晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试
BSS139L6906HTSA1	-	询价	3797	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				MOSFET（金属O化物）		PG-SOT23	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道						250伏	100mA（塔）	0V、10V	14欧姆@0.1mA，10V	1V@56μA	3.5nC@5V	±20V	76pF@25V	成熟模式	360毫W（塔）
IPB067N08N3GATMA1	2.7800	询价	5	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB067			MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						80V	80A（温度）	6V、10V	6.7毫欧@73A，10V	3.5V@73μA	56nC@10V	±20V	3840pF@40V	-	136W（温度）
BSP324L6327	0.2900	询价	147	英飞凌科技	SIPMOS®	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA				MOSFET（金属O化物）		PG-SOT223-4-21	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						400V	170毫安（塔）	4.5V、10V	25欧姆@170mA，10V	2.3V@94μA	5.9nC@10V	±20V	154pF@25V	-	1.8W（塔）
IRF630NL	-	询价	9121	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA				MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF630NL	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						200V	9.3A（温度）	10V	300mOhm@5.4A，10V	4V@250μA	35nC@10V	±20V	575pF@25V	-	82W（温度）
IRG7PH44K10DPBF	-	询价	4894	英飞凌科技	-	管子	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IRG7PH	标准			320W	TO-247AC	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001544958	EAR99	8541.29.0095	25				600V，25A，10欧姆，15V															130纳秒	-	1200伏	70A	100A	2.4V@15V，25A	2.1mJ（开），1.3mJ（关）	200℃	75纳秒/315纳秒
BSC030N03LSGATMA1	1.1800	询价	24	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSC030			MOSFET（金属O化物）		PG-TDSON-8-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						30V	23A（Ta）、100A（Tc）	4.5V、10V	3mOhm@30A，10V	2.2V@250μA	55nC@10V	±20V	4300pF@15V	-	2.5W（Ta）、69W（Tc）
AUIRFP2907	-	询价	2978	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3				MOSFET（金属O化物）		TO-247AC	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001516710	EAR99	8541.29.0095	400		N沟道						75V	90A（温度）	10V	4.5毫欧@125A，10V	4V@250μA	620nC@10V	±20V	13000pF@25V	-	470W（温度）
IRF6665TR1PBF	-	询价	5653	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 SH				MOSFET（金属O化物）		DIRECTFET™ SH	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						100伏	4.2A（Ta）、19A（Tc）	10V	62mOhm@5A，10V	5V@250μA	13nC@10V	±20V	530pF@25V	-	2.2W（Ta）、42W（Tc）
SPB80N06S2L-06	-	询价	8031	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	SPB80N			MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-3-2	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						55V	80A（温度）	4.5V、10V	6.3毫欧@69A，10V	2V@180μA	150nC@10V	±20V	5050pF@25V	-	250W（温度）
IRF3706PBF	-	询价	2331	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3				MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						20V	77A（温度）	2.8V、10V	8.5毫欧@15A，10V	2V@250μA	35nC@4.5V	±12V	10V时为2410pF	-	88W（温度）
SPW15N60CFDFKSA1	-	询价	9495	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	SPW15N			MOSFET（金属O化物）		PG-TO247-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240		N沟道						650伏	13.4A（温度）	10V	330毫欧@9.4A，10V	5V@750μA	84nC@10V	±20V	1820pF@25V	-	156W（温度）
IRF8721GPBF	-	询价	4300	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）				MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001555790	EAR99	8541.29.0095	95		N沟道						30V	14A（塔）	4.5V、10V	8.5毫欧@14A，10V	2.35V@25μA	12nC@4.5V	±20V	1040pF@15V	-	2.5W（塔）
IPI147N12N3GAKSA1	-	询价	9789	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	SIC停产		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI147			MOSFET（金属O化物）		PG-TO262-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						120V	56A（塔）	10V	14.7毫欧@56A，10V	4V@61μA	49nC@10V	±20V	3220pF@60V	-	107W（温度）
64-2082PBF	-	询价	5191	英飞凌科技	-	管子	过时的											-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		1									-
IPZA60R024P7XKSA1	17.7100	询价	6584	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-4	IPZA60			MOSFET（金属O化物）		PG-TO247-4-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240		N沟道						600伏	101A（TC）	10V	24毫欧@42A，10V	4V@2.03mA	164nC@10V	±20V	7144 pF @ 400 V	-	291W（温度）
