晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
IPG20N06S2L65AUMA1	-	询价	9033	英飞凌科技	-	大部分	过时的				IPG20N		-			-					过时的		1												-
IPW60R070P6XKSA1	8.7100	询价	146	英飞凌科技	CoolMOS™ P6	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IPW60R070		MOSFET（金属O化物）		PG-TO247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30	N沟道			600伏	53.5A（温度）	10V	70毫欧@20.6A，10V	4.5V@1.72mA	100nC@10V	±20V	4750pF@100V	-	391W（温度）
IRLMS5703TRPBF	-	询价	1937年	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6			MOSFET（金属O化物）		Micro6™(TSOP-6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	P沟道			30V	2.4A（塔）	4.5V、10V	180毫欧@1.6A，10V	1V@250μA	11nC@10V	±20V	170pF@25V	-	1.7W（塔）
IPP90N06S404AKSA1	-	询价	2523	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP90N		MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500	N沟道			60V	90A（温度）	10V	4mOhm@90A，10V	4V@90μA	128nC@10V	±20V	10400pF@25V	-	150W（温度）
IRF3704STRR	-	询价	9485	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800	N沟道			20V	77A（温度）	4.5V、10V	9毫欧@15A，10V	3V@250μA	19nC@4.5V	±20V	1996pF@10V	-	87W（温度）
IPP65R600C6XKSA1	-	询价	2398	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IPP65R		MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500	N沟道			650伏	7.3A（温度）	10V	600毫欧@2.1A，10V	3.5V@210μA	23nC@10V	±20V	100V时为440pF	-	63W（温度）
IRFB7540PBF	1.6900	询价	第459章	英飞凌科技	HEXFET®、StrongIRFET™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRFB7540		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道			60V	110A（温度）	6V、10V	5.1毫欧@65A，10V	3.7V@100μA	130nC@10V	±20V	4555pF@25V	-	160W（温度）
BCP6925H6327XTSA1	0.3376	询价	7937	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BCP69			3W	PG-SOT223-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000															20V	1A						100nA（ICBO）	国民党	500mV@100mA，1A	160@500mA，1V	100兆赫兹
IPB13N03LBG	0.4000	询价	999	英飞凌科技	*	大部分	的积极				IPB13N		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1												-
IPB80N03S4L-03ATMA1	-	询价	9766	英飞凌科技	OptiMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-3-2	下载	不适用	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道			30V	80A（温度）	4.5V、10V	3.3毫欧@80A，10V	2.2V@45μA	75nC@10V	±16V	5100pF@25V	-	94W（温度）
BCR116SE6327BTSA1	-	询价	3737	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BCR116			250毫W	PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安						-	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@500μA，10mA	70@5mA，5V	150兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
IRF3709ZSTRLPBF	-	询价	1510	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800	N沟道			30V	87A（温度）	4.5V、10V	6.3毫欧@21A，10V	2.25V@250μA	26nC@4.5V	±20V	15V时为2130pF	-	79W（温度）
BSC020N03LSGATMA2	-	询价	3687	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	的积极				BSC020					下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP000959514		0000.00.0000	5,000
IPI60R099CPAAKSA1	-	询价	5310	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI60R099		MOSFET（金属O化物）		PG-TO262-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500	N沟道			600伏	31A（温度）	10V	105毫欧@18A，10V	3.5V@1.2mA	80nC@10V	±20V	2800pF@100V	-	255W（温度）
IPA50R299CPXKSA1	-	询价	6648	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	IPA50R		MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-31	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500	N沟道			550伏	12A（温度）	10V	299毫欧@6.6A，10V	3.5V@440μA	31nC@10V	±20V	1190 pF @ 100 V	-	104W（温度）
IRFP460PBF	-	询价	3579	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IRFP460		MOSFET（金属O化物）		TO-247AC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400	N沟道			500V	20A（温度）	10V	270毫欧@12A，10V	4V@250μA	210nC@10V	±20V	4200pF@25V	-	280W（温度）
