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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IGW40N60TPXKSA1	3.2500	RFQ	480	Infineon技术	Trenchstop™	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IGW40N60	标准		246 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，40a，10.1Ohm，15V												沟渠场停止	600 v	67 a	120 a	1.8V @ 15V，40a	1.06mj（在）（610µJ）上）	177 NC	18NS/222NS
AUXCLF1404STRL	-	RFQ	7266	Infineon技术	*	管子	积极的				AUXCLF1404						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001518930	Ear99	8541.29.0095	50
IPI50R399CPXKSA2	-	RFQ	5521	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI50R399		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		500 v	9A（TC）	10V	399MOHM @ 4.9A，10V	3.5V @ 330µA	23 NC @ 10 V	±20V	890 pf @ 100 V	-	83W（TC）
SPP100N03S2L03	-	RFQ	3739	Infineon技术	Optimos™	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP100N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		30 V	100A（TC）	10V	3mohm @ 80a，10v	2V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	8180 pf @ 25 V	-	300W（TC）
BUZ31L E3044A	-	RFQ	7256	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		200 v	13.5A（TC）	5V	200mohm @ 7a，5v	2V @ 1mA		±20V	1600 pf @ 25 V	-	95W（TC）
BSS225	-	RFQ	7489	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT89	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	90mA（ta）	4.5V，10V	45ohm @ 90mA，10v	2.3V @ 94µA	5.8 NC @ 10 V	±20V	131 PF @ 25 V	-	1W（ta）
BSS84PL6327HTSA1	-	RFQ	8052	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		60 V	170mA（TA）	4.5V，10V	8ohm @ 170mA，10v	2V @ 20µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	19 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
BTS110E3045ANTMA1	-	RFQ	1830年	Infineon技术	tempfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		100 v	10A（TC）		200mohm @ 5A，10V	3.5V @ 1mA			600 pf @ 25 V	-	-
IPI60R199CPXKSA1	2.8798	RFQ	7604	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI60R199		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		600 v	16A（TC）	10V	199mohm @ 9.9a，10V	3.5V @ 660µA	43 NC @ 10 V	±20V	1520 PF @ 100 V	-	139W（TC）
IPI80N06S3L06XK	-	RFQ	8167	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI80N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		55 v	80A（TC）	5V，10V	5.9MOHM @ 56A，10V	2.2V @ 80µA	196 NC @ 10 V	±16V	9417 PF @ 25 V	-	136W（TC）
IPP048N06L g	-	RFQ	1360	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP048N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	100A（TC）	4.5V，10V	4.7MOHM @ 100A，10V	2V @ 270µA	225 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 30 V	-	300W（TC）
IPP80CN10NGHKSA1	-	RFQ	5479	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP80C		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		100 v	13A（TC）	10V	80Mohm @ 13A，10V	4V @ 12µA	11 NC @ 10 V	±20V	716 PF @ 50 V	-	31W（TC）
IPW60R125CPFKSA1	5.4657	RFQ	1478	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW60R125		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道		600 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 16a，10v	3.5V @ 1.1mA	70 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SPI16N50C3HKSA1	-	RFQ	5671	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI16N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		560 v	16A（TC）	10V	280mohm @ 10a，10v	3.9V @ 675µA	66 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	160W（TC）
SPB100N04S2L-03	-	RFQ	6802	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SPB100N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		40 V	100A（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 80a，10v	2V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	8000 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IRGS4065pbf	-	RFQ	6670	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		标准		178 w		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			180v，25a，10ohm												沟	300 v	70 a		2.1V @ 15V，70a	-	62 NC	30NS/170NS
IRFH5010TRPBF	-	RFQ	3710	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH5010		MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		100 v	（13A）（100A）（100a tc）	10V	9mohm @ 50a，10v	4V @ 150µA	98 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 25 V	-	3.6W（TA），250W（TC）
IRFR540ZTRRPBF	-	RFQ	1043	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001557092	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		100 v	35A（TC）	10V	28.5mohm @ 21a，10v	4V @ 50µA	59 NC @ 10 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	91W（TC）
IRFS52N15DTRRP	-	RFQ	8720	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRFS52		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		150 v	51A（TC）	10V	32mohm @ 36a，10v	5V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±30V	2770 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），230W（TC）
irfr3911trlpbf	-	RFQ	3802	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		100 v	14A（TC）	10V	115MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 25 V	-	56W（TC）
IRFR3707TRLPBF	-	RFQ	3196	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001573356	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	61A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V	1990 pf @ 15 V	-	87W（TC）
IRFML8244TRPBF	0.4400	RFQ	65	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	IRFML8244		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		25 v	5.8A（ta）	4.5V，10V	24mohm @ 5.8A，10V	2.35V @ 10µA	5.4 NC @ 10 V	±20V	430 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
92-0065	-	RFQ	7957	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRG4BC	标准		160 w		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50															-	600 v	60 a		1.5V @ 15V，31a
IRG4BC20K-S	-	RFQ	2205	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		标准		60 W		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC20K-S	Ear99	8541.29.0095	50			480V，9a，50ohm，15V												-	600 v	16 a	32 a	2.8V @ 15V，9a	（150µJ）（在），250µJ（250µJ）中	34 NC	28NS/150NS
IRG4BC30FD-S	-	RFQ	5962	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		标准		100 W		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC30FD-S	Ear99	8541.29.0095	50			480V，17a，23ohm，15V											42 ns	-	600 v	31 a	120 a	1.8V @ 15V，17a	630µJ（在）上，1.39mj off）	51 NC	42NS/230NS
IRG4PC20U	-	RFQ	8321	Infineon技术	-	包	过时的	-	通过洞	TO-247-3	IRG4PC20	标准		60 W		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4PC20U	Ear99	8541.29.0095	25			480V，6.5a，50ohm，15V												-	600 v	13 a	52 a	2.1V @ 15V，6.5a	（100µJ）（在120µJ）上（120µJ）	27 NC	21NS/86NS
BUP213	-	RFQ	8909	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	bup2	标准		200 w		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	bup213in	Ear99	8541.29.0095	50			600V，15a，82ohm，15V												-	1200 v	32 a	64 a	3.2V @ 15V，15a	-		70NS/400NS
IRGP4269D-EPBF	-	RFQ	7197	Infineon技术	-	管子	过时的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001542378	Ear99	8541.29.0095	240
FP40R12KT3GBOSA1	167.2100	RFQ	9	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FP40R12			210 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器														-	1200 v	55 a		2.3V @ 15V，401a				5 ma	是的	2.5 nf @ 25 V
IRF5800	-	RFQ	8079	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）			Micro6™tsop-6）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		P通道		30 V	4A（ta）	4.5V，10V	85MOHM @ 4A，10V	1V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	535 pf @ 25 V	-	2W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²