晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	应用领域	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
ISP75DP06LMXTSA1	0.6300	询价	8725	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	ISP75D			MOSFET（金属O化物）			PG-SOT223-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		P沟道						60V	1.1A（塔）	4.5V、10V	750毫欧@1.1A，10V	2V@77μA	4nC@10V	±20V	120pF@30V	-	1.8W（Ta）、4.2W（Tc）
AUIRF7675M2TR	2.7500	询价	9	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装	DirectFET™ 等距 M2	AUIRF7675			MOSFET（金属O化物）			DirectFET™ 等距 M2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,800		N沟道						150伏	4.4A（Ta）、18A（Tc）	10V	56毫欧@11A，10V	5V@100μA	32nC@10V	±20V	1360pF@25V	-	2.7W（Ta）、45W（Tc）
SIPC69SN60C3X3SA1	5.8000	询价	3	英飞凌科技	*	大部分	的积极													-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0040	1,500人
IPS090N03LGAKMA1	-	询价	8644	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-251-3 短截线，IPak				MOSFET（金属O化物）			PG-TO251-3-11	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道						30V	40A（温度）	4.5V、10V	9毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	15nC@10V	±20V	1600pF@15V	-	42W（温度）
IRGIB4610DPBF	-	询价	9769	英飞凌科技	-	管子	过时的		-		通孔	TO-220-3全包		标准					TO-220FP	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001546242	EAR99	8541.29.0095	500				-																-	600伏	10A		-	122μJ（开），56μJ（关）		-
BCV61BE6433HTMA1	0.1302	询价	9563	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	30V		电流镜	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BCV61						PG-SOT-143-3D	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000			100毫安																													2 NPN，基极集电极结
IPB70N04S406	-	询价	1202	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道						40V	70A（温度）	10V	6.2毫欧@70A，10V	4V@26μA	32nC@10V	±20V	2550pF@25V	-	58W（温度）
BCX55E6327	0.0800	询价	30	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		150°C（太焦）		表面贴装	TO-243AA					2W		PG-SOT89-4-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																					60V	1A							100nA（ICBO）				500毫伏@50毫安，500毫安	40@150mA，2V	100兆赫兹
FF600R12IE4PNOSA1	548.1433	询价	4469	英飞凌科技	PrimePACK™2	托盘	的积极		-40℃～150℃		安装结构	模块	FF600R12				3350W	标准	模块	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3	半桥																			沟渠场站	1200伏	600A		2.05V@15V，600A					5毫安	是的	37nF@25V
PTFA092201FV4XWSA1	-	询价	7866	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	65V			表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式	PTFA092201		960兆赫	LDMOS			H-37260-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	40			10微安		1.85安	220W	18.5分贝											-										30V
BSM30GD60DLCE3224	-	询价	8244	英飞凌科技	-	托盘	过时的		150°C（太焦）		安装结构	模块	BSM30G				135W	标准	模块	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	单身的																			不扩散条约	600伏	40A		2.45V@15V，30A					500微安	不	1.3nF@25V
IPI80P04P4L06AKSA1	-	询价	7235	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI80P			MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000842050	EAR99	8541.29.0095	500		P沟道						40V	80A（温度）	4.5V、10V	6.7毫欧@80A，10V	2.2V@150μA	10V时为104nC	+5V，-16V	6580pF@25V	-	88W（温度）
IPTG054N15NM5ATMA1	6.5100	询价	1	英飞凌科技	OptiMOS™5	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装	8-PowerSMD，鸥翼式				MOSFET（金属O化物）			PG-HSOG-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-IPTG054N15NM5ATMA1CT	EAR99	8541.29.0095	1,800		N沟道						150伏	17.5A（Ta）、143A（Tc）	8V、10V	5.4毫欧@50A，10V	4.6V@191μA	73nC@10V	±20V	5700pF@75V	-	3.8W（Ta）、250W（Tc）
BSM25GD120DN2BOSA1	144.1820	询价	9997	英飞凌科技	-	托盘	不适合新设计		150°C（太焦）		安装结构	模块	BSM25GD120				200W	标准	模块	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	全桥																			-	1200伏	35A		3V@15V，25A					800微安	不	1.65nF@25V