AUIRFS4115	-	询价	5324	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AUIRFS4115		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001520256	EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道			150伏	99A（TC）	10V	12.1毫欧@62A，10V	5V@250μA	120nC@10V	±20V	5270pF@50V	-	375W（温度）
IPD80R2K8CEATMA1	1.2000年	询价	8457	英飞凌科技	CoolMOS™ CE	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD80R2		MOSFET（金属O化物）		PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道			800V	1.9A（温度）	10V	2.8欧姆@1.1A，10V	3.9V@120μA	12nC@10V	±20V	100V时为290pF	-	42W（温度）
IRF7433PBF	-	询价	1706	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF7433		MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001571932	EAR99	8541.29.0095	95	P沟道			12V	8.9A（塔）	1.8V、4.5V	24毫欧@8.7A，4.5V	900mV@250μA	20nC@4.5V	±8V	1877pF@10V	-	2.5W（塔）
IRL3713PBF	-	询价	3206	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道			30V	260A（温度）	4.5V、10V	3毫欧@38A，10V	2.5V@250μA	110nC@4.5V	±20V	5890pF@15V	-	330W（温度）
IRLR8503TR	-	询价	9610	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000	N沟道			30V	44A（温度）	4.5V、10V	16毫欧@15A，10V	3V@250μA	20nC@5V	±20V	1650pF@25V	-	62W（温度）
BFP405E6433HTMA1	-	询价	6830	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-82A、SOT-343	BFP405			75毫W	PG-SOT343-3D	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000			23分贝												5V	25毫安							NPN		60@5mA，4V	25GHz			1.25dB@1.8GHz
IPD06P005LSAUMA1	-	询价	4812	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD06P		MOSFET（金属O化物）		PG-TO252-3-313	-		1（无限制）	REACH 不出行	SP001863510	EAR99	8541.29.0095	2,500人	P沟道			60V	6.5A（温度）	4.5V、10V	250mOhm@6.5A，10V	2V@270μA	13.8nC@10V	±20V	420pF@30V	-	28W（温度）
BSZ0703LSATMA1	1.1800	询价	4	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSZ0703		MOSFET（金属O化物）		PG-TSDSON-8-26	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	N沟道			60V	40A（温度）	4.5V、10V	6.5毫欧@20A，10V	2.3V@20μA	13nC@4.5V	±20V	1800pF@30V	标准	46W（温度）
64-2096PBF	-	询价	3175	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7、D²Pak（6引脚+接片）、TO-263CB	IRF2907		MOSFET（金属O化物）		D2PAK（7导联）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800	N沟道			75V	160A（温度）	10V	3.8毫欧@110A，10V	4V@250μA	260nC@10V	±20V	7580pF@25V	-	300W（温度）
IRG7PH35UD1MPBF	-	询价	2704	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IRG7PH35	标准		179 W	TO-247AD	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001537510	EAR99	8541.29.0095	25		600V，20A，10欧姆，15V												沟	1200伏	50A	150A	2.2V@15V，20A	620μJ（关闭）	130 纳克	-/160纳秒
IPD50R800CEAUMA1	0.9100	询价	4	英飞凌科技	CoolMOS™ CE	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD50R800		MOSFET（金属O化物）		PG-TO252-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道			500V	7.6A（温度）	13V	800毫欧@1.5A，13V	3.5V@130μA	12.4nC@10V	±20V	280pF@100V	-	60W（温度）
AIKQ100N60CTXKSA1	15.3400	询价	4358	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、TrenchStop™	管子	不适合新设计	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AIKQ100	标准		714 W	PG-TO247-3-46	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		400V，100A，3.6欧姆，15V												沟渠场站	600伏	160A	400A	2V@15V，100A	3.1mJ（开），2.5mJ（关）	610℃	30纳秒/290纳秒
IPP26CNE8N G	-	询价	1095	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP26C		MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500	N沟道			85V	35A（温度）	10V	26毫欧@35A，10V	4V@39μA	31nC@10V	±20V	2070pF@40V	-	71W（温度）
BFP420H6327XTSA1	0.6900	询价	24	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-82A、SOT-343	BFP420			160毫W	PG-SOT343-3D	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000			21分贝												5V	35毫安							NPN		60@20mA，4V	25GHz			1.1dB@1.8GHz

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²