晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
BCP5116H6433XTMA1	0.2968	询价	5088	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BCP51				2W		PG-SOT223-4-10	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	4,000																				45V	1A							100nA（ICBO）			国民党	500毫伏@50毫安，500毫安	100@150mA，2V	125兆赫
IPA60R600P6XKSA1	1.8600	询价	1002	英飞凌科技	CoolMOS™ P6	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	IPA60R600			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						600伏	4.9A（温度）	10V	600毫欧@2.4A，10V	4.5V@200μA	12nC@10V	±20V	557pF@100V	-	28W（温度）
IPA65R420CFDXKSA2	1.4606	询价	8877	英飞凌科技	CoolMOS™ CFD2	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	IPA65R420			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						650伏	8.7A（温度）	10V	420毫欧@3.4A，10V	4.5V@300μA	10V时为31.5nC	±20V	100V时为870pF	-	31.2W（温度）
FP10R06W1E3B11BOMA1	39.4800	询价	24	英飞凌科技	EasyPIM™	托盘	的积极		-40℃～150℃	安装结构	模块	FP10R06				68W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	24	天线塔																		沟渠场站	600伏	16A		2V@15V，10A					1毫安	是的	550pF@25V
IPP034N03LGHKSA1	-	询价	8514	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP034N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000237660	EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						30V	80A（温度）	4.5V、10V	3.4毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	25nC@4.5V	±20V	5300pF@15V	-	94W（温度）
MMBTA14LT1HTSA1	-	询价	4682	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	SIC停产		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMMBTA14				330毫W		PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																				30V	300毫安							100nA（ICBO）			NPN-达林顿	1.5V@100μA，100mA	20000@100mA，5V	125兆赫
BSO200P03SHXUMA1	0.5126	询价	9183	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	BSO200			MOSFET（金属O化物）			PG-DSO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道						30V	7.4A（塔）	10V	20毫欧@9.1A，10V	1.5V@100μA	54nC@10V	±25V	2330pF@25V	-	1.56W（塔）
IPI024N06N3GXKSA1	3.2600	询价	8269	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI024			MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						60V	120A（温度）	10V	2.4毫欧@100A，10V	4V@196μA	275nC@10V	±20V	23000pF@30V	-	250W（温度）
FP75R07N2E4BOSA1	-	询价	4655	英飞凌科技	EconoPIM™2	大部分	SIC停产		-40℃～150℃	安装结构	模块	FP75R07					标准	模块	下载		不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	天线塔																		沟渠场站	650伏	95A		1.95V@15V，75A					1毫安	是的	4.6nF@25V
IPB80N06S4L05ATMA2	-	询价	5250	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB80N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001028720	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						60V	80A（温度）	4.5V、10V	5.1毫欧@80A，10V	2.2V@60μA	110nC@10V	±16V	8180pF@25V	-	107W（温度）
IRF9910PBF	-	询价	第1179章	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF99			MOSFET（金属O化物）	2W		8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	95	2 个 N 沟道（双）							20V	10A、12A		13.4毫欧@10A、10V	2.55V@250μA	11nC@4.5V		900pF@10V	逻辑电平门
AUIRFR4104	-	询价	7096	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道						40V	42A（温度）	10V	5.5毫欧@42A，10V	4V@250μA	89nC@10V	±20V	2950pF@25V	-	140W（温度）
PTFA180701FV4FWSA1	-	询价	6557	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式	PTFA180701		1.84GHz	LDMOS			H-37265-2	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	80			10微安		550毫安	60W	16.5分贝											-									28V
BSC883N03LSG	-	询价	7898	英飞凌科技	OptiMOS™3	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN				MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						34V	17A（Ta）、98A（Tc）	4.5V、10V	3.8毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	34nC@10V	±20V	2800pF@15V	-	2.5W（Ta）、57W（Tc）
IRG4BC20S	-	询价	3400	英飞凌科技	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准			60W		TO-220AB	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRG4BC20S	EAR99	8541.29.0095	50				480V，10A，50欧姆，15V															-	600伏	19A	38A	1.6V@15V，10A	120μJ（开），2.05mJ（关）	27nC	27纳秒/540纳秒