IPP65R075CFD7AAKSA1	7.1717	询价	5018	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-220-3	IPP65R			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						650伏	32A（温度）	10V	75毫欧@16.4A，10V	4.5V@820μA	68nC@10V	±20V	3288 pF @ 400 V	-	171W（温度）
DD600S17K3B2NOSA1	922.2700	询价	20	英飞凌科技	-	大部分	的积极		-40°C ~ 125°C（太焦）		安装结构	模块						标准	-	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	1	2 独立																			-	1700伏			-						不
SIGC25T60SNCX1SA2	-	询价	6401	英飞凌科技	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	死	SIGC25	标准					死	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		1				400V，30A，11欧姆，15V																不扩散条约	600伏	30A	90A	2.5V@15V，30A	-		44纳秒/324纳秒
BSM35GD120DLCE3224BOSA1	147.3320	询价	8226	英飞凌科技	-	托盘	最后一次购买		-40℃～125℃		安装结构	模块	BSM35G				280W	标准	模块	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	全桥																			-	1200伏	70A		2.6V@15V，35A					80微安	不	2nF@25V
IPP029N06NAK5A1	-	询价	3689	英飞凌科技	OptiMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-220-3				MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道						60V	24A（Ta）、100A（Tc）	6V、10V	2.9毫欧@100A，10V	2.8V@75μA	56nC@10V	±20V	4100pF@30V	-	3W（Ta）、136W（Tc）
ISC022N10NM6ATMA1	5.0900	询价	9	英飞凌科技	OptiMOS™6	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装	8-PowerTDFN	ISC022N			MOSFET（金属O化物）			PG-TSON-8-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						100伏	25A（Ta）、230A（Tc）	8V、10V	2.24毫欧@50A，10V	3.3V@147μA	91nC@10V	±20V	6880pF@50V	-	3W（Ta）、254W（Tc）
SGB15N60	1.1300	询价	2	英飞凌科技	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	SGB15N	标准			139 W		PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1				400V，15A，21欧姆，15V																不扩散条约	600伏	31A	62A	2.4V@15V，15A	570μJ	76 纳克	32纳秒/234纳秒
IPP126N10N3GXKSA1	1.5700	询价	1	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	不适合新设计		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-220-3	IPP126			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						100伏	58A（温度）	6V、10V	12.3毫欧@46A，10V	3.5V@46μA	35nC@10V	±20V	2500pF@50V	-	94W（温度）
PTFB093608FVV2XWSA1	-	询价	4096	英飞凌科技	*	托盘	过时的													下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000997834	EAR99	8541.29.0095	35
FS75R12KT4B15BOSA1	-	询价	4003	英飞凌科技	*	大部分	的积极													下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-FS75R12KT4B15BOSA1-448			1
FP75R07N2E4BPSA1	130.8400	询价	2561	英飞凌科技	EconoPIM™2	托盘	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)		安装结构	模块	FP75R07				20毫W	东部桥式调整器	AG-ECONO2B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	天线塔																			沟渠场站	650伏	95A		1.95V@15V，75A					1毫安	是的	4.6nF@25V
IKY75N120CS6XKSA1	12.3300	询价	139	英飞凌科技	TrenchStop™	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-247-4	IKY75N120	标准			880W		PG-TO247-4-2	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30				600V，75A，4欧姆，15V															205纳秒	沟渠场站	1200伏	150A	300A	2.15V@15V，75A	2.2mJ（开）、2.95mJ（关）	530nC	32纳秒/300纳秒
IGP40N65H5XKSA1	3.3600	询价	450	英飞凌科技	TrenchStop®	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-220-3	IGP40N65	标准			255W		PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50				400V，20A，15欧姆，15V																-	650伏	74A	120A	2.1V@15V，40A	390μJ（开），120μJ（关）	95℃	22纳秒/165纳秒
IPI040N06N3GHKSA1	-	询价	8536	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI04N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						60V	90A（温度）	10V	4mOhm@90A，10V	4V@90μA	98nC@10V	±20V	11000pF@30V	-	188W（温度）
IRFB4137PBF	5.0600	询价	第941章	英飞凌科技	HEXFET®	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-220-3	IRFB4137			MOSFET（金属O化物）			TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001554580	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						300伏	38A（温度）	10V	69毫欧@24A，10V	5V@250μA	125nC@10V	±20V	5168pF@50V	-	341W（温度）
IKQ120N65EH7XKSA1	11.4200	询价	230	英飞凌科技	-	管子	的积极													下载		不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²