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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IPA60R230P6XKSA1	2.9300	RFQ	109	Infineon技术	Coolmos™P6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R230			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	16.8A（TC）	10V	230mohm @ 6.4a，10v	4.5V @ 530µA	31 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 100 V	-	33W（TC）
BSP315P-E6327	-	RFQ	2951	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道						60 V	1.17A（TA）	4.5V，10V	800MOHM @ 1.17A，10V	2V @ 160µA	7.8 NC @ 10 V	±20V	160 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
PTFA082201EV4R250XTMA1	-	RFQ	1598年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	H-36260-2	PTFA082201		894MHz	ldmos			H-36260-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250			10µA		1.95 a	220W	18db											-										30 V
BC847CE6327HTSA1	0.3200	RFQ	49	Infineon技术	SOT-23	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847				200兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					45 v	100 ma							100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
IRF5803D2	-	RFQ	5941	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95		P通道						40 V	3.4a（ta）	4.5V，10V	112MOHM @ 3.4A，10V	3V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA）
BSM100GB120DN2HOSA1	185.3680	RFQ	9504	Infineon技术	-	托盘	上次购买		150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM100				800 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																			-	1200 v	150 a		3V @ 15V，100a					2 ma	不	6.5 nf @ 25 V
SPB21N10	-	RFQ	9549	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB21N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						100 v	21a（TC）	10V	80Mohm @ 15a，10v	4V @ 44µA	38.4 NC @ 10 V	±20V	865 pf @ 25 V	-	90W（TC）
IRLZ44ZLPBF	-	RFQ	7212	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						55 v	51A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 31a，10v	3V @ 250µA	36 NC @ 5 V	±16V	1620 PF @ 25 V	-	80W（TC）
IPB60R040C7ATMA1	13.6500	RFQ	7269	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	IPB60R040			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	50A（TC）	10V	40mohm @ 24.9a，10V	4V @ 1.24mA	107 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 400 V	-	227W（TC）
Auxtalr3915	-	RFQ	8718	Infineon技术	-	管子	过时的												-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1									-
IRFS4115TRLPBF	3.6500	RFQ	23	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS4115			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						150 v	195a（TC）	10V	12.1MOHM @ 62a，10v	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5270 pf @ 50 V	-	375W（TC）
BSO203PNTMA1	-	RFQ	1233	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO203			MOSFET （金属 o化物）	2W		PG-DSO-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）							20V	8.2a		21mohm @ 8.2a，4.5V	1.2V @ 100µA	48.6NC @ 4.5V		2242pf @ 15V	逻辑级别门
IPP048N12N3GXKSA1	4.7900	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP048			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						120 v	100A（TC）	10V	4.8mohm @ 100a，10v	4V @ 230µA	182 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 60 V	-	300W（TC）
BSC0908NSATMA1	-	RFQ	5808	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						34 v	（14A）（TA），49A （TC）	4.5V，10V	8mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	1220 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
BCW 66H B6327	-	RFQ	5886	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW 66				330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	30,000																					45 v	800 MA							20NA（ICBO）			NPN	450mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	170MHz
IRF7805ATR	-	RFQ	4346	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						30 V	13A（TA）	4.5V	11MOHM @ 7A，4.5V	3V @ 250µA	31 NC @ 5 V	±12V		-	2.5W（TA）
BCR183E6433HTMA1	-	RFQ	9453	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR183				200兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																					50 V	100 ma							100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
IPB05N03LB g	-	RFQ	8533	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB05N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						30 V	80A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 60a，10v	2V @ 40µA	25 NC @ 5 V	±20V	3209 PF @ 15 V	-	94W（TC）
BSC011N03LSTATMA1	2.9700	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC011			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8 FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						30 V	39A（TA），100A（tc）	4.5V，10V	1.1MOHM @ 30a，10v	2V @ 250µA	48 NC @ 4.5 V	±20V	6300 PF @ 15 V	-	3W（3W），115W（tc）
BSZ123N08NS3GATMA1	1.5800	RFQ	7984	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	BSZ123			MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						80 V	10A（10A），40A （TC）	6V，10V	12.3mohm @ 20a，10v	3.5V @ 33µA	25 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 40 V	-	2.1W（ta），66w（tc）
IPD90P04P4L04ATMA1	2.9100	RFQ	8747	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD90			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						40 V	90A（TC）	4.5V，10V	4.3MOHM @ 90A，10V	2.2V @ 250µA	176 NC @ 10 V	±16V	11570 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRGS4064DTRRPBF	-	RFQ	1963年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准			101 w		D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001536502	Ear99	8541.29.0095	800				400V，10a，22ohm，15V															62 ns	沟	600 v	20 a	40 a	1.91V @ 15V，10a	29µJ（在）上，200µJ（200µJ）	32 NC	27NS/79NS
BC 847BF E6327	-	RFQ	2279	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	BC 847				250兆		PG-TSFP-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					45 v	100 ma							15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
IPI023NE7N3 g	-	RFQ	2803	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI023N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						75 v	120A（TC）		2.3MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 273µA	206 NC @ 10 V		14400 PF @ 37.5 V	-	300W（TC）
IPP60R022S7XKSA1	13.4200	RFQ	1	Infineon技术	CoolMos™S7	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R022			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	23A（TC）	12V	22mohm @ 23a，12v	4.5V @ 1.44mA	150 NC @ 12 V	±20V	5639 PF @ 300 V	-	390W（TC）
IPL65R460CFDAUMA1	-	RFQ	3641	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	IPL65R			MOSFET （金属 o化物）			PG-VSON-4	下载		2a （4周）	到达不受影响	SP000949260	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						650 v	8.3a（TC）	10V	460MOHM @ 3.4A，10V	4.5V @ 300µA	31.5 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 100 V	-	83.3W（TC）
IKW75N60TFKSA1	9.5400	RFQ	6036	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW75N60	标准			428 w		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，75A，5OHM，15V															121 ns	沟渠场停止	600 v	80 a	225 a	2V @ 15V，75a	4.5MJ	470 NC	33ns/330n
BSP125L6327HTSA1	-	RFQ	1802年	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	120mA（ta）	4.5V，10V	45ohm @ 120mA，10v	2.3V @ 94µA	6.6 NC @ 10 V	±20V	150 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
IRFS31N20DTRLP	-	RFQ	5205	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						200 v	31a（TC）	10V	82MOHM @ 18A，10V	5.5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±30V	2370 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），200W（（tc）
IPW65R060CFD7XKSA1	9.2300	RFQ	2692	Infineon技术	CoolMos™CFD7	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R060			MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						650 v	36a（TC）	10V	60mohm @ 16.4a，10v	4.5V @ 860µA	68 NC @ 10 V	±20V	3288 PF @ 400 V	-	171W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²