晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
BSC8899N03MS	0.2700	询价	4	英飞凌科技	OptiMOS®3	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN		MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-6	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1		N沟道	30V	13A（Ta）、45A（Tc）	4.5V、10V	9毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	16nC@10V	±20V	1300pF@15V	-	2.5W（Ta）、28W（Tc）
IRFZ46ZPBF	-	询价	5188	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	55V	51A（温度）	10V	13.6毫欧@31A，10V	4V@250μA	46nC@10V	±20V	1460pF@25V	-	82W（温度）
BUZ73AE3046	0.4200	询价	9834	英飞凌科技	SIPMOS®	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	200V	5.5A（温度）	10V	600毫欧@4.5A，10V	4V@1mA		±20V	530pF@25V	-	40W（温度）
IPP147N03L G	-	询价	1026	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP147N	MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	30V	20A（温度）	4.5V、10V	14.7毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	10nC@10V	±20V	1000pF@15V	-	31W（温度）
IRFZ44ZS	-	询价	7856	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFZ44ZS	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	55V	51A（温度）	10V	13.9毫欧@31A，10V	4V@250μA	43nC@10V	±20V	1420pF@25V	-	80W（温度）
IPI65R099C6XKSA1	-	询价	7674	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI65R	MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	650伏	38A（温度）	10V	99毫欧@12.8A，10V	3.5V@1.2mA	127nC@10V	±20V	2780pF@100V	-	278W（温度）
BSM15GD120DN2E3224BDLA1	-	询价	8226	英飞凌科技	-	托盘	最后一次购买	150°C（太焦）	安装结构	模块	BSM15G		145W	标准	模块	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	全桥												-	1200伏	25A	3V@15V，15A	500微安	不	1nF@25V
BCR141TE6327	0.0200	询价	21	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCR141		250毫W		PG-SOT23-3-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	15,000														50V	100毫安		100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	50@5mA，5V	130兆赫	22欧姆	22欧姆
IRF6716MTR1PBF	-	询价	7290	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 MX		MOSFET（金属O化物）			DIRECTFET™ MX	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	25V	39A（Ta）、180A（Tc）	4.5V、10V	1.6毫欧@40A，10V	2.4V@100μA	59nC@4.5V	±20V	5150pF@13V	-	3.6W（Ta）、78W（Tc）
IPB65R150CFDATMA1	2.4796	询价	6108	英飞凌科技	CoolMOS™	卷带式 (TR)	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB65R150	MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	650伏	22.4A（温度）	10V	150mOhm@9.3A，10V	4.5V@900μA	86nC@10V	±20V	100V时为2340pF	-	195.3W（温度）
IPP65R310CFDXKSA2	2.7800	询价	4861	英飞凌科技	CoolMOS™ CFD2	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IPP65R310	MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	650伏	11.4A（温度）	10V	310毫欧@4.4A，10V	4.5V@400μA	41nC@10V	±20V	1100 pF @ 100 V	-	104.2W（温度）
IRF7342QTRPBF	-	询价	1025	英飞凌科技	-	切带 (CT)	过时的		表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF734	MOSFET（金属O化物）	2W		8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	2 个 P 沟道（双）		55V	3.4A		105mOhm@3.4A，10V	1V@250μA	38nC@10V		690pF@25V	逻辑电平门
BSZ123N08NS3GATMA1	1.5800	询价	7984	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	BSZ123	MOSFET（金属O化物）			PG-TSDSON-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	80V	10A（Ta）、40A（Tc）	6V、10V	12.3毫欧@20A，10V	3.5V@33μA	25nC@10V	±20V	1700 pF @ 40 V	-	2.1W（Ta）、66W（Tc）
IRF9395MTRPBF	-	询价	4892	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 MC	IRF9395	MOSFET（金属O化物）	2.1W		DIRECTFET™ MC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001566526	EAR99	8541.29.0095	4,800	2 个 P 沟道（双）		30V	14A		7毫欧@14A，10V	2.4V@50μA	64nC@10V		3241pF@15V	逻辑电平门
IPB180N03S4LH0ATMA1	-	询价	3335	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）	IPB180	MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-7-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	30V	180A（温度）	4.5V、10V	0.95毫欧@100A，10V	2.2V@200μA	300nC@10V	±16V	23000pF@25V	-	250W（温度）
