SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -测试
PTFA092201FV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA092201FV4XWSA1 -
RFQ
ECAD 7866 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 2-flatpack,鳍铅,法兰 PTFA092201 960MHz ldmos H-37260-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 40 10µA 1.85 a 220W 18.5db - 30 V
PTFA142401ELV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA142401ELV4XWSA1 -
RFQ
ECAD 2373 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 65 v 底盘安装 H-33288-2 1.5GHz ldmos H-33288-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 40 10µA 2 a 240W 16.5db - 30 V
PTFA180701FV4FWSA1 Infineon Technologies PTFA180701FV4FWSA1 -
RFQ
ECAD 6557 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 2-flatpack,鳍铅,法兰 PTFA180701 1.84GHz ldmos H-37265-2 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 80 10µA 550 MA 60W 16.5db - 28 V
PTFA180701FV4R250XTMA1 Infineon Technologies PTFA180701FV4R250XTMA1 -
RFQ
ECAD 6580 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 2-flatpack,鳍铅,法兰 PTFA180701 1.84GHz ldmos H-37265-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 250 10µA 550 MA 60W 16.5db - 28 V
PTFA181001EV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA181001EV4XWSA1 -
RFQ
ECAD 3051 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 65 v 表面安装 2-flatpack,鳍线 PTFA181001 1.88GHz ldmos H-36248-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 1µA 750 MA 100W 16.5db - 28 V
PTFA181001FV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA181001FV4XWSA1 -
RFQ
ECAD 3776 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 65 v 表面安装 2-flatpack,鳍铅,法兰 PTFA181001 1.88GHz ldmos H-37248-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 1µA 750 MA 100W 16.5db - 28 V
PTFA181001FV4R250FTMA1 Infineon Technologies PTFA181001FV4R250FTMA1 -
RFQ
ECAD 6260 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 2-flatpack,鳍铅,法兰 PTFA181001 1.88GHz ldmos H-37248-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 250 1µA 750 MA 100W 16.5db - 28 V
PTFA190451EV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA190451EV4XWSA1 -
RFQ
ECAD 7446 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 65 v 表面安装 H-36265-2 PTFA190451 1.96GHz ldmos H-36265-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 10µA 450 MA 11W 17.5db - 28 V
PTFA192001EV4R250XTMA1 Infineon Technologies PTFA192001EV4R250XTMA1 -
RFQ
ECAD 3993 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 H-36260-2 PTFA192001 1.99GHz ldmos H-36260-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 250 10µA 1.8 a 50W 15.9db - 30 V
PTFA210601EV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA210601EV4XWSA1 -
RFQ
ECAD 1288 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 65 v 表面安装 H-36265-2 PTFA210601 2.14GHz ldmos H-36265-2 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 10µA 550 MA 12W 16dB - 28 V
PTFA211801E V4 Infineon Technologies PTFA211801E V4 -
RFQ
ECAD 2716 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 65 v 底盘安装 H-36260-2 PTFA211801 2.14GHz ldmos H-36260-2 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 35 10µA 1.2 a 35W 15.5db - 28 V
PTFA211801F V4 Infineon Technologies PTFA211801F V4 -
RFQ
ECAD 8246 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 65 v 表面安装 2-flatpack,鳍铅,法兰 PTFA211801 2.14GHz ldmos H-37260-2 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 40 10µA 1.2 a 35W 15.5db - 28 V
PTFA212001FV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA212001FV4XWSA1 -
RFQ
ECAD 4527 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 2-flatpack,鳍铅,法兰 PTFA212001 2.14GHz ldmos H-37260-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 40 10µA 1.6 a 50W 15.8db - 30 V
PTFA212401E V4 Infineon Technologies PTFA212401E V4 -
RFQ
ECAD 7757 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 65 v 底盘安装 H-36260-2 PTFA212401 2.14GHz ldmos H-36260-2 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 35 10µA 1.6 a 50W 15.8db - 30 V
PTFA212401F V4 Infineon Technologies PTFA212401F V4 -
RFQ
ECAD 8287 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 65 v 表面安装 2-flatpack,鳍铅,法兰 PTFA212401 2.14GHz ldmos H-37260-2 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 40 10µA 1.6 a 50W 15.8db - 30 V
PTFA260851F V1 Infineon Technologies PTFA260851F V1 -
RFQ
