晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	噪声系数（dB Typ @ f）
AUIRFS3107	-	询价	1294	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001522294	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					75V	195A（高温）	10V	3毫欧@140A，10V	4V@250μA	240nC@10V	±20V	9370pF@50V	-	370W（温度）
FP50R12N2T7B16BPSA1	151.0773	询价	1924年	英飞凌科技	-	托盘	的积极					FP50R12						-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15
BFP196WH6740	0.2000	询价	99	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-82A、SOT-343				700毫W		PG-SOT343-4-1	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000						19分贝													12V	150毫安						NPN		70@50mA，8V	7.5GHz	1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRF2907ZPBF	3.3600	询价	238	英飞凌科技	HEXFET®	管子	不适合新设计		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRF2907		MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100		N沟道					75V	160A（温度）	10V	4.5毫欧@75A，10V	4V@250μA	270nC@10V	±20V	7500pF@25V	-	300W（温度）
IPA65R600E6	-	询价	8800	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-111	下载					EAR99	8542.39.0001	1		N沟道					650伏	7.3A（温度）	10V	600毫欧@2.1A，10V	3.5V@210μA	23nC@10V	±20V	100V时为440pF	-	28W（温度）
IRLH7134TRPBF	-	询价	9117	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）			8-PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道					40V	26A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	3.3毫欧@50A，10V	2.5V@100μA	58nC@4.5V	±16V	3720pF@25V	-	3.6W（Ta）、104W（Tc）
IPW65R080CFDAFKSA1	12.7400	询价	950	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、CoolMOS™	管子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IPW65R080		MOSFET（金属O化物）			PG-TO247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					650伏	43.3A（温度）	10V	80毫欧@17.6A，10V	4.5V@1.76mA	161nC@10V	±20V	100V时为4440pF	-	391W（温度）
PTFA181001E V4 T500	-	询价	2416	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		表面贴装	2 纸张封装，鳍片底部		1.805GHz～1.88GHz	LDMOS			H-36248-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500			-	750毫安	45W	16.5分贝											-					28V
IPB35N12S3L26ATMA1	-	询价	7745	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IP35N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					120V	35A（温度）	4.5V、10V	26.3毫欧@35A，10V	2.4V@39μA	30nC@10V	±20V	2700pF@25V	-	71W（温度）
FF450R12ME4BDLA1	133.5700	询价	8244	英飞凌科技	-	大部分	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块				20毫W	标准	AG-ECONOD-3-2	-				2156-FF450R12ME4BDLA1			2	半桥逆变器																	沟渠场站	1200伏	450A	2.1V@15V，450A		3毫安	是的	28nF@25V
IRF6714MTRPBF	-	询价	5790	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 MX	IRF6714		MOSFET（金属O化物）			DIRECTFET™ MX	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001532368	EAR99	8541.29.0095	4,800		N沟道					25V	29A（Ta）、166A（Tc）	4.5V、10V	2.1毫欧@29A，10V	2.4V@100μA	44nC@4.5V	±20V	13V时为3890pF	-	2.8W（Ta）、89W（Tc）
IPLK80R750P7ATMA1	1.7100	询价	6393	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	卷带式 (TR)	的积极		-	表面贴装	8-PowerTDFN	IPLK80		MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		-					800V	-	-	-	-		±20V		-	-
IMBF170R650M1XTMA1	7.4600	询价	第592章	英飞凌科技	酷碳化硅™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	IMBF170		SiCFET（碳化硅）			PG-TO263-7-13	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					1700伏	7.4A（温度）	12V、15V	650mOhm@1.5A，15V	5.7V@1.7mA	8nC@12V	+20V，-10V	1000V时为422pF	-	88W（温度）
IQDH29NE2LM5CGATMA1	3.8200	询价	1519	英飞凌科技	OptiMOS™5	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	9-PowerTDFN	IQDH29		MOSFET（金属O化物）			PG-TTFN-9-U02	-	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	5,000		N沟道					25V	75A（Ta）、789A（Tc）	4.5V、10V	0.29毫欧@50A，10V	2V@1.448mA	254nC@10V	±16V	17000pF@12V	-	2.5W（Ta）、278W（Tc）
BSP373NH6327XTSA1	0.9600	询价	11	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BSP373		MOSFET（金属O化物）			PG-SOT223-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					100V	1.8A（塔）	10V	240毫欧@1.8A，10V	4V@218μA	9.3nC@10V	±20V	265pF@25V	-	1.8W（塔）