IAUC120N06S5L015ATMA1	1.2811	询价	3054	英飞凌科技	OptiMOS™-5	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN				MOSFET（金属O化物）		PG-TDSON-8-43	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						60V	235A（Tj）	4.5V、10V	1.5毫欧@60A，10V	2.2V@94μA	114nC@10V	±20V	8193pF@30V	-	167W（温度）
IRF8736TRPBF	0.7800	询价	2845	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF8736			MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道						30V	18A（塔）	4.5V、10V	4.8毫欧@18A，10V	2.35V@50μA	26nC@4.5V	±20V	15V时为2315pF	-	2.5W（塔）
BSS87 E6433	-	询价	6510	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	SIC停产		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				MOSFET（金属O化物）		PG-SOT89	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道						240伏	260mA（塔）	4.5V、10V	6欧姆@260mA，10V	1.8V@108μA	5.5nC@10V	±20V	97pF@25V	-	1W（塔）
BSP92PL6327HTSA1	-	询价	6726	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BSP92			MOSFET（金属O化物）		PG-SOT223-4-21	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		P沟道						250伏	260mA（塔）	4.5V、10V	12欧姆@260mA，10V	2V@130μA	5.4nC@10V	±20V	104pF@25V	-	1.8W（塔）
PXAC261202FCV1XWSA1	-	询价	6463	英飞凌科技	-	托盘	过时的	65V		安装结构	H-37248-4			2.61GHz	LDMOS		H-37248-4	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001178442	过时的	0000.00.0000	1	双重、共同来源		-		230毫安	28W	13.5分贝											-										28V
BTS110E3045ANTMA1	-	询价	1830年	英飞凌科技	TEMPFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						100伏	10A（温度）		200mOhm@5A，10V	3.5V@1mA			600pF@25V	-	-
BSC240N12NS3G	-	询价	3584	英飞凌科技	OptiMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN				MOSFET（金属O化物）		PG-TDSON-8-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道						120V	37A（温度）	10V	24毫欧@31A，10V	4V@35μA	27nC@10V	±20V	1900pF@60V	-	66W（温度）
IPQC60R017S7XTMA1	18.4700	询价	1879年	英飞凌科技	CoolMOS™ S7	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	22-PowerBSOP模块				MOSFET（金属O化物）		PG-HDSOP-22	-		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	750		N沟道						600伏	30A（温度）	12V	17毫欧@29A，12V	4.5V@1.89mA	196nC@12V	±20V	7370pF@300V	-	500W（温度）
IST019N08NM5AUMA1	4.4700	询价	1	英飞凌科技	OptiMOS™5	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	5-PowerSFN	IST019N			MOSFET（金属O化物）		PG-HSOF-5-1	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道						80V	32A（Ta）、290A（Tc）	6V、10V	1.9毫欧@100A，10V	3.8V@148μA	132nC@10V	±20V	6600pF@40V	-	3.8W（Ta）、313W（Tc）
IPS70R2K0CEAKMA1	-	询价	1888年	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	IPS70R2			MOSFET（金属O化物）		PG-TO251-3-11	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001471300	EAR99	8541.29.0095	75		N沟道						700伏	4A（温度）	10V	2欧姆@1A，10V	3.5V@70μA	7.8nC@10V	±20V	163pF@100V	-	42W（温度）
IRLR4343TR	-	询价	6059	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道						55V	26A（温度）	4.5V、10V	50毫欧@4.7A，10V	1V@250μA	42nC@10V	±20V	740 pF @ 50 V	-	79W（温度）
IAUC60N04S6L039ATMA1	0.9500	询价	3818	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	IAUC60			MOSFET（金属O化物）		PG-TDSON-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						40V	60A（温度）	4.5V、10V	4.02毫欧@30A，10V	2V@14μA	20nC@10V	±16V	1179pF@25V	-	42W（温度）
BSP89L6327HTSA1	-	询价	4702	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BSP89			MOSFET（金属O化物）		PG-SOT223-4-21	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						240伏	350mA（塔）	4.5V、10V	6欧姆@350mA，10V	1.8V@108μA	6.4nC@10V	±20V	140pF@25V	-	1.8W（塔）
IPA65R190CFDXKSA2	4.0800	询价	第461章	英飞凌科技	CoolMOS™ CFD2	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	IPA65R			MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						650伏	17.5A（温度）	10V	190毫欧@7.3A，10V	4.5V@700μA	68nC@10V	±20V	1850pF@100V	-	34W（温度）
IPP06CN10NGXKSA1	-	询价	1053	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP06C			MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000680822	EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						100伏	100A（温度）	10V	6.5毫欧@100A，10V	4V@180μA	139nC@10V	±20V	9200pF@50V	-	214W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²