ECAD 6193 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 65 v 表面安装 2-flatpack,鳍线 PTFA260851 2.68GHz ldmos H-31248-2 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 10µA 900 MA 85W 14dB - 28 V
IPD78CN10NGBUMA1 Infineon Technologies IPD78CN10NGBUMA1 -
RFQ
ECAD 2199 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD78C MOSFET (金属 o化物) pg-to252-3 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 13A(TC) 10V 78mohm @ 13a,10v 4V @ 12µA 11 NC @ 10 V ±20V 716 PF @ 50 V - 31W(TC)
IPD80N04S306ATMA1 Infineon Technologies IPD80N04S306ATMA1 0.9041
RFQ
ECAD 1307 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD80N04 MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-11 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 90A(TC) 10V 5.2MOHM @ 80A,10V 4V @ 52µA 47 NC @ 10 V ±20V 3250 pf @ 25 V - 100W(TC)
IPD80P03P4L07ATMA1 Infineon Technologies IPD80P03P4L07ATMA1 1.8200
RFQ
ECAD 3993 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD80P03 MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-11 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 80A(TC) 4.5V,10V 6.8mohm @ 80a,10v 2V @ 130µA 80 NC @ 10 V +5V,-16V 5700 PF @ 25 V - 88W(TC)
IPI040N06N3GHKSA1 Infineon Technologies IPI040N06N3GHKSA1 -
RFQ
ECAD 8536 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI04N MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 60 V 90A(TC) 10V 4MOHM @ 90A,10V 4V @ 90µA 98 NC @ 10 V ±20V 11000 PF @ 30 V - 188W(TC)
IPI045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPI045N10N3GXKSA1 4.0900
RFQ
ECAD 1062 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI045 MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 100A(TC) 6V,10V 4.5MOHM @ 100A,10V 3.5V @ 150µA 117 NC @ 10 V ±20V 8410 PF @ 50 V - 214W(TC)
IPI057N08N3 G Infineon Technologies IPI057N08N3 g -
RFQ
ECAD 4380 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI057N MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 80 V 80A(TC) 6V,10V 5.7MOHM @ 80A,10V 3.5V @ 90µA 69 NC @ 10 V ±20V 4750 PF @ 40 V - 150W(TC)
IPI05CN10N G Infineon Technologies IPI05CN10N g -
RFQ
ECAD 7900 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI05C MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 100 v 100A(TC) 10V 5.4MOHM @ 100A,10V 4V @ 250µA 181 NC @ 10 V ±20V 12000 PF @ 50 V - 300W(TC)
IPI072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPI072N10N3GXKSA1 -
RFQ
ECAD 5070 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI072 MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 100 v 80A(TC) 6V,10V 7.2MOHM @ 80A,10V 3.5V @ 90µA 68 NC @ 10 V ±20V 4910 PF @ 50 V - 150W(TC)
IPI075N15N3GHKSA1 Infineon Technologies IPI075N15N3GHKSA1 -
RFQ
ECAD 7054 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI075N MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 150 v 100A(TC) 8V,10V 7.5MOHM @ 100A,10V 4V @ 270µA 93 NC @ 10 V ±20V 5470 pf @ 75 V - 300W(TC)
IPI086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPI086N10N3GXKSA1 1.6500
RFQ
ECAD 4996 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI086 MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 80A(TC) 6V,10V 8.6mohm @ 73a,10v 3.5V @ 75µA 55 NC @ 10 V ±20V 3980 pf @ 50 V - 125W(TC)
IPI08CN10N G Infineon Technologies IPI08CN10N g -
RFQ
ECAD 2169 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI08C MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 100 v 95A(TC) 10V 8.5MOHM @ 95A,10V 4V @ 130µA 100 nc @ 10 V ±20V 6660 pf @ 50 V - 167W(TC)
IPI100N04S303AKSA1 Infineon Technologies IPI100N04S303AKSA1 -
RFQ
ECAD 1564年 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI100N MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 40 V 100A(TC) 10V 2.8mohm @ 80a,10v 4V @ 150µA 145 NC @ 10 V ±20V 9600 PF @ 25 V - 214W(TC)
IPI100P03P3L-04 Infineon Technologies IPI100P03P3L-04 -
RFQ
ECAD 4039 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA ipi100p MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP000311117 Ear99 8541.29.0095 500 P通道 30 V 100A(TC) 4.5V,10V 4.3mohm @ 80a,10v 2.1V @ 475µA 200 NC @ 10 V +5V,-16V 9300 PF @ 25 V - 200W(TC)
IPI120N04S302AKSA1 Infineon Technologies IPI120N04S302AKSA1 3.8602
RFQ
ECAD 5813 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 不适合新设计 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI120 MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 40 V 120A(TC) 10V 2.3MOHM @ 80A,10V 4V @ 230µA 210 NC @ 10 V ±20V 14300 PF @ 25 V - 300W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库