晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
IRF3708STRRPBF	-	询价	3619	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					30V	62A（温度）	2.8V、10V	12毫欧@15A，10V	2V@250μA	24nC@4.5V	±12V	15V时为2417pF	-	87W（温度）
BG3130E6327HTSA1	-	询价	9934	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	8V		表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BG3130	800兆赫	场效应晶体管			PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		25毫安	14毫安	-	24分贝											1.3分贝					5V
IRF3205ZPBF	1.8500	询价	4674	英飞凌科技	HEXFET®	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRF3205		MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					55V	75A（温度）	10V	6.5毫欧@66A，10V	4V@250μA	110nC@10V	±20V	3450pF@25V	-	170W（温度）
IPA028N08N3GXKSA1	-	询价	7935	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	IPA028		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					80V	89A（TC）	6V、10V	2.8毫欧@89A，10V	3.5V@270μA	206nC@10V	±20V	14200pF@40V	-	42W（温度）
IPA320N20NM3SXKSA1	2.6400	询价	4901	英飞凌科技	OptiMOS™3	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	IPA320		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220全包	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道					200V	26A（温度）	10V	32毫欧@26A，10V	4V@89μA	30nC@10V	±20V	100V时为2300pF	-	38W（温度）
IRFB4410	-	询价	4585	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFB4410	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					100伏	96A（温度）	10V	10毫欧@58A，10V	4V@150μA	180nC@10V	±20V	5150pF@50V	-	250W（温度）
FP10R12W1T7B3BOMA1	43.5000	询价	5105	英飞凌科技	EasyPIM™	托盘	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块	FP10R12			20毫W	东部桥式调整器	AG-EASY1B-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	24	天线塔																	沟渠场站	1200伏	10A	1.6V@15V，10A（典型值）		4.5微安	是的	1.89nF@25V
IPP65R310CFDXKSA2	2.7800	询价	4861	英飞凌科技	CoolMOS™ CFD2	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IPP65R310		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道					650伏	11.4A（温度）	10V	310毫欧@4.4A，10V	4.5V@400μA	41nC@10V	±20V	1100 pF @ 100 V	-	104.2W（温度）
IPB042N03LGATMA1	-	询价	5188	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB042N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					30V	70A（温度）	4.5V、10V	4.2毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	38nC@10V	±20V	15V时为3900pF	-	79W（温度）
IRFU9024N	-	询价	2523	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）			IPAK (TO-251AA)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFU9024N	EAR99	8541.29.0095	75		P沟道					55V	11A（温度）	10V	175毫欧@6.6A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±20V	350pF@25V	-	38W（温度）
IPW60R031CFD7XKSA1	13.2500	询价	第632章	英飞凌科技	CoolMOS™ CFD7	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IPW60R031		MOSFET（金属O化物）			PG-TO247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					650伏	63A（温度）	10V	31毫欧@32.6A，10V	4.5V@1.63mA	141nC@10V	±20V	5623pF@400V	-	278W（温度）
IRF7769L2TRPBF	-	询价	7954	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 L8			MOSFET（金属O化物）			DirectFET™ 等距 L8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道					100伏	375A（温度）	10V	3.5毫欧@74A，10V	4V@250μA	300nC@10V	±20V	11560pF@25V	-	3.3W（Ta）、125W（Tc）
IPI60R385CP	1.0300	询价	78	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					600伏	9A（温度）	10V	385毫欧@5.2A，10V	3.5V@340μA	22nC@10V	±20V	790 pF @ 100 V	-	83W（温度）
IPI65R099C6XKSA1	-	询价	7674	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI65R		MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道					650伏	38A（温度）	10V	99毫欧@12.8A，10V	3.5V@1.2mA	127nC@10V	±20V	2780pF@100V	-	278W（温度）
IPB65R150CFDATMA1	2.4796	询价	6108	英飞凌科技	CoolMOS™	卷带式 (TR)	最后一次购买		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB65R150		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					650伏	22.4A（温度）	10V	150mOhm@9.3A，10V	4.5V@900μA	86nC@10V	±20V	100V时为2340pF	-	195.3W（温度）
