晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	噪声系数（dB Typ @ f）
FP25R12W2T4B11BOMA1	63.3200	询价	74	英飞凌科技	-	托盘	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FP25R12			175W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	天线塔															沟渠场站	1200伏	39A		2.25V@15V，25A				1毫安	是的	1.45nF@25V
IPB015N06NF2SATMA1	2.8200	询价	第794章	英飞凌科技	强IRFET™2	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB015		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道			60V	37A（Ta）、195A（Tc）	6V、10V	1.5毫欧@100A，10V	3.3V@186μA	233nC@10V	±20V	10500pF@30V	-	3.8W（Ta）、250W（Tc）
IPD50P03P4L11ATMA1	1.5700	询价	9014	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	瞳距50		MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3-11	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道			30V	50A（温度）	4.5V、10V	10.5毫欧@50A，10V	2V@85μA	55nC@10V	+5V，-16V	3770pF@25V	-	58W（温度）
IQE030N06NM5CGATMA1	3.1000	询价	4	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装，可湿侧面	8-PowerTDFN	IQE030N		MOSFET（金属O化物）			PG-TTFN-9-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道			60V	21A（Ta）、137A（Tc）	6V、10V	3mOhm@20A，10V	3.3V@50μA	49nC@10V	±20V	3800pF@30V	-	2.5W（Ta）、107W（Tc）
FS450R12KE3BOSA1	770.8400	询价	1980年	英飞凌科技	-	托盘	不适合新设计	-40°C ~ 125°C（太焦）	安装结构	模块	FS450R12			2100W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4	天线塔															沟渠场站	1200伏	600A		2.15V@15V，450A				5毫安	是的	32nF@25V
FS300R120E4B0SA1	-	询价	5062	英飞凌科技	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
IKN06N60RC2ATMA1	0.9500	询价	5	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	IKN06N	标准		7.2W		PG-SOT223-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-IKN06N60RC2ATMA1DKR	EAR99	8541.29.0095	3,000			400V，6A，49欧姆，15V												42纳秒	-	600伏	8A	18A	2.3V@15V，6A	151μJ（开），104μJ（关）	31nC	8.8纳秒/174纳秒
IPI075N15N3G	-	询价	4585	英飞凌科技	OptiMOS™3	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3-1	下载					EAR99	8542.39.0001	1		N沟道			150伏	120A（温度）	8V、10V	7.5毫欧@100A，10V	4V@270μA	93nC@10V	±20V	5470pF@75V	-	300W（温度）
IPS60R210PFD7SAKMA1	2.0900	询价	308	英飞凌科技	CoolMOS™PFD7	管子	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IPS60R		MOSFET（金属O化物）			PG-TO251-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道			650伏	16A（温度）	10V	210毫欧@4.9A，10V	4.5V@240μA	23nC@10V	±20V	1015 pF @ 400 V	-	64W（温度）
AIMZA75R020M1HXKSA1	17.0765	询价	7974	英飞凌科技	*	管子	的积极										-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-AIMZA75R020M1HXKSA1			240
AUIRGR4045DTRL	-	询价	6363	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IRGR4045	标准		77 W		TO-252AA	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001511556	EAR99	8541.29.0095	3,000			400V，6A，47欧姆，15V												74纳秒	沟	600伏	12A	18A	2V@15V，6A	56μJ（开），122μJ（关）	19.5nC	27纳秒/75纳秒
BSZ0908NDXTMA1	-	询价	8235	英飞凌科技	OptiMOS®	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	BSZ0908		MOSFET（金属O化物）	700mW（等离子体）、860mW（等离子体）		PG-WISON-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 个 N 沟道（双）				30V	4.8A（塔）、7.6A（塔）		18毫欧@9A、10V、9毫欧@9A、10V	2V@250μA	3nC@4.5V，6.4nC@4.5V		15V时为340pF，15V时为730pF	逻辑电平门，4.5V驱动
FS75R07N2E4B11BPSA1	115.4649	询价	8163	英飞凌科技	经济包装™2	托盘	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FS75R07			250W	标准	AG-ECONO2B	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	天线塔															沟渠场站	650伏	75A		1.95V@15V，75A				1毫安	是的	4.6nF@25V
BFP420H6433	0.1800	询价	80	英飞凌科技	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-82A、SOT-343				210毫W		PG-SOT343-4-2	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000				21分贝													4.5V	60毫安									NPN	60@20mA，4V	25GHz	1.1dB@1.8GHz
