晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
BFN39H6327	0.2000	询价	11	英飞凌科技	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA				1.5W		SOT-223	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1,615																300伏	200毫安						100nA（ICBO）			国民党	500mV@2mA、20mA	40@10mA，10V	100兆赫兹
IPU50R950CEBKMA1	-	询价	5199	英飞凌科技	CoolMOS™ CE	管子	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IPU50R		MOSFET（金属O化物）			PG-TO251-3	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道		500V	4.3A（温度）	13V	950毫欧@1.2A，13V	3.5V@100μA	10V时为10.5nC	±20V	100V时为231pF	-	34W（温度）
IRF40H233ATMA1	-	询价	2455	英飞凌科技	强IRFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerVDFN	IRF40		MOSFET（金属O化物）	3.8W（Ta）、50W（Tc）		PG-TDSON-8-4	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）			40V	65A（温度）		6.2毫欧@35A，10V	3.9V@50μA	57nC@10V		2200pF@20V	-
IRFH7914TRPBF	0.7300	询价	2076	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	IRFH7914		MOSFET（金属O化物）			8-PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道		30V	15A（Ta）、35A（Tc）	4.5V、10V	8.7毫欧@14A，10V	2.35V@25μA	12nC@4.5V	±20V	1160pF@15V	-	3.1W（塔）
IPI80N04S4-03	1.0700	询价	350	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3-1	下载					EAR99	8542.39.0001	350		N沟道		40V	80A（温度）	10V	3.7毫欧@80A，10V	4V@53μA	66nC@10V	±20V	5260pF@25V	-	94W（温度）
SPB04N60C3	-	询价	2049	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		600伏	4.5A（温度）	10V	950毫欧@2.8A，10V	3.9V@200μA	25nC@10V	±20V	490pF@25V	-	50W（温度）
IRF7338PBF	-	询价	1289	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF733		MOSFET（金属O化物）	2W		8-SO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	95	N 和 P 沟道			12V	6.3A、3A		34mOhm@6A，4.5V	1.5V@250μA	8.6nC@4.5V		640pF@9V	逻辑电平门
IPF04N03LA	-	询价	9074	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPF04N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3-23	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		25V	50A（温度）	4.5V、10V	3.8毫欧@50A，10V	2V@30μA	41nC@5V	±20V	5199pF@15V	-	115W（温度）
IRLR2705TRRPBF	-	询价	6224	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001558392	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		55V	28A（温度）	4V、10V	40毫欧@17A，10V	2V@250μA	25nC@5V	±16V	880pF@25V	-	68W（温度）
IRG4PC40F	-	询价	5124	英飞凌科技	-	包	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IRG4PC40	标准		160W		TO-247AC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRG4PC40F	EAR99	8541.29.0095	25			480V，27A，10欧姆，15V												-	600伏	49一个	200A	1.7V@15V，27A	370μJ（开），1.81mJ（关）	100纳克	26纳秒/240纳秒
IPU64CN10N G	-	询价	3505	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IPU64C		MOSFET（金属O化物）			PG-TO251-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道		100伏	17A（温度）	10V	64毫欧@17A，10V	4V@20μA	9nC@10V	±20V	569pF@50V	-	44W（温度）
IRFH5025TR2PBF	-	询价	3304	英飞凌科技	-	切带 (CT)	过时的		表面贴装	8-PowerVDFN			MOSFET（金属O化物）			8-PQFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		N沟道		250伏	3.8A（塔）		100mOhm@5.7A，10V	5V@150μA	56nC@10V		2150pF@50V	-
IRF1407STRLPBF	2.8600	询价	9	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF1407		MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		75V	100A（温度）	10V	7.8毫欧@78A，10V	4V@250μA	250nC@10V	±20V	5600pF@25V	-	3.8W（Ta）、200W（Tc）
IAUZ20N08S5L300ATMA1	1.1300	询价	7150	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™-5	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	IAUZ20		MOSFET（金属O化物）			PG-TSDSON-8-32	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		80V	20A（温度）	4.5V、10V	30毫欧@10A，10V	2V@8μA	10V时为10.5nC	±20V	599pF@40V	-	30W（温度）