IRFZ44ZS	-	询价	7856	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFZ44ZS	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					55V	51A（温度）	10V	13.9毫欧@31A，10V	4V@250μA	43nC@10V	±20V	1420pF@25V	-	80W（温度）
BCR141TE6327	0.0200	询价	21	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCR141			250毫W		PG-SOT23-3-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	15,000																			50V	100毫安			100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	50@5mA，5V	130兆赫	22欧姆	22欧姆
IRF6716MTR1PBF	-	询价	7290	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 MX			MOSFET（金属O化物）			DIRECTFET™ MX	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					25V	39A（Ta）、180A（Tc）	4.5V、10V	1.6毫欧@40A，10V	2.4V@100μA	59nC@4.5V	±20V	5150pF@13V	-	3.6W（Ta）、78W（Tc）
IPP147N03L G	-	询价	1026	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP147N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道					30V	20A（温度）	4.5V、10V	14.7毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	10nC@10V	±20V	1000pF@15V	-	31W（温度）
IAUA250N04S6N008AUMA1	3.3100	询价	1	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™ 6	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	5-PowerSFN	IAUA250		MOSFET（金属O化物）			PG-HSOF-5-1	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道					40V	51A（塔）	7V、10V	0.8毫欧@100A，10V	3V@90μA	109nC@10V	±20V	7088pF@25V	-	172W（温度）
F475R12KS4BPSA1	194.0000	询价	1500	英飞凌科技	-	托盘	的积极		-40°C ~ 125°C（太焦）	安装结构	模块	F475R12			500W	标准	AG-ECONO2B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	全桥景观器																	-	1200伏	100A	3.75V@15V，75A		5毫安	是的	5.1nF@25V
BSC0906NSE8189ATMA1	-	询价	7728	英飞凌科技	OptiMOS™	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-34	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					30V	18A（Ta）、63A（Tc）	4.5V、10V	4.5毫欧@30A，10V	2V@250μA	18nC@10V	±20V	1200pF@15V	-	2.5W（Ta）、30W（Tc）
IPB05N03LA	-	询价	4246	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB05N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					25V	80A（温度）	4.5V、10V	4.6毫欧@55A，10V	2V@50μA	25nC@5V	±20V	15V时为3110pF	-	94W（温度）
IRL8113STRRPBF	-	询价	4802	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					30V	105A（温度）	4.5V、10V	6毫欧@21A，10V	2.25V@250μA	35nC@4.5V	±20V	15V时为2840pF	-	110W（温度）
IPB45N06S4L08ATMA1	-	询价	7933	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	SIC停产		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB45N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					60V	45A（温度）	4.5V、10V	7.9毫欧@45A，10V	2.2V@35μA	64nC@10V	±16V	4780pF@25V	-	71W（温度）
IPAW60R600P7SXKSA1	1.2200	询价	1	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	管子	不适合新设计		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	IPAW60		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	45		N沟道					600伏	6A（温度）	10V	600毫欧@1.7A，10V	4V@80μA	9nC@10V	±20V	363 pF @ 400 V	-	21W（温度）
IPS70R950CEAKMA1	-	询价	3021	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	IPS70R950		MOSFET（金属O化物）			PG-TO251-3-11	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道					700伏	7.4A（温度）	10V	950毫欧@1.5A，10V	3.5V@150μA	10V时为15.3nC	±20V	100V时为328pF	-	68W（温度）
BC847CWH6327	1.0000	询价	8620	英飞凌科技	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323				250毫W		PG-SOT323-3-1	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000																			45V	100毫安			15nA（ICBO）			NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	420@2mA，5V	250兆赫
BCR108WH6433	0.0500	询价	40	英飞凌科技	-	大部分	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	BCR108			250毫W		PG-SOT323-3-1	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	7,123																			50V	100毫安			100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	70@5mA，5V	170兆赫	2.2欧姆	47欧姆
SPP80N04S2-04	-	询价	4305	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	SPP80N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道					40V	80A（温度）	10V	3.7毫欧@80A，10V	4V@250μA	170nC@10V	±20V	6980pF@25V	-	300W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²