SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() trr) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
IRGS4607DTRRPBF Infineon Technologies IRGS4607DTRRPBF -
RFQ
ECAD 7466 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 标准 58 w D2PAK 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001545246 Ear99 8541.29.0095 800 400V,4A,100OHM,15V 48 ns - 600 v 11 a 12 a 2.05V @ 15V,4A (140µJ)(在62µJ上) 9 NC 27NS/120NS
IRGS4610DTRLPBF Infineon Technologies IRGS4610DTRLPBF -
RFQ
ECAD 1139 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 标准 77 w D2PAK 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001536494 Ear99 8541.29.0095 800 400V,6A,47OHM,15V 74 ns - 600 v 16 a 18 a 2V @ 15V,6A 56µJ(在)上,122µJ(122µJ) 13 NC 27ns/75ns
IRGS4620DTRRPBF Infineon Technologies IRGS4620DTRRPBF -
RFQ
ECAD 3764 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 标准 140 w D2PAK 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001535912 Ear99 8541.29.0095 800 400V,12A,22OHM,15V 68 ns - 600 v 32 a 36 a 1.85V @ 15V,12A (75µJ)(在),225µJ(225µJ)中 25 NC 31ns/83ns
IRGS4630DPBF Infineon Technologies IRGS4630DPBF -
RFQ
ECAD 2681 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 标准 206 w D2PAK 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V,18A,22OHM,15V 100 ns - 600 v 47 a 54 a 1.95V @ 15V,18A 95µJ(在)上,350µJ(OFF) 35 NC 40NS/105NS
IRL6297SDTRPBF Infineon Technologies IRL6297SDTRPBF -
RFQ
ECAD 4854 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 DirectFet™等距SA IRL6297 MOSFET (金属 o化物) 1.7W DirectFet™SA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,800 2 n 通道(双) 20V 15a 4.9mohm @ 15a,4.5V 1.1V @ 35µA 54NC @ 10V 2245pf @ 10V 逻辑级别门
IRLB8314PBF Infineon Technologies IRLB8314pbf 1.0400
RFQ
ECAD 591 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRLB8314 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 30 V 171a(TC) 4.5V,10V 2.4mohm @ 68a,10v 2.2V @ 100µA 60 NC @ 4.5 V ±20V 5050 pf @ 15 V - 125W(TC)
IRFS7430PBF Infineon Technologies IRFS7430pbf -
RFQ
ECAD 9018 0.00000000 Infineon技术 hexfet®,strongirfet™ 管子 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP001578352 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 195a(TC) 6V,10V 1.2MOHM @ 100A,10V 3.9V @ 250µA 460 NC @ 10 V ±20V 14240 pf @ 25 V - 375W(TC)
IRGP6650D-EPBF Infineon Technologies IRGP6650D-EPBF -
RFQ
ECAD 1218 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 306 w TO-247AD 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001549702 Ear99 8541.29.0095 25 400V,35a,10ohm,15V 50 ns - 600 v 80 a 105 a 1.95V @ 15V,35a (300µJ)(630µJ)off) 75 NC 40NS/105NS
IRGP6640D-EPBF Infineon Technologies IRGP6640D-EPBF -
RFQ
ECAD 2913 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 200 w TO-247AD 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001546152 Ear99 8541.29.0095 25 400V,24a,10ohm,15V 70 ns - 600 v 53 a 72 a 1.95V @ 15V,24a (90µJ)(在600µJ上) 50 NC 40NS/100NS
IPD80R2K8CEBTMA1 Infineon Technologies IPD80R2K8CEBTMA1 -
RFQ
ECAD 3177 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD80R MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-11 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 800 v 1.9A(TC) 10V 2.8ohm @ 1.1a,10v 3.9V @ 120µA 12 nc @ 10 V ±20V 290 pf @ 100 V - 42W(TC)
IRGP6660DPBF Infineon Technologies IRGP6660DPBF -
RFQ
ECAD 9183 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 330 w TO-247AC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 400V,48a,10ohm,15V 70 ns - 600 v 95 a 144 a 1.95V @ 15V,48a 600µJ(在)上,1.3mj off) 95 NC 60ns/155ns
IHW20N135R5XKSA1 Infineon Technologies IHW20N135R5XKSA1 4.8000
RFQ
ECAD 131 0.00000000 Infineon技术 Trechstop® 管子 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IHW20N135 标准 288 w pg-to247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V,20a,10ohm,15V - 1350 v 40 a 60 a 1.85V @ 15V,20A 950µJ(离) 170 NC - /235ns
IHW50N65R5XKSA1 Infineon Technologies IHW50N65R5XKSA1 4.7800
RFQ
ECAD 8845 0.00000000 Infineon技术 Trechstop® 管子 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IHW50N65 标准 282 w pg-to247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,25a,8ohm,15V 95 ns - 650 v 80 a 150 a 1.7V @ 15V,50a (740µJ)(在180µJ上) 230 NC 26NS/220NS
IRFR7540TRPBF Infineon Technologies IRFR7540TRPBF 1.5400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 strongirfet™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR7540 MOSFET (金属 o化物) D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 60 V 90A(TC) 6V,10V 4.8mohm @ 66a,10v 3.7V @ 100µA 130 NC @ 10 V ±20V 4360 pf @ 25 V - 140W(TC)
IRFR7540PBF Infineon Technologies irfr7540pbf -
RFQ
ECAD 1384 0.00000000 Infineon技术 strongirfet™ 管子 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 60 V 90A(TC) 6V,10V 4.8mohm @ 66a,10v 3.7V @ 100µA 130 NC @ 10 V ±20V 4360 pf @ 25 V - 140W(TC)