IRF3704ZCLPBF	-	询价	7489	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		MOSFET（金属O化物）			TO-262	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	20V	67A（温度）	4.5V、10V	7.9毫欧@21A，10V	2.55V@250μA	13nC@4.5V	±20V	1220pF@10V	-	57W（温度）
IPI032N06N3GE8214AKSA1	-	询价	6516	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI032N	MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3-1	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	60V	120A（温度）	10V	3.2毫欧@100A，10V	4V@118μA	165nC@10V	±20V	13000pF@30V	-	188W（温度）
IRF5305PBF	1.7200	询价	44	英飞凌科技	HEXFET®	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRF5305	MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		P沟道	55V	31A（温度）	10V	60毫欧@16A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	1200pF@25V	-	110W（温度）
IRL2910STRRPBF	2.6968	询价	2390	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	不适合新设计		表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRL2910	MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	100V	55A（温度）		26毫欧@29A，10V	2V@250μA	140nC@5V		3700pF@25V	-
BC818K40E6327HTSA1	0.0493	询价	7129	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC818		500毫W		PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000														25V	500毫安		100nA（ICBO）			NPN	700毫伏@50毫安，500毫安	250@100mA，1V	170兆赫
BCW67BE6327HTSA1	0.0662	询价	7930	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCW67		330毫W		PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000														32V	800毫安		20nA（ICBO）			国民党	700毫伏@50毫安，500毫安	160@100mA，1V	200兆赫
IPC60R380E6X7SA1	-	询价	8232	英飞凌科技	-	大部分	过时的				工控机60R					-		1（无限制）	REACH 不出行	SP001418066	过时的	0000.00.0000	1				-
IRLR8113PBF	-	询价	7931	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001576962	EAR99	8541.29.0095	75		N沟道	30V	94A（温度）	4.5V、10V	6毫欧@15A，10V	2.25V@250μA	32nC@4.5V	±20V	2920pF@15V	-	89W（温度）
IPU09N03LB G	-	询价	7354	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IPU09N	MOSFET（金属O化物）			PG-TO251-3-21	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道	30V	50A（温度）	4.5V、10V	9.3毫欧@50A，10V	2V@20μA	13nC@5V	±20V	1600pF@15V	-	58W（温度）
AUIRFS4010-7TRL	4.4141	询价	4085	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）		MOSFET（金属O化物）			D2PAK（7导联）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001518838	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	100V	190A（温度）		4毫欧@110A，10V	4V@250μA	230nC@10V		9830pF@50V	-	380W（温度）
IPB47N10SL26ATMA1	-	询价	2155	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB47N	MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	100V	47A（温度）	4.5V、10V	26毫欧@33A，10V	2V@2mA	135nC@10V	±20V	2500pF@25V	-	175W（温度）
IPA50R380CE	-	询价	4249	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	IPA50R	MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-FP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	500V	9.9A（温度）	13V	380毫欧@3.2A，13V	3.5V@260μA	10V时为24.8nC	±20V	584pF@100V	-	29.2W（温度）
IRFH7934TR2PBF	-	询价	2412	英飞凌科技	-	切带 (CT)	过时的		表面贴装	8-PowerTDFN		MOSFET（金属O化物）			8-PQFN (5x6)	下载		2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		N沟道	30V	24A（Ta）、76A（Tc）		3.5毫欧@24A，10V	2.35V@50μA	30nC@4.5V		15V时为3100pF	-
IRFS4620TRLPBF	2.4900	询价	32	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRFS4620	MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	200V	24A（温度）	10V	77.5毫欧@15A，10V	5V@100μA	38nC@10V	±20V	1710pF@50V	-	144W（温度）
IPB260N06N3G	-	询价	9984	英飞凌科技	OptiMOS™3	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	60V	27A（温度）	10V	25.7毫欧@27A，10V	4V@11μA	15nC@10V	±20V	1200pF@30V	-	36W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²