晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)
IRF8113GTRPBF	-	询价	9321	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）				MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道						30V	17.2A（塔）	4.5V、10V	5.6毫欧@17.2A，10V	2.2V@250μA	36nC@4.5V	±20V	2910pF@15V	-	2.5W（塔）
SPB80N03S2L-04G	-	询价	4951	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	SPB80N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						30V	80A（温度）	4.5V、10V	3.9毫欧@80A，10V	2V@130μA	105nC@10V	±20V	3900pF@25V	-	188W（温度）
BSD214SN L6327	-	询价	3793	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363				MOSFET（金属O化物）			PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道						20V	1.5A（塔）	2.5V、4.5V	140毫欧@1.5A，4.5V	1.2V@3.7μA	0.8nC@5V	±12V	143pF@10V	-	500毫W（塔）
FS75R07N2E4BPSA1	113.8200	询价	4846	英飞凌科技	经济包装™2	托盘	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FS75R07				250W	标准	AG-ECONO2B	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	天线塔																			沟渠场站	650伏	75A		1.95V@15V，75A					1毫安	是的	4.6nF@25V
IRF1607PBF	-	询价	6806	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3				MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						75V	142A（温度）	10V	7.5毫欧@85A，10V	4V@250μA	320nC@10V	±20V	7750pF@25V	-	380W（温度）
AUIRF540ZS	-	询价	2984	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AUIRF540			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						100伏	36A（温度）	10V	26.5毫欧@22A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	1770pF@25V	-	92W（温度）
IPP22N03S4L15AKSA1	-	询价	4293	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP22N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						30V	22A（温度）	4.5V、10V	14.9毫欧@22A，10V	2.2V@10μA	14nC@10V	±16V	980pF@25V	-	31W（温度）
FF11MR12W1M1C11BPSA1	-	询价	9433	英飞凌科技	-	托盘	过时的					FF11MR12			-				-					过时的		1																-
IPB019N08N3GATMA1	6.3700	询价	11	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）	IPB019			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-7	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						80V	180A（温度）	6V、10V	1.9毫欧@100A，10V	3.5V@270μA	206nC@10V	±20V	14200pF@40V	-	300W（温度）
SIGC25T60NCX1SA4	-	询价	2114	英飞凌科技	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	死	SIGC25	标准					死	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		1				300V，30A，8.2欧姆，15V																不扩散条约	600伏	30A	90A	2.5V@15V，30A	-		21纳秒/110纳秒
IRFR1205TRR	-	询价	8149	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IRFR1205			MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道						55V	44A（温度）	10V	27毫欧@26A，10V	4V@250μA	65nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	107W（温度）
IKP20N65H5XKSA1	2.9700	询价	94	英飞凌科技	TrenchStop™	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IKP20N65	标准			125W		PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50				400V，10A，32欧姆，15V															52纳秒	沟	650伏	42A	60A	2.1V@15V，20A	170μJ（开），60μJ（关）	48nC	18纳秒/156纳秒
IRFB4233PBF	-	询价	7538	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3				MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001577810	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						230伏	56A（温度）	10V	37毫欧@28A，10V	5V@250μA	170nC@10V	±30V	5510pF@25V	-	370W（温度）
BC 847C B5003	-	询价	5198	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	估计847年				330毫W		PG-SOT23	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																					45V	100毫安							15nA（ICBO）			NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	420@2mA，5V	250兆赫
IPP65R150CFDXKSA2	4.6900	询价	6540	英飞凌科技	CoolMOS™ CFD2	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IPP65R150			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						650伏	22.4A（温度）	10V	150mOhm@9.3A，10V	4.5V@900μA	86nC@10V	±20V	100V时为2340pF	-	195.3W（温度）
IKW20N60TA	-	询价	5292	英飞凌科技	TrenchStop®	大部分	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		标准			166 W		PG-TO247-3-41	下载					EAR99	8541.29.0095	1				400V，20A，12欧姆，15V															41纳秒	沟渠场站	600伏	40A	60A	2.05V@15V，20A	310μJ（开），460μJ（关）	120℃	18纳秒/199纳秒
FF600R12IP4PBPSA1	487.5200	询价	3	英飞凌科技	PrimePACK™2	托盘	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FF600R12				20毫W	标准	AG-PRIME2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3	2 独立																			沟渠场站	1200伏	600A		2.05V@15V，600A					5毫安	是的	37nF@25V
IPG16N10S4-61	1.0000	询价	9444	英飞凌科技	OptiMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerVDFN	IPG16N			MOSFET（金属O化物）	29W（温度）		PG-TDSON-8-4	下载					EAR99	8542.39.0001	1	2 个 N 沟道（双）							100V	16A（温度）		61毫欧@16A，10V	3.5V@9μA	7nC@10V		490pF@25V	-
IRL2203NLPBF	-	询价	6876	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA				MOSFET（金属O化物）			TO-262	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						30V	116A（温度）	4.5V、10V	7毫欧@60A，10V	3V@250μA	60nC@4.5V	±16V	3290pF@25V	-	3.8W（Ta）、180W（Tc）
FF8MR12W1M1HB11BPSA1	217.5600	询价	24	英飞凌科技	酷碳化硅™	托盘	的积极		-	安装结构	模块	FF8MR12			MOSFET（金属O化物）	-		AG-EASY1B	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	24	-							1200V（1.2kV）	-		-	-	-		-	-
IRFB3207ZGPBF	1.4800	询价	8331	英飞凌科技	HEXFET®	大部分	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRFB3207			MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						75V	120A（温度）	10V	4.1毫欧@75A，10V	4V@150μA	170nC@10V	±20V	6920pF@50V	-	300W（温度）
BCR119WE6327HTSA1	-	询价	9956	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-70、SOT-323	BCR119				250毫W		PG-SOT323	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100毫安							100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	120@5mA，5V	150兆赫	4.7欧姆
PTFA190451EV4XWSA1	-	询价	7446	英飞凌科技	-	托盘	过时的	65V		表面贴装	H-36265-2	PTFA190451		1.96GHz	LDMOS			H-36265-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50			10微安		450毫安	11W	17.5分贝											-										28V
IPP60R090CFD7	-	询价	6875	英飞凌科技	*	大部分	的积极												下载						0000.00.0000	1
BG3123E6327HTSA1	-	询价	5544	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	8V		表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BG3123		800兆赫	场效应管			PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		25毫安、20毫安		14毫安	-	25分贝											1.8分贝										5V
BC848AE6327	0.0300	询价	78	英飞凌科技	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3					330毫W		PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	9,427																					30V	100毫安							15nA（ICBO）			NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	110@2mA，5V	250兆赫
IRF6216TRPBF	-	询价	第1347章	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）				MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		P沟道						150伏	2.2A（塔）	10V	240毫欧@1.3A，10V	5V@250μA	49nC@10V	±20V	1280pF@25V	-	2.5W（塔）
IPB05N03LAT	-	询价	9251	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB05N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						25V	80A（温度）	4.5V、10V	4.6毫欧@55A，10V	2V@50μA	25nC@5V	±20V	15V时为3110pF	-	94W（温度）
IPF014N08NF2SATMA1	5.1100	询价	800	英飞凌科技	强IRFET™2	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	IPF014N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-7-14	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道						80V	282A（TC）	6V、10V	1.4毫欧@100A，10V	3.8V@267μA	255nC@10V	±20V	12000pF@40V	-	300W（温度）
IRL3713STRLPBF	-	询价	3997	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道						30V	260A（温度）	4.5V、10V	3毫欧@38A，10V	2.5V@250μA	110nC@4.5V	±20V	5890pF@15V	-	330W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²