晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
BSC200P03LSG	0.4300	询价	13	英飞凌科技	OptiMOS®	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		30V	9.9A（Ta）、12.5A（Tc）	10V	20毫欧@12.5A，10V	1V@100μA	48.5nC@10V	±25V	15V时为2430pF	-	2.5W（Ta）、63W（Tc）
IRF6610TRPBF	-	询价	9902	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 SQ			MOSFET（金属O化物）			DIRECTFET™ SQ	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,800		N沟道		20V	15A（Ta）、66A（Tc）	4.5V、10V	6.8毫欧@15A，10V	2.55V@250μA	17nC@4.5V	±20V	1520pF@10V	-	2.2W（Ta）、42W（Tc）
IRF7503TR	-	询价	8846	英飞凌科技	-	切带 (CT)	过时的		表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	IRF7503		MOSFET（金属O化物）	1.25W		微8™	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）			30V	2.4A		135mOhm@1.7A，10V	1V@250μA	12nC@10V		210pF@25V	逻辑电平门
IRF5810TR	-	询价	7775	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	IRF58		MOSFET（金属O化物）	960毫W		6-TSOP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）			20V	2.9A		90毫欧@2.9A，4.5V	1.2V@250μA	9.6nC@4.5V		650pF@16V	逻辑电平门
IRLU8203PBF	-	询价	2653	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）			I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行	*IRLU8203PBF	EAR99	8541.29.0095	75		N沟道		30V	110A（温度）	4.5V、10V	6.8毫欧@15A，10V	3V@250μA	50nC@4.5V	±20V	15V时为2430pF	-	140W（温度）
IPA95R450P7XKSA1	3.1500	询价	第387章	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	IPA95R450		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		950伏	14A（温度）	10V	450毫欧@7.2A，10V	3.5V@360μA	35nC@10V	±20V	1053 pF @ 400 V	-	30W（温度）
IPI65R310CFDXKSA1	-	询价	9693	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI65R		MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		650伏	11.4A（温度）	10V	310毫欧@4.4A，10V	4.5V@440μA	41nC@10V	±20V	1100 pF @ 100 V	-	104.2W（温度）
IRLL024ZPBF	-	询价	2749	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA			MOSFET（金属O化物）			SOT-223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	80		N沟道		55V	5A（温度）	4.5V、10V	60mOhm@3A，10V	3V@250μA	11nC@5V	±16V	380pF@25V	-	1W（塔）
IRFP4310ZPBF	4.8200	询价	1	英飞凌科技	HEXFET®	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IRFP4310		MOSFET（金属O化物）			TO-247AC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25		N沟道		100伏	120A（温度）	10V	6mOhm@75A，10V	4V@150μA	170nC@10V	±20V	50V时为6860pF	-	280W（温度）
SPD25N06S2-40	-	询价	3989	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	防雷器25N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3-11	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		55V	29A（温度）	10V	40毫欧@13A，10V	4V@26μA	18nC@10V	±20V	710pF@25V	-	68W（温度）
IRF8707PBF	-	询价	3234	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001560112	EAR99	8541.29.0095	95		N沟道		30V	11A（塔）	4.5V、10V	11.9毫欧@11A，10V	2.35V@25μA	9.3nC@4.5V	±20V	760pF@15V	-	2.5W（塔）
IRF6645	-	询价	3784	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 SJ			MOSFET（金属O化物）			DIRECTFET™ SJ	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,800		N沟道		100伏	5.7A（Ta）、25A（Tc）	10V	35毫欧@5.7A，10V	4.9V@50μA	20nC@10V	±20V	890pF@25V	-	3W（Ta）、42W（Tc）
IRF8788PBF	-	询价	5807	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001566558	EAR99	8541.29.0095	95		N沟道		30V	24A（塔）	4.5V、10V	2.8毫欧@24A，10V	2.35V@100μA	66nC@4.5V	±20V	5720pF@15V	-	2.5W（塔）
IRF7809AV	-	询价	6530	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF7809AV	EAR99	8541.29.0095	95		N沟道		30V	13.3A（塔）	4.5V	9毫欧@15A，4.5V	1V@250μA	62nC@5V	±12V	16V时为3780pF	-	2.5W（塔）
IRF6603TR1	-	询价	6580	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 MT			MOSFET（金属O化物）			DIRECTFET™ MT	下载		3（168小时）	REACH 不出行	SP001531594	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		30V	27A（Ta）、92A（Tc）	4.5V、10V	3.4毫欧@25A，10V	2.5V@250μA	72nC@4.5V	+20V，-12V	6590pF@15V	-	3.6W（Ta）、42W（Tc）
