RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IPW65R060CFD7XKSA1	9.2300	RFQ	2692	Infineon技术	CoolMos™CFD7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R060		MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	36a（TC）	10V	60mohm @ 16.4a，10v	4.5V @ 860µA	68 NC @ 10 V	±20V	3288 PF @ 400 V	-	171W（TC）
FP35R12N2T7B11BPSA2	123.6900	RFQ	9217	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FP35R12			20兆	三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器														沟渠场停止	1200 v	35 a		1.6V @ 15V，35a				7 µA	是的	6.62 NF @ 25 V
SPB100N08S2L-07	-	RFQ	7594	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB100N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		75 v	100A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 68A，10V	2V @ 250µA	246 NC @ 10 V	±20V	7130 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IPN80R4K5P7ATMA1	0.8300	RFQ	8745	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IPN80R4		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		800 v	1.5A（TC）	10V	4.5Ohm @ 400mA，10v	3.5V @ 20µA	4 NC @ 10 V	±20V	80 pf @ 500 V	-	6W（TC）
auirfz24ns	-	RFQ	7214	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	Auirfz24		MOSFET （金属 o化物）			D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	17a（TC）	10V	70mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
BSC027N04LSGATMA1	1.5800	RFQ	51	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC027		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		40 V	（24A）（TA），100A （TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 50A，10V	2V @ 49µA	85 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 20 V	-	2.5W（ta），83W（tc）
F575R06KE3B5BOSA1	-	RFQ	7495	Infineon技术	Econopack™3	托盘	过时的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	F575R06			250 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器														沟渠场停止	600 v	75 a		1.9V @ 15V，75a				1 MA	是的	4.6 NF @ 25 V
DF1000R17IE4BOSA1	710.6400	RFQ	1196	Infineon技术	PrimePack™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	DF1000			6250 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单身的														-	1700 v			2.45V @ 15V，1000a				5 ma	是的	81 NF @ 25 V
SIGC28T60EX1SA4	-	RFQ	3188	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC28	标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1			-												沟渠场停止	600 v	50 a	150 a	1.85V @ 15V，50a	-		-
FS75R12W2T4PBPSA1	80.8150	RFQ	8078	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS75R12			375 w	标准	Ag-Easy2b	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	18	完整的桥梁逆变器														沟渠场停止	1200 v	107 a		2.15V @ 15V，75a				1 MA	是的	4.3 NF @ 25 V
SPS04N60C3E8177AKMA1	0.6500	RFQ	4	Infineon技术	*	大部分	积极的										-		供应商不确定	到达不受影响	2156-SPS04N60C3E8177AKMA1-448			1
FZ1500R33HE3S6BOSA1	1.0000	RFQ	4323	Infineon技术	IHM-B	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FZ1500			2400000 w	标准	AG-IHVB190	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关														沟渠场停止	3300 v	1500 a		3.1V @ 15V，1.5KA				5 ma	不	280 NF @ 25 V
IRF7811WTRPBF	-	RFQ	4187	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		30 V	14A（TA）	4.5V	12MOHM @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	33 NC @ 5 V	±12V	2335 PF @ 16 V	-	3.1W（TA）
IRFP3306pbf	3.3500	RFQ	125	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP3306		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		60 V	120A（TC）	10V	4.2MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	120 NC @ 10 V	±20V	4520 PF @ 50 V	-	220W（TC）
ICD22V03X1SA1	-	RFQ	9354	Infineon技术	*	大部分	过时的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000986942	过时的	0000.00.0000	1
IPA60R230P6	-	RFQ	6648	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO220-3-111	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		600 v	16.8A（TC）	10V	230mohm @ 6.4a，10v	4.5V @ 530µA	31 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 100 V	-	33W（TC）
IRFS4321pbf	-	RFQ	8134	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	85A（TC）	10V	15mohm @ 33a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4460 pf @ 25 V	-	350W（TC）
SMBTA42E6327HTSA1	0.4800	RFQ	705	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MBTA42			360兆w		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																300 v	500 MA						100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	70MHz
FD1200R12IE4B1S1BDMA1	1.0000	RFQ	156	Infineon技术	*	大部分	过时的				FD1200R						下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FD1200R12IE4B1S1BDMA1	Ear99	8541.29.0095	1
IPA60R450E6XKSA1	-	RFQ	2039	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		600 v	9.2A（TC）	10V	450MOHM @ 3.4A，10V	3.5V @ 280µA	28 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 100 V	-	30W（TC）
IRF6616TR1	-	RFQ	5448	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MX	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		30 V	（19a）（ta），106a （TC）	4.5V，10V	5mohm @ 19a，10v	2.25V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	3765 pf @ 20 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
BSP317PE6327	-	RFQ	3576	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP317		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道		250 v	430ma（ta）	4.5V，10V	4330mA，10V	2V @ 370µA	15.1 NC @ 10 V	±20V	262 PF @ 25 V	-	1.8W（TA）
IRF7410GTRPBF	-	RFQ	8741	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道		12 v	16A（TA）	1.8V，4.5V	7MOHM @ 16a，4.5V	900mv @ 250µA	91 NC @ 4.5 V	±8V	8676 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
AUIRFS3307Z	-	RFQ	1679年	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001519782	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	120A（TC）	10V	5.8MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	110 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 50 V	-	230W（TC）
IPS65R950C6AKMA1	1.1100	RFQ	150	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	IPS65R		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO251-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		650 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 1.5A，10V	3.5V @ 200µA	15.3 NC @ 10 V	±20V	328 pf @ 100 V	-	37W（TC）
IAUC100N10S5L054ATMA1	1.2000	RFQ	5550	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		100 v	101a（TJ）	4.5V，10V	5.4mohm @ 50a，10v	2.2V @ 64µA	53 NC @ 10 V	±20V	3744 pf @ 50 V	-	130W（TC）
FS225R12KE4	529.7600	RFQ	151	Infineon技术	*	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				1100 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	三相逆变器														沟渠场停止	1200 v	320 a		2.15V @ 15V，225a				3 ma	是的	13 nf @ 25 V
IRG4PH20KDPBF	-	RFQ	6829	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PH20	标准		60 W		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			800V，5A，50OHM，15V											51 ns	-	1200 v	11 a	22 a	4.3V @ 15V，5A	620µJ（在）上，300µJ（OFF）	28 NC	50NS/100NS
AUIRF2903ZL	-	RFQ	7839	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001520876	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		30 V	160a（TC）	10V	2.4MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	240 NC @ 10 V	±20V	6320 PF @ 25 V	-	231W（TC）
FF500R17KE4BOSA1	389.6700	RFQ	1491	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF500R17				标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥逆变器														沟渠场停止	1700 v	500 a		2.3V @ 15V，500A				1 MA	不	45 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²