IRFC7314B	-	询价	6793	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-	-	-			-			-	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		-			-		-	-		±12V		-	-
IPB600N25N3GATMA1	3.2000年	询价	7	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB600		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		250伏	25A（温度）	10V	60毫欧@25A，10V	4V@90μA	29nC@10V	±20V	100V时为2350pF	-	136W（温度）
IPA60R520C6	-	询价	7250	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-111	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		600伏	8.1A（温度）	10V	520毫欧@2.8A，10V	3.5V@230μA	10V时为23.4nC	±20V	512pF@100V	-	29W（温度）
BCR562E6327	-	询价	2755	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCR562			330毫W		PG-SOT23-3-3	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																50V	500毫安						100nA（ICBO）			PNP - 预偏置	300毫伏@2.5毫安、50毫安	60@50mA，5V	150兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
IRFS4310PBF	-	询价	3003	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001578288	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		100伏	130A（温度）	10V	7毫欧@75A，10V	4V@250μA	250nC@10V	±20V	7670pF@50V	-	300W（温度）
94-4591PBF	-	询价	6485	英飞凌科技	-	管子	过时的										-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		1					-
BCR 116L3 E6327	-	询价	5614	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	SIC停产		表面贴装	SC-101、SOT-883	BCR 116			250毫W		PG-TSLP-3-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	15,000																50V	100毫安						100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	70@5mA，5V	150兆赫	4.7欧姆	47欧姆
IKB30N65ES5ATMA1	4.2400	询价	9502	英飞凌科技	TrenchStop™ 5	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IKB30N65	标准		188 W		PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000			400V，30A，13欧姆，15V											75纳秒	沟渠场站	650伏	62A	120A	1.7V@15V，30A	560μJ（开），320μJ（关）	70℃	17纳秒/124纳秒
FS05MR12A6MA1BBPSA1	1.0000	询价	7004	英飞凌科技	混合包装™	托盘	的积极	-	安装结构	模块	FS05MR12		碳化硅（SiC）	-		AG-HYBRIDD-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	6				1200V（1.2kV）	200A		-	-	-		-	-
IPB45N04S4L-08	0.4300	询价	3	英飞凌科技	OptiMOS™T2	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		40V	45A（温度）	4.5V、10V	7.9毫欧@45A，10V	2.2V@17μA	30nC@10V	+20V，-16V	2340pF@25V	-	45W（温度）
AUIRFR4620TRL	3.2600	询价	5	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AUIRFR4620		MOSFET（金属O化物）			D-PAK (TO-252AA)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		200V	24A（温度）	10V	78毫欧@15A，10V	5V@100μA	38nC@10V	±20V	1710pF@50V	-	144W（温度）
SPP03N60C3	0.3800	询价	81	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道		600伏	3.2A（温度）	10V	1.4欧姆@2A，10V	3.9V@135μA	17nC@10V	±20V	400pF@25V	-	38W（温度）
IPB65R420CFDATMA1	-	询价	9590	英飞凌科技	CoolMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB65R		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		650伏	8.7A（温度）	10V	420毫欧@3.4A，10V	4.5V@340μA	32nC@10V	±20V	100V时为870pF	-	83.3W（温度）
IPP60R385CP	1.4600	询价	第525章	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道		600伏	9A（温度）		385毫欧@5.2A，10V	3.5V@340μA	22nC@10V	±20V	790 pF @ 100 V	-	83W（温度）
94-2518PBF	-	询价	6904	英飞凌科技	-	管子	过时的	-			94-2518		-	-			-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	-			-	-		-	-	-		-	-
FZ2400R12HE4PB9HPSA1	1.0000	询价	9058	英飞凌科技	IHM-B	托盘	的积极	-40℃～150℃	安装结构	模块	FZ2400				标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3	全桥														沟渠场站	1200伏	2400A		2.1V@15V，2400A				5毫安	不	150nF@25V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²