IRFR7546TRPBF Infineon Technologies IRFR7546TRPBF 1.0400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Infineon技术 strongirfet™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR7546 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 60 V 56A(TC) 6V,10V 7.9MOHM @ 43A,10V 3.7V @ 100µA 87 NC @ 10 V ±20V 3020 PF @ 25 V - 99W(TC)
SPP24N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPP24N60C3XKSA1 6.6600
RFQ
ECAD 175 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SPP24N60 MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 24.3A(TC) 10V 160MOHM @ 15.4a,10V 3.9V @ 1.2mA 135 NC @ 10 V ±20V 3000 pf @ 25 V - 240W(TC)
IRG7PH46UD-EP Infineon Technologies IRG7PH46UD-EP -
RFQ
ECAD 3571 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 irg7ph 标准 390 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP001540700 Ear99 8541.29.0095 400 600V,40a,10ohm,15V 140 ns 1200 v 40 a 160 a 2V @ 15V,40a 2.61mj(在)上,1.85mj off) 220 NC 45NS/410NS
BTS282ZE3180AATMA2 Infineon Technologies BTS282ZE3180AATMA2 6.7900
RFQ
ECAD 7958 0.00000000 Infineon技术 tempfet® 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-8,D²Pak(7 + Tab),TO-263CA BTS282 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-7-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 49 v 80A(TC) 4.5V,10V 6.5mohm @ 36a,10v 2V @ 240µA 232 NC @ 10 V ±20V 4800 PF @ 25 V 温度传感二极管 300W(TC)
BSP373NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSP373NH6327XTSA1 0.9600
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA BSP373 MOSFET (金属 o化物) PG-SOT223-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 1.8A(ta) 10V 240MOHM @ 1.8A,10V 4V @ 218µA 9.3 NC @ 10 V ±20V 265 pf @ 25 V - 1.8W(TA)
IRFI7440GPBF Infineon Technologies IRFI7440GPBF -
RFQ
ECAD 6468 0.00000000 Infineon技术 hexfet®,strongirfet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB全盘 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 40 V 95A(TC) 10V 2.5MOHM @ 57A,10V 3.9V @ 100µA 132 NC @ 10 V ±20V 4549 PF @ 25 V - 42W(TC)
IRGB4715DPBF Infineon Technologies IRGB4715DPBF -
RFQ
ECAD 4365 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 标准 100 W TO-220AB 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V,8A,50OHM,15V 86 ns - 650 v 21 a 24 a 2V @ 15V,8a 200µJ(在)上,90µJ(OFF) 30 NC 30n/100n
IRGP4750DPBF Infineon Technologies IRGP4750DPBF -
RFQ
ECAD 6432 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 273 w TO-247AC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 400V,35a,10ohm,15V 150 ns - 650 v 70 a 105 a 2V @ 15V,35a 1.3mj(在)上,500µJ(OFF) 105 NC 50NS/105NS
IRGP4790-EPBF Infineon Technologies IRGP4790-EPBF -
RFQ
ECAD 4407 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 455 w TO-247AD 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001549734 Ear99 8541.29.0095 25 400V,75A,10欧姆,15V - 650 v 140 a 225 a 2V @ 15V,75a 2.5MJ(在)上,2.2MJ off) 210 NC 50NS/200NS
IRGS4715DTRRPBF Infineon Technologies IRGS4715DTRRPBF -
RFQ
ECAD 5704 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 标准 100 W D2PAK 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001542306 Ear99 8541.29.0095 800 400V,8A,50OHM,15V 86 ns - 650 v 21 a 24 a 2V @ 15V,8a 200µJ(在)上,90µJ(OFF) 30 NC 30n/100n
IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies IKW30N65EL5XKSA1 5.5600
RFQ
ECAD 5009 0.00000000 Infineon技术 Trenchstop™5 管子 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IKW30N65 标准 227 w pg-to247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,30a,10ohm,15V 100 ns - 650 v 85 a 120 a 1.35V @ 15V,30a 470µJ(在)上,1.35mj off) 168 NC 33NS/308NS
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies IKW75N65EL5XKSA1 9.2400
RFQ
ECAD 1735年 0.00000000 Infineon技术 Trenchstop™5 管子 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IKW75N65 标准 536 w pg-to247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,75a,4ohm,15V 114 ns - 650 v 80 a 300 a 1.35V @ 15V,75a 1.61mj(在)上,3.2mj off) 436 NC 40NS/275NS
IRG5K100HF12B Infineon Technologies IRG5K100HF12B -
RFQ
ECAD 8946 0.00000000 Infineon技术 - 盒子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 Powir®62模块 780 w 标准 Powir®62 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 15 半桥 - 1200 v 200 a 2.6V @ 15V,100a 2 ma 11.7 NF @ 25 V
IRG5K100HH06E Infineon Technologies IRG5K100HH06E -
RFQ
ECAD 3880 0.00000000 Infineon技术 - 盒子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 Powir Eco 2™模块 405 w 标准 Powir Eco 2™ 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 14 完整的桥梁逆变器 - 600 v 170 a 2.1V @ 15V,100a 1 MA 是的 6.2 NF @ 25 V
IRG5K200HF06A Infineon Technologies IRG5K200HF06A -
RFQ
ECAD 2552 0.00000000 Infineon技术 - 盒子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 Powir®34模块 800 w 标准 Powir®34 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001544746 Ear99 8541.29.0095 20 半桥 - 600 v 340 a 2.1V @ 15V,200a 1 MA 11.9 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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