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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
AIKB50N65DF5ATMA1	6.3600	RFQ	4053	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Aikb50	标准				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			-												npt	650 v	50 a		-	-		-
IPA126N10NM3SXKSA1	1.8500	RFQ	500	Infineon技术	Optimos™3	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA126		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	39A（TC）	6V，10V	12.6mohm @ 39a，10v	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 50 V	-	33W（TC）
AIGB30N65F5ATMA1	3.8600	RFQ	3644	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AIGB30	标准				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			-												npt	650 v	30 a		-	-		-
IPA083N10NM5SXKSA1	1.9300	RFQ	500	Infineon技术	Optimos™5	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA083		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		100 v	50A（TC）	6V，10V	8.3mohm @ 25a，10v	3.8V @ 49µA	40 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 50 V	-	36W（TC）
F3L200R07W2S5FB11BOMA1	98.4400	RFQ	1128	Infineon技术	EasyPack™，Trenchstop™	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F3L200			20兆	标准	Ag-Easy2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三级逆变器														沟渠场停止	650 v	95 a		1.38V @ 15V，100a				1 MA	是的	14.3 NF @ 25 V
FR900R12IP4DBPSA1	1.0000	RFQ	2	Infineon技术	Econopack™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FR900R12			20兆	标准	AG-PRIME3-1	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	双制动斩波器														沟渠场停止	1200 v	900 a		2.05V @ 15V，900A				5 ma	是的	54 NF @ 25 V
BC847CWH6327	1.0000	RFQ	8620	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				250兆		PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																45 v	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
IPI22N03S4L-15	0.2400	RFQ	3307	Infineon技术	*	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	897		n通道		30 V	22a（TC）	4.5V，10V	14.9mohm @ 22a，10v	2.2V @ 10µA	14 NC @ 10 V	±16V	980 pf @ 25 V	-	31W（TC）
SPB10N10LG	0.4200	RFQ	993	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		100 v	10.3A（TC）	10V	154MOHM @ 8.1A，10V	2V @ 21µA	22 NC @ 10 V	±20V	444 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IPI65R190C	2.0000	RFQ	500	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		650 v	20.2A（TC）	10V	190MOHM @ 7.3A，10V	3.5V @ 730µA	73 NC @ 10 V	±20V	1620 PF @ 100 V	-	151W（TC）
BSB012N03LX3GXUMA1	1.0800	RFQ	4	Infineon技术	-	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000
BSC886N03LSG	-	RFQ	6367	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		30 V	（13A）（65A）（65A）（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），39W（tc）
SKW04N120FKSA1	-	RFQ	2817	Infineon技术	*	大部分	积极的				SKW04N						-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
SPD50N03S2L-06G	1.0000	RFQ	8072	Infineon技术	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
SIPC19N80C3	-	RFQ	9533	Infineon技术	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0040	1
BC808-40	0.0200	RFQ	15	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				310 MW		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000																25 v	800 MA						100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
BCP69-16	-	RFQ	6851	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				3 W		PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																20 v	1 a						100NA（ICBO）				500mv @ 100mA，1a	100 @ 500mA，1V	100MHz
IMBF170R650M1XTMA1	7.4600	RFQ	592	Infineon技术	COOLSIC™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	IMBF170		sicfet （碳化硅）			PG-TO263-7-13	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		1700 v	7.4A（TC）	12V，15V	650MOHM @ 1.5A，15V	5.7V @ 1.7mA	8 nc @ 12 V	+20V，-10V	422 PF @ 1000 V	-	88W（TC）
IRFCZ44VB	-	RFQ	9434	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死			MOSFET （金属 o化物）			死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFCZ44VB	过时的		1		-		60 V	55a	10V	16.5MOHM @ 55A，10V	-		-		-	-
IRFC260NB	-	RFQ	1905年	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死			MOSFET （金属 o化物）			死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFC260NB	过时的		1		-		200 v	50a	10V	40MOHM @ 50a，10v	-		-		-	-
IKD06N60RC2ATMA1	1.1800	RFQ	2	Infineon技术	Trenchstop™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IKD06N60	标准		51.7 w		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			400V，6A，49ONM，15V											98 ns	沟渠场停止	600 v	11.7 a	18 a	2.3V @ 15V，6A	（170µJ）（在），80µj（80µJ）	31 NC	6NS/129NS
BSS7728NH6327	-	RFQ	9911	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23-3-5	下载					Ear99	8541.21.0095	1		n通道		60 V	200ma（ta）	4.5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	2.3V @ 26µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	56 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
IRFH8202TRPBFTR	-	RFQ	6572	Infineon技术	*	大部分	积极的										-					Ear99	8541.29.0095	1
IPD50R800CE	1.0000	RFQ	5849	Infineon技术	CoolMos™CE	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-344	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		500 v	7.6A（TC）	13V	800MOHM @ 1.5A，13V	3.5V @ 130µA	12.4 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 100 V	-	60W（TC）
IKW50N60TA	-	RFQ	7410	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		333 w		pg-to247-3-41	下载					Ear99	8542.39.0001	1			400V，50a，7ohm，15V											143 ns	沟渠场停止	600 v	80 a	150 a	2V @ 15V，50a	1.2MJ（在）上，1.4MJ off）	310 NC	26NS/299NS
IGP01N120H2XKSA1036	-	RFQ	5008	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		28 W		pg-to220-3-1	下载					Ear99	8541.29.0095	1			800V，1A，241OHM，15V												-	1200 v	3.2 a	3.5 a	2.8V @ 15V，1A	80µJ（在）上，60µJ（60µJ）	8.6 NC	13NS/370NS
SPB07N60C3	-	RFQ	1041	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	83W（TC）
IPA60R125P6	1.0000	RFQ	9832	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO220-3-111	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	30A（TC）	10V	125mohm @ 11.6a，10v	4.5V @ 960µA	56 NC @ 10 V	±20V	2660 pf @ 100 V	-	34W（TC）
SPP08N80C3	1.0000	RFQ	1057	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		800 v	8A（TC）	10V	650MOHM @ 5.1A，10V	3.9V @ 470µA	60 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	104W（TC）
IRFC048N	-	RFQ	2345	Infineon技术	*	大部分	过时的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001577740	过时的		1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²