BFP405E6433HTMA1	-	询价	6830	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	SC-82A、SOT-343	BFP405			75毫W		PG-SOT343-3D	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000						23分贝													5V	25毫安						NPN		60@5mA，4V	25GHz	1.25dB@1.8GHz
IRL540NSTRL	-	询价	2442	英飞凌科技	-	切带 (CT)	过时的			表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					100V	36A（温度）		44毫欧@18A，10V	2V@250μA	74nC@5V		1800pF@25V	-
BC860CWE6327HTSA1	-	询价	1368	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	BC860			250毫W		PG-SOT323	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																			45V	100毫安			15nA（ICBO）			国民党	650mV@5mA、100mA	420@2mA，5V	250兆赫
AUIRLL2705	-	询价	7856	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA			MOSFET（金属O化物）			SOT-223	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001522936	EAR99	8541.29.0095	80		N沟道					55V	5.2A（塔）	4V、10V	40毫欧@3.8A，10V	2V@250μA	48nC@10V	±16V	870pF@25V	-	1W（塔）
IPB011N04NF2SATMA1	3.2400	询价	第770章	英飞凌科技	强IRFET™2	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB011		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					40V	43A（Ta）、201A（Tc）	6V、10V	1.15毫欧@100A，10V	3.4V@249μA	315nC@10V	±20V	15000pF@20V	-	3.8W（Ta）、375W（Tc）
ISK036N03LM5AULA1	-	询价	4852	英飞凌科技	OptiMOS™5	卷带式 (TR)	SIC停产		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6电源VDFN	ISK036N		MOSFET（金属O化物）			PG-VSON-6-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-ISK036N03LM5AULA1DKR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					30V	44A（温度）	4.5V、10V	3.6毫欧@20A，10V	2V@250μA	10V时为21.5nC	±16V	1400pF@15V	-	11W（温度）
IPD055N08NF2SATMA1	1.8700	询价	2	英飞凌科技	强IRFET™2	切带 (CT)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道					80V	17A（Ta）、98A（Tc）	6V、10V	5.5毫欧@60A，10V	3.8V@55μA	54nC@10V	±20V	2500pF@40V	-	3W（Ta）、107W（Tc）
BSS159NH6906XTSA1	0.7800	询价	35	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BSS159		MOSFET（金属O化物）			PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					60V	230mA（塔）	0V、10V	3.5欧姆@160mA，10V	2.4V@26μA	2.9nC@5V	±20V	44pF@25V	成熟模式	360毫W（塔）
IMZA120R007M1HXKSA1	90.3000	询价	2668	英飞凌科技	酷碳化硅™	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4			SiCFET（碳化硅）			PG-TO247-4-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					1200伏	225A（温度）	15V、18V	9.9毫欧@108A，18V	5.2V@47mA	220nC@18V	+20V，-5V	9170nF@25V	-	750W（温度）
BSZ0703LSATMA1	1.1800	询价	4	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSZ0703		MOSFET（金属O化物）			PG-TSDSON-8-26	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					60V	40A（温度）	4.5V、10V	6.5毫欧@20A，10V	2.3V@20μA	13nC@4.5V	±20V	1800pF@30V	标准	46W（温度）
IPD06P005LSAUMA1	-	询价	4812	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD06P		MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3-313	-		1（无限制）	REACH 不出行	SP001863510	EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道					60V	6.5A（温度）	4.5V、10V	250mOhm@6.5A，10V	2V@270μA	13.8nC@10V	±20V	420pF@30V	-	28W（温度）
IRF9540NSTRLPBF	2.4900	询价	1	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF9540		MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		P沟道					100V	23A（温度）	10V	117毫欧@14A，10V	4V@250μA	110nC@10V	±20V	1450pF@25V	-	3.1W（Ta）、110W（Tc）
AUIRF1010ZSTRL	2.2781	询价	9578	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					55V	75A（温度）		7.5毫欧@75A，10V	4V@250μA	95nC@10V		2840pF@25V	-	140W（温度）
IPA60R125C6XKSA1	6.3800	询价	5188	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	IPA60R		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					600伏	30A（温度）	10V	125毫欧@14.5A，10V	3.5V@960μA	96nC@10V	±20V	100V时为2127pF	-	34W（温度）
IPA65R380C6XKSA1	1.6245	询价	7989	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	IPA65R380		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-111	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道					650伏	10.6A（温度）	10V	380毫欧@3.2A，10V	3.5V@320μA	39nC@10V	±20V	710 pF @ 100 V	-	31W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²