晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
IRG4PC50UDPBF	-	询价	2767	英飞凌科技	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IRG4PC50	标准			200W	TO-247AC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400				480V，27A，5欧姆，15V															50纳秒	-	600伏	55A	220A	2V@15V，27A	990μJ（开），590μJ（关）	180℃	46纳秒/140纳秒
AUIRF6215S	-	询价	5821	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		P沟道						150伏	13A（温度）	10V	290毫欧@6.6A，10V	4V@250μA	66nC@10V	±20V	860pF@25V	-	3.8W（Ta）、110W（Tc）
IRF6608	-	询价	5165	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 ST				MOSFET（金属O化物）		DIRECTFET™ ST	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,800		N沟道						30V	13A（Ta）、55A（Tc）	4.5V、10V	9毫欧@13A，10V	3V@250μA	24nC@4.5V	±12V	15V时为2120pF	-	2.1W（Ta）、42W（Tc）
IPB45N06S409ATMA1	-	询价	8862	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	SIC停产		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB45N			MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						60V	45A（温度）	10V	9.1毫欧@45A，10V	4V@34μA	47nC@10V	±20V	3785pF@25V	-	71W（温度）
IRL3716STRLPBF	-	询价	9372	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001578504	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道						20V	180A（温度）	4.5V、10V	4mOhm@90A，10V	3V@250μA	79nC@4.5V	±20V	5090pF@10V	-	210W（温度）
IRL3502PBF	-	询价	7646	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						20V	110A（温度）	4.5V、7V	7毫欧@64A，7V	700mV @ 250μA（极低）	110nC@4.5V	±10V	4700pF@15V	-	140W（温度）
IPA057N08N3GXKSA1	2.5600	询价	第1435章	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	IPA057			MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						80V	60A（温度）	6V、10V	5.7毫欧@60A，10V	3.5V@90μA	69nC@10V	±20V	4750pF@40V	-	39W（温度）
BSC027N10NS5ATMA1	5.1500	询价	7365	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	BSC027			MOSFET（金属O化物）		PG-TSON-8-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						100伏	23A（Ta）、100A（Tc）	6V、10V	2.7毫欧@50A，10V	3.8V@146μA	111nC@10V	±20V	8200pF@50V	-	3W（Ta）、214W（Tc）
IRFHS9301TRPBF	0.7700	询价	38	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6电源VDFN	IRFHS9301			MOSFET（金属O化物）		6-PQFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		P沟道						30V	6A（Ta）、13A（Tc）	4.5V、10V	37毫欧@7.8A，10V	2.4V@25μA	13nC@10V	±20V	580pF@25V	-	2.1W（塔）
IRFH7184TRPBF	-	询价	5846	英飞凌科技	FASTIRFET™、HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN				MOSFET（金属O化物）		PQFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001570944	EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道						100伏	20A（Ta）、128A（Tc）	10V	4.8毫欧@50A，10V	3.6V@150μA	54nC@10V	±20V	2320pF@50V	-	3.9W（Ta）、156W（Tc）
IPI076N12N3GAKSA1	3.5800	询价	500	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI076			MOSFET（金属O化物）		PG-TO262-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						120V	100A（温度）	10V	7.6毫欧@100A，10V	4V@130μA	10V时为101nC	±20V	6640pF@60V	-	188W（温度）
FD1200R12IE4B1S1BDMA1	1.0000	询价	156	英飞凌科技	*	大部分	过时的					FD1200R						下载	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-FD1200R12IE4B1S1BDMA1	EAR99	8541.29.0095	1
IRF7530PBF	-	询价	5158	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产			表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	IRF7530			MOSFET（金属O化物）	1.3W	微8™	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	80	2 个 N 沟道（双）							20V	5.4A		30毫欧@5.4A，4.5V	1.2V@250μA	26nC@4.5V		1310pF@15V	-
IPP80N06S209AKSA2	-	询价	第1346章	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP80N06			MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						55V	80A（温度）	10V	9.1毫欧@50A，10V	4V@125μA	80nC@10V	±20V	2360pF@25V	-	190W（温度）
IRFR024NTRLPBF	1.0200	询价	5	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	红外FR024			MOSFET（金属O化物）		PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道						55V	17A（温度）	10V	75毫欧@10A，10V	4V@250μA	20nC@10V	±20V	370pF@25V	-	45W（温度）
