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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 噪音图 | 电压 -测试 |
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![]() | PTFA092201FV4XWSA1 | - | ![]() | 7866 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 表面安装 | 2-flatpack,鳍铅,法兰 | PTFA092201 | 960MHz | ldmos | H-37260-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | 10µA | 1.85 a | 220W | 18.5db | - | 30 V | |||||||||||||||
![]() | PTFA142401ELV4XWSA1 | - | ![]() | 2373 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | H-33288-2 | 1.5GHz | ldmos | H-33288-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | 10µA | 2 a | 240W | 16.5db | - | 30 V | ||||||||||||||||
![]() | PTFA180701FV4FWSA1 | - | ![]() | 6557 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 表面安装 | 2-flatpack,鳍铅,法兰 | PTFA180701 | 1.84GHz | ldmos | H-37265-2 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 80 | 10µA | 550 MA | 60W | 16.5db | - | 28 V | |||||||||||||||
![]() | PTFA180701FV4R250XTMA1 | - | ![]() | 6580 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 表面安装 | 2-flatpack,鳍铅,法兰 | PTFA180701 | 1.84GHz | ldmos | H-37265-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 10µA | 550 MA | 60W | 16.5db | - | 28 V | |||||||||||||||
![]() | PTFA181001EV4XWSA1 | - | ![]() | 3051 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 65 v | 表面安装 | 2-flatpack,鳍线 | PTFA181001 | 1.88GHz | ldmos | H-36248-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 1µA | 750 MA | 100W | 16.5db | - | 28 V | |||||||||||||||
![]() | PTFA181001FV4XWSA1 | - | ![]() | 3776 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 65 v | 表面安装 | 2-flatpack,鳍铅,法兰 | PTFA181001 | 1.88GHz | ldmos | H-37248-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 1µA | 750 MA | 100W | 16.5db | - | 28 V | |||||||||||||||
![]() | PTFA181001FV4R250FTMA1 | - | ![]() | 6260 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 表面安装 | 2-flatpack,鳍铅,法兰 | PTFA181001 | 1.88GHz | ldmos | H-37248-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 1µA | 750 MA | 100W | 16.5db | - | 28 V | |||||||||||||||
![]() | PTFA190451EV4XWSA1 | - | ![]() | 7446 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 65 v | 表面安装 | H-36265-2 | PTFA190451 | 1.96GHz | ldmos | H-36265-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 10µA | 450 MA | 11W | 17.5db | - | 28 V | |||||||||||||||
![]() | PTFA192001EV4R250XTMA1 | - | ![]() | 3993 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | H-36260-2 | PTFA192001 | 1.99GHz | ldmos | H-36260-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 10µA | 1.8 a | 50W | 15.9db | - | 30 V | |||||||||||||||
![]() | PTFA210601EV4XWSA1 | - | ![]() | 1288 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 65 v | 表面安装 | H-36265-2 | PTFA210601 | 2.14GHz | ldmos | H-36265-2 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 10µA | 550 MA | 12W | 16dB | - | 28 V | |||||||||||||||
![]() | PTFA211801E V4 | - | ![]() | 2716 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | H-36260-2 | PTFA211801 | 2.14GHz | ldmos | H-36260-2 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 35 | 10µA | 1.2 a | 35W | 15.5db | - | 28 V | |||||||||||||||
![]() | PTFA211801F V4 | - | ![]() | 8246 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 65 v | 表面安装 | 2-flatpack,鳍铅,法兰 | PTFA211801 | 2.14GHz | ldmos | H-37260-2 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | 10µA | 1.2 a | 35W | 15.5db | - | 28 V | |||||||||||||||
![]() | PTFA212001FV4XWSA1 | - | ![]() | 4527 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 表面安装 | 2-flatpack,鳍铅,法兰 | PTFA212001 | 2.14GHz | ldmos | H-37260-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | 10µA | 1.6 a | 50W | 15.8db | - | 30 V | |||||||||||||||
![]() | PTFA212401E V4 | - | ![]() | 7757 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | H-36260-2 | PTFA212401 | 2.14GHz | ldmos | H-36260-2 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 35 | 10µA | 1.6 a | 50W | 15.8db | - | 30 V | |||||||||||||||
![]() | PTFA212401F V4 | - | ![]() | 8287 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 65 v | 表面安装 | 2-flatpack,鳍铅,法兰 | PTFA212401 | 2.14GHz | ldmos | H-37260-2 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | 10µA | 1.6 a | 50W | 15.8db | - | 30 V | |||||||||||||||