IGA03N120H2XKSA1	1.8352	询价	9032	英飞凌科技	-	管子	最后一次购买		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	IGA03	标准			29 W		PG-TO220-3-31	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500				800V，3A，82欧姆，15V															-	1200伏	3A	9A	2.8V@15V，3A	290μJ	8.6nC	9.2纳秒/281纳秒
IPTG014N10NM5ATMA1	8.7200	询价	5658	英飞凌科技	OptiMOS™5	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerSMD，鸥翼式	IPTG014N			MOSFET（金属O化物）			PG-HSOG-8-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,800		N沟道						100伏	37A（Ta）、366A（Tc）	6V、10V	1.4毫欧@150A，10V	3.8V@280μA	211nC@10V	±20V	16000pF@50V	-	3.8W（Ta）、375W（Tc）
IPN60R1K5PFD7SATMA1	0.7900	询价	7569	英飞凌科技	CoolMOS™PFD7	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	IPN60R1			MOSFET（金属O化物）			PG-SOT223-3	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道						600伏	3.6A（温度）	10V	1.5欧姆@700mA，10V	4.5V@40μA	4.6nC@10V	±20V	169 pF @ 400 V	-	6W（温度）
IRFR2905ZTRLPBF	-	询价	4332	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	SIC停产		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001575886	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道						55V	42A（温度）	10V	14.5毫欧@36A，10V	4V@250μA	44nC@10V	±20V	1380pF@25V	-	110W（温度）
IPB033N10N5LFATMA1	6.8900	询价	6328	英飞凌科技	OptiMOS™-5	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB033			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						100伏	120A（温度）	10V	3.3毫欧@100A，10V	4.1V@150μA	102nC@10V	±20V	50V时为460pF	-	179W（温度）
IMW65R107M1HXKSA1	10.9000	询价	9	英飞凌科技	酷碳化硅™	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IMW65R107			SiCFET（碳化硅）			PG-TO247-3-41	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道						650伏	20A（温度）	18V	142毫欧@8.9A，18V	5.7V@3mA	15nC@18V	+23V，-5V	496 pF @ 400 V	-	75W（温度）
BSC065N06LS5ATMA1	1.5500	询价	17号	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSC065			MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						60V	64A（温度）	4.5V、10V	6.5毫欧@32A，10V	2.3V@20μA	13nC@4.5V	±20V	1800pF@30V	-	46W（温度）
BCR158E6327HTSA1	0.0743	询价	4974	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCR158				200毫W		PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安							100nA（ICBO）			PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	70@5mA，5V	200兆赫	2.2欧姆	47欧姆
IRF5800	-	询价	8079	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6				MOSFET（金属O化物）			Micro6™(TSOP-6)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100		P沟道						30V	4A（塔）	4.5V、10V	85毫欧@4A，10V	1V@250μA	17nC@10V	±20V	535pF@25V	-	2W（塔）
IPW65R190C7XKSA1	4.8400	询价	8939	英飞凌科技	CoolMOS™ C7	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IPW65R190			MOSFET（金属O化物）			PG-TO247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道						650伏	13A（温度）	10V	190毫欧@5.7A，10V	4V@290μA	23nC@10V	±20V	1150 pF @ 400 V	-	72W（温度）
BSO220N03MDGXUMA1	0.9300	询价	25	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	BSO220			MOSFET（金属O化物）	1.4W		PG-DSO-8	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）							30V	6A		22毫欧@7.7A，10V	2.1V@250μA	10nC@10V		800pF@15V	逻辑电平门
BFP 420F E6327	-	询价	6047	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	4-SMD，写入	BFP 420				160毫W		4-TSFP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000							19.5分贝													5V	35毫安										NPN		60@5mA，4V	25GHz			1.1dB@1.8GHz
IRF9410	-	询价	7452	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）				MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF9410	EAR99	8541.29.0095	95		N沟道						30V	7A（塔）	4.5V、10V	30mOhm@7A，10V	1V@250μA	27nC@10V	±20V	550pF@25V	-	2.5W（塔）
FS13MR12W2M1HC55BPSA1	307.2100	询价	15	英飞凌科技	-	托盘	的积极												-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	15
IRF6623TRPBF	2.3700	询价	8	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 ST	IRF6623			MOSFET（金属O化物）			DIRECTFET™ ST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,800		N沟道						20V	16A（Ta）、55A（Tc）	4.5V、10V	5.7毫欧@15A，10V	2.2V@250μA	17nC@4.5V	±20V	1360pF@10V	-	1.4W（Ta）、42W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²