IRLR3715ZTRL	-	询价	5338	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	SP001558946	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道						20V	49A（温度）	4.5V、10V	11毫欧@15A，10V	2.55V@250μA	11nC@4.5V	±20V	10V时为810pF	-	40W（温度）
IRGP4066-EPBF	-	询价	3725	英飞凌科技	-	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		标准			454 W	TO-247AD	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001540800	EAR99	8541.29.0095	25				400V，75A，10欧姆，15V																沟	600伏	140A	第225章	2.1V@15V，75A	2.47mJ（开）、2.16mJ（关）	150 纳克	50纳秒/200纳秒
IRF7303TRPBF	1.0200	询价	6101	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF73			MOSFET（金属O化物）	2W	8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）							30V	4.9A		50毫欧@2.4A，10V	1V@250μA	25nC@10V		520pF@25V	-
PTFA212401F V4	-	询价	8287	英飞凌科技	-	托盘	过时的	65V		表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式	PTFA212401		2.14GHz	LDMOS		H-37260-2	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	40			10微安		1.6安	50W	15.8分贝											-										30V
BCX70JE6433	0.0400	询价	10	英飞凌科技	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3					330毫W	PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	8,013																					45V	100毫安							20nA（ICBO）	NPN	550mV@1.25mA、50mA	250@2mA，5V	250兆赫
BCR48PNH6327	-	询价	6621	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极			表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BCR48				250毫W	PG-SOT363-6-1	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	70毫安							100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@500μA，10mA	70@5mA，5V	100兆赫兹	47k欧姆、2.2k欧姆	47k欧姆
ISC036N04NM5ATMA1	1.2200	询价	4	英飞凌科技	OptiMOS™-5	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	ISC036N			MOSFET（金属O化物）		PG-TDSON-8FL	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						40V	21A（Ta）、98A（Tc）	7V、10V	3.6毫欧@49A，10V	3.4V@23μA	28nC@10V	±20V	2000pF@20V	-	3W（Ta）、63W（Tc）
IRLR8721TRPBF	-	询价	5522	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道						30V	65A（温度）	4.5V、10V	8.4毫欧@25A，10V	2.35V@25μA	13nC@4.5V	±20V	1030pF@15V	-	65W（温度）
IRF6706S2TR1PBF	1.1000	询价	第838章	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 S1				MOSFET（金属O化物）		DirectFET™ 等距 S1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						25V	17A（Ta）、63A（Tc）	4.5V、10V	3.8毫欧@17A，10V	2.35V@25μA	20nC@4.5V	±20V	13V时为1810pF	-	1.8W（Ta）、26W（Tc）
IPP80N06S3-05	-	询价	2417	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP80N			MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						55V	80A（温度）	10V	5.4毫欧@63A，10V	4V@110μA	240nC@10V	±20V	10760pF@25V	-	165W（温度）
IRF7811AVPBF	-	询价	6152	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）				MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	95		N沟道						30V	10.8A（塔）	4.5V	14毫欧@15A，4.5V	3V@250μA	26nC@5V	±20V	1801pF@10V	-	2.5W（塔）
BSS214NWH6327	1.0000	询价	7135	英飞凌科技	OptiMOS™2	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323				MOSFET（金属O化物）		PG-SOT323-3-2	下载					EAR99	8541.21.0095	1		N沟道						20V	1.5A（塔）	2.5V、4.5V	140毫欧@1.5A，4.5V	1.2V@3.7μA	0.8nC@5V	±12V	143pF@10V	-	500毫W（塔）
IRGS4610DTRLPBF	-	询价	第1139章	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		标准			77 W	D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001536494	EAR99	8541.29.0095	800				400V，6A，47欧姆，15V															74纳秒	-	600伏	16A	18A	2V@15V，6A	56μJ（开），122μJ（关）	13nC	27纳秒/75纳秒
IPW60R070P6XKSA1	8.7100	询价	146	英飞凌科技	CoolMOS™ P6	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IPW60R070			MOSFET（金属O化物）		PG-TO247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道						600伏	53.5A（温度）	10V	70毫欧@20.6A，10V	4.5V@1.72mA	100nC@10V	±20V	4750pF@100V	-	391W（温度）
IPB80N03S4L-03ATMA1	-	询价	9766	英飞凌科技	OptiMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-3-2	下载	不适用	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						30V	80A（温度）	4.5V、10V	3.3毫欧@80A，10V	2.2V@45μA	75nC@10V	±16V	5100pF@25V	-	94W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²