![]() | PTFA260851F V1 | - | ![]() | 6193 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 65 v | 表面安装 | 2-flatpack,鳍线 | PTFA260851 | 2.68GHz | ldmos | H-31248-2 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 10µA | 900 MA | 85W | 14dB | - | 28 V | |||||||||||||||
![]() | IPD78CN10NGBUMA1 | - | ![]() | 2199 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IPD78C | MOSFET (金属 o化物) | pg-to252-3 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 100 v | 13A(TC) | 10V | 78mohm @ 13a,10v | 4V @ 12µA | 11 NC @ 10 V | ±20V | 716 PF @ 50 V | - | 31W(TC) | |||||||||||
![]() | IPD80N04S306ATMA1 | 0.9041 | ![]() | 1307 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IPD80N04 | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO252-3-11 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 40 V | 90A(TC) | 10V | 5.2MOHM @ 80A,10V | 4V @ 52µA | 47 NC @ 10 V | ±20V | 3250 pf @ 25 V | - | 100W(TC) | ||||||||||
![]() | IPD80P03P4L07ATMA1 | 1.8200 | ![]() | 3993 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IPD80P03 | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO252-3-11 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 80A(TC) | 4.5V,10V | 6.8mohm @ 80a,10v | 2V @ 130µA | 80 NC @ 10 V | +5V,-16V | 5700 PF @ 25 V | - | 88W(TC) | ||||||||||
IPI040N06N3GHKSA1 | - | ![]() | 8536 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI04N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 60 V | 90A(TC) | 10V | 4MOHM @ 90A,10V | 4V @ 90µA | 98 NC @ 10 V | ±20V | 11000 PF @ 30 V | - | 188W(TC) | ||||||||||||
IPI045N10N3GXKSA1 | 4.0900 | ![]() | 1062 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI045 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 100A(TC) | 6V,10V | 4.5MOHM @ 100A,10V | 3.5V @ 150µA | 117 NC @ 10 V | ±20V | 8410 PF @ 50 V | - | 214W(TC) | |||||||||||
IPI057N08N3 g | - | ![]() | 4380 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI057N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 80 V | 80A(TC) | 6V,10V | 5.7MOHM @ 80A,10V | 3.5V @ 90µA | 69 NC @ 10 V | ±20V | 4750 PF @ 40 V | - | 150W(TC) | ||||||||||||
IPI05CN10N g | - | ![]() | 7900 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI05C | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 100 v | 100A(TC) | 10V | 5.4MOHM @ 100A,10V | 4V @ 250µA | 181 NC @ 10 V | ±20V | 12000 PF @ 50 V | - | 300W(TC) | ||||||||||||
IPI072N10N3GXKSA1 | - | ![]() | 5070 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 在sic中停产 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI072 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 100 v | 80A(TC) | 6V,10V | 7.2MOHM @ 80A,10V | 3.5V @ 90µA | 68 NC @ 10 V | ±20V | 4910 PF @ 50 V | - | 150W(TC) | |||||||||||
IPI075N15N3GHKSA1 | - | ![]() | 7054 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI075N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 150 v | 100A(TC) | 8V,10V | 7.5MOHM @ 100A,10V | 4V @ 270µA | 93 NC @ 10 V | ±20V | 5470 pf @ 75 V | - | 300W(TC) | ||||||||||||
IPI086N10N3GXKSA1 | 1.6500 | ![]() | 4996 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI086 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 80A(TC) | 6V,10V | 8.6mohm @ 73a,10v | 3.5V @ 75µA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 3980 pf @ 50 V | - | 125W(TC) | |||||||||||
IPI08CN10N g | - | ![]() | 2169 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI08C | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 100 v | 95A(TC) | 10V | 8.5MOHM @ 95A,10V | 4V @ 130µA | 100 nc @ 10 V | ±20V | 6660 pf @ 50 V | - | 167W(TC) | ||||||||||||
IPI100N04S303AKSA1 | - | ![]() | 1564年 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI100N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 40 V | 100A(TC) | 10V | 2.8mohm @ 80a,10v | 4V @ 150µA | 145 NC @ 10 V | ±20V | 9600 PF @ 25 V | - | 214W(TC) | ||||||||||||
IPI100P03P3L-04 | - | ![]() | 4039 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | ipi100p | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000311117 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | P通道 | 30 V | 100A(TC) | 4.5V,10V | 4.3mohm @ 80a,10v | 2.1V @ 475µA | 200 NC @ 10 V | +5V,-16V | 9300 PF @ 25 V | - | 200W(TC) | |||||||||||
IPI120N04S302AKSA1 | 3.8602 | ![]() | 5813 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI120 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 40 V | 120A(TC) | 10V | 2.3MOHM @ 80A,10V | 4V @ 230µA | 210 NC @ 10 V | ±20V | 14300 PF @ 25 V | - | 300W(TC) |
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