IPT014N08NM5ATMA1	6.8200	询价	2	英飞凌科技	OptiMOS™5	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerSFN	IP5014N		MOSFET（金属O化物）			PG-HSOF-8-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		80V	37A（Ta）、331A（Tc）	6V、10V	1.4毫欧@150A，10V	3.8V@280μA	200nC@10V	±20V	14000pF@40V	-	300W（温度）
IPU60R1K0CE	1.0000	询价	1724	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）			PG-TO251-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		600伏	6.8A（温度）	10V	1欧姆@1.5A，10V	3.5V@130μA	13nC@10V	±20V	280pF@100V	-	61W（温度）
IPP080N06N G	-	询价	4002	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP080N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		60V	80A（温度）	10V	8毫欧@80A，10V	4V@150μA	93nC@10V	±20V	3500pF@30V	-	214W（温度）
IRFR6215TRLPBF	1.6400	询价	2	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IRFR6215		MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		150伏	13A（温度）	10V	295毫欧@6.6A，10V	4V@250μA	66nC@10V	±20V	860pF@25V	-	110W（温度）
IPI45N06S4L08AKSA1	-	询价	9426	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI45N06		MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		60V	45A（温度）	4.5V、10V	8.2毫欧@45A，10V	2.2V@35μA	64nC@10V	±16V	4780pF@25V	-	71W（温度）
IGP20N65H5XKSA1	2.7600	询价	7029	英飞凌科技	TrenchStop®	管子	的积极		通孔	TO-220-3	IGP20N65	标准		125W		PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50			400V，10A，32欧姆，15V											-	650伏	42A	60A	2.1V@15V，20A	170μJ（开），60μJ（关）	48nC	18纳秒/156纳秒
BC 850C B5003	-	询价	5980	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	估计850年			330毫W		PG-SOT23	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000															45V	100毫安						15nA（ICBO）			NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	420@2mA，5V	250兆赫
FF300R07ME4B11BOSA1	147.0800	询价	5	英飞凌科技	EconoDUAL™ 3	大部分	SIC停产	-40℃～150℃	安装结构	模块	FF300R07			1100W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	6	2 独立													沟渠场站	650伏	390A		1.95V@15V，300A				1毫安	是的	18.5nF@25V
IPD50P04P4L11AUMA2	-	询价	4881	英飞凌科技	OptiMOS®-P2	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	瞳距50		MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3-313	-					过时的		1		P沟道		40V	50A（温度）	4.5V、10V	10.6毫欧@50A，10V	2.2V@85μA	59nC@10V	+5V，-16V	3900pF@25V	-	58W（温度）
FS400R12A2T4IBPSA1	-	询价	2892	英飞凌科技	HybridPACK™ 2	托盘	过时的	-40℃～150℃	安装结构	模块	FS400R12			1500W	标准	模块	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3	全桥													沟渠场站	1200伏	400A		1.85V@15V，300A				1毫安	是的	25nF@25V
IRFP4110PBF	4.9200	询价	3200	英飞凌科技	HEXFET®	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IRFP4110		MOSFET（金属O化物）			TO-247AC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25		N沟道		100伏	120A（温度）	10V	4.5毫欧@75A，10V	4V@250μA	210nC@10V	±20V	9620pF@50V	-	370W（温度）
DF15MR12W1M1B67BOMA1	-	询价	第1571章	英飞凌科技	-	大部分	过时的				DF15MR12		-				-					过时的		1												-
AUIRFS8408-7P	-	询价	7351	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7、D²Pak（6引脚+接片）、TO-263CB	IRFS8408		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-7-900	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		40V	240A（温度）	10V	1mOhm@100A，10V	3.9V@250μA	315nC@10V	±20V	10250pF@25V	-	294W（温度）
IRF7469	-	询价	8556	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF7469	EAR99	8541.29.0095	95		N沟道		40V	9A（塔）	4.5V、10V	17毫欧@9A，10V	3V@250μA	23nC@4.5V	±20V	2000pF@20V	-	2.5W（塔）
IAUC120N04S6N013ATMA1	1.7800	询价	6115	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	IAUC120		MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		40V	120A（温度）	7V、10V	1.34毫欧@60A，10V	3V@60μA	68nC@10V	±20V	4260pF@25V	-	115W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²