						55V	51A（温度）	4.5V、10V	13.5毫欧@31A，10V	3V@250μA	36nC@5V	±16V	1620pF@25V	-	80W（温度）
IRGPS40B120UDP	-	询价	4748	英飞凌科技	-	包	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-274AA	红外GPS40	标准			595 W		SUPER-247™ (TO-274AA)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25				600V，40A，4.7欧姆，15V															180纳秒	不扩散条约	1200伏	80A	160A	3.7V@15V，50A	1.4mJ（开），1.65mJ（关）	340℃	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²