2PS18012E44G40113NOSA1	-	询价	5751	英飞凌科技	PrimeSTACK™	托盘	过时的	-25℃～60℃	安装结构	模块	2PS18012			5600W	标准	模块	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8543.70.9860	1	天线塔															-	1200伏	2560A		-					是的
FP50R12KT3BOSA1	181.1200	询价	10	英飞凌科技	-	托盘	的积极	-40℃～125℃	安装结构	模块	FP50R12			280W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	天线塔															-	1200伏	75A		2.15V@15V，50A				5毫安	是的	3.5nF@25V
IPU103N08N3G	-	询价	4486	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IPU103N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO251-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道			80V	50A（温度）	6V、10V	10.3毫欧@46A，10V	3.5V@46μA	35nC@10V	±20V	2410pF@40V	-	100W（温度）
IM241L6T2BAKMA1	12.4500	询价	第548章	英飞凌科技	IM241、CIPOS™	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔		IM241L6			15W	标准	23-DIP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	天线塔															-	600伏			1.62V@15V，2A					是的
AIHD10N60RATMA1	-	询价	4575	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	人工智能HD10	标准		150W		PG-TO252-3-313	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001346846	EAR99	8541.29.0095	2,500人			400V，10A，23欧姆，15V													沟渠场站	600伏	20A	30A	2.1V@15V，10A	210μJ（开），380μJ（关）	64nC	14纳秒/192纳秒
IPD096N08N3GATMA1	1.4000	询价	2	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD096		MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			80V	73A（温度）	6V、10V	9.6毫欧@46A，10V	3.5V@46μA	35nC@10V	±20V	2410pF@40V	-	100W（温度）
BSF885N03LQ3G	0.3900	询价	10	英飞凌科技	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	5,000
BSC072N03LDGATMA1	-	询价	9711	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	BSC072N03		MOSFET（金属O化物）	57W		PG-TDSON-8-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 个 N 沟道（双）				30V	11.5A		7.2毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	41nC@10V		3500pF@15V	逻辑电平门
IPSH5N03LA G	-	询价	8019	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	IPSH5N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO251-3-11	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道			25V	50A（温度）	4.5V、10V	5.4毫欧@50A，10V	2V@35μA	22nC@5V	±20V	15V时为2653pF	-	83W（温度）
FZ1200R12KE3NOSA1	822.1000	询价	58	英飞凌科技	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	安装结构	模块				5600W	标准	-	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	单开关															-	1200伏	1700A		2.15V@15V，1.2kA				5毫安	不	86nF@25V
FP30R06YE3BOMA1	-	询价	3348	英飞凌科技	*	托盘	过时的										下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000100331	EAR99	8541.29.0095	1
IRF8714TRPBFXTMA1	0.2965	询价	3681	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极										-	符合ROHS3标准			448-IRF8714TRPBFXTMA1TR			4,000
IRG8CH10K10F	-	询价	第1362章	英飞凌科技	-	大部分	过时的	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	死	IRG8CH	标准				死	下载		不适用	REACH 不出行	SP001537442	过时的	0000.00.0000	1			600V，5A，47欧姆，15V													-	1200伏			2V@15V，5A	-	30纳克	20纳秒/160纳秒
IPBE65R145CFD7AATMA1	3.4789	询价	7132	英飞凌科技	CoolMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	IPBE65R		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-7-11	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道			650伏	17A（温度）	10V	145mOhm@8.5A，10V	4.5V@420μA	36nC@10V	±20V	1694 pF @ 400 V	-	98W（温度）
FF300R12KT4PHOSA1	202.4000	询价	8478	英飞凌科技	C	托盘	的积极	-40℃～150℃	安装结构	模块	FF300R12				标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	8	半桥															沟渠场站	1200伏	300A		2.15V@15V，300A				5毫安	不	19nF@25V
BTS244ZAKSA1	-	询价	6062	英飞凌科技	TEMPFET®	大部分	过时的	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-5、D²Pak（4引脚+接片）、TO-263BB			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-5-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			55V	35A（温度）	4.5V、10V	13毫欧@19A，10V	2V@130μA	130nC@10V	±20V	2660pF@25V	-	170W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²