晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	噪声系数（dB Typ @ f）
BFN19E6327HTSA1	-	询价	2049	英飞凌科技	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA					1W		PG-SOT89	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																					300伏	200毫安							100nA（ICBO）			国民党	500mV@2mA、20mA	40@10mA，10V	100兆赫兹
IPB35N10S3L26ATMA1	2.1500	询价	8105	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB35N10			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						100伏	35A（温度）	4.5V、10V	26.3毫欧@35A，10V	2.4V@39μA	39nC@10V	±20V	2700pF@25V	-	71W（温度）
IAUS260N10S5N019TATMA1	7.6600	询价	1	英飞凌科技	OptiMOS™5	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	16-PowerSOP模块				MOSFET（金属O化物）			PG-HDSOP-16-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,800		N沟道						100伏	260A（Tj）	6V、10V	1.9毫欧@100A，10V	3.8V@210μA	166nC@10V	±20V	11830pF@50V	-	300W（温度）
F4-50R12MS4	50.1300	询价	901	英飞凌科技	EconoDUAL™2	大部分	过时的		-40°C ~ 125°C（太焦）	安装结构	模块	F4-50R				355W	标准	-	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	全桥景观器																			-	1200伏	70A		3.75V@15V，50A					1毫安	是的	3.4nF@25V
IPN80R1K4P7	-	询价	5268	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA				MOSFET（金属O化物）			PG-SOT223	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道						800V	4A（温度）	10V	1.4欧姆@1.4A，10V	3.5V@70μA	10nC@10V	±20V	250 pF @ 500 V	-	7W（温度）
BSC883N03MSGATMA1	-	询价	5447	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN				MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						34V	19A（Ta）、98A（Tc）	4.5V、10V	3.8毫欧@30A，10V	2V@250μA	41nC@10V	±20V	3200pF@15V	-	2.5W（Ta）、57W（Tc）
IPB45N06S4L08ATMA1	-	询价	7933	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	SIC停产		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB45N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						60V	45A（温度）	4.5V、10V	7.9毫欧@45A，10V	2.2V@35μA	64nC@10V	±16V	4780pF@25V	-	71W（温度）
IPAW60R600P7SXKSA1	1.2200	询价	1	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	管子	不适合新设计		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	IPAW60			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	45		N沟道						600伏	6A（温度）	10V	600毫欧@1.7A，10V	4V@80μA	9nC@10V	±20V	363 pF @ 400 V	-	21W（温度）
IPS70R950CEAKMA1	-	询价	3021	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	IPS70R950			MOSFET（金属O化物）			PG-TO251-3-11	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道						700伏	7.4A（温度）	10V	950毫欧@1.5A，10V	3.5V@150μA	10V时为15.3nC	±20V	100V时为328pF	-	68W（温度）
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1	155.5811	询价	4166	英飞凌科技	*	托盘	的积极												-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-FF4MR12W2M1HPB11BPSA1			18
IPB60R199CPATMA1	4.6000	询价	1	英飞凌科技	CoolMOS™ CP	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB60R199			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						600伏	16A（温度）	10V	199毫欧@9.9A，10V	3.5V@660μA	43nC@10V	±20V	1520 pF @ 100 V	-	139W（温度）
FP50R06W2E3B11BOMA1	62.6193	询价	7960	英飞凌科技	EasyPIM™2B	托盘	的积极		-40℃～150℃	安装结构	模块	FP50R06				175W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	天线塔																			沟渠场站	600伏	65A		1.9V@15V，50A					1毫安	是的	3.1nF@25V
BFN26E6327	1.0000	询价	2428	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3					360毫W		PG-SOT23-3-3	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																					300伏	200毫安							100nA（ICBO）				500mV@2mA、20mA	30@30mA，10V	70兆赫
IKP15N65H5XKSA1	3.2700	询价	3463	英飞凌科技	TrenchStop®	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IKP15N65	标准			105W		PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50				400V，7.5A，39欧姆，15V															48纳秒	-	650伏	30A	45A	2.1V@15V，15A	120μJ（开），50μJ（关）	38nC	17纳秒/160纳秒
FF300R08W2P2B11ABOMA1	89.8700	询价	15	英飞凌科技	EasyPACK™	托盘	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FF300R08				20毫W	标准	AG-EASY2B-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	2 独立																			-	750伏	200A		1.18V@15V，200A					1毫安	是的	53nF@50V
IPD65R1K4C6ATMA1	1.3000	询价	2	英飞凌科技	CoolMOS™ C6	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD65R1			MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道						650伏	3.2A（温度）	10V	1.4欧姆@1A，10V	3.5V@100μA	10V时为10.5nC	±20V	100V时为225pF	-	28W（温度）
BFR360FH6327XTSA1	0.5000	询价	68	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	BFR360				210毫W		PG-TSFP-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000							15.5分贝														9V	35毫安										NPN		90@15mA，3V	14GHz	1dB@1.8GHz
IPA60R650CEE8210XKSA1	-	询价	8037	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包				MOSFET（金属O化物）			PG-TO220全包	-			REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道						600伏	9.9A（温度）	10V	650毫欧@2.4A，10V	3.5V@200μA	10V时为20.5nC	±20V	100V时为440pF	-	28W（温度）
IPB13N03LB G	-	询价	9149	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB13N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						30V	30A（温度）	4.5V、10V	12.5毫欧@30A，10V	2V@20μA	11nC@5V	±20V	1355pF@15V	-	52W（温度）
IRFS7537TRLPBF	2.3100	询价	4168	英飞凌科技	HEXFET®、StrongIRFET™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRFS7537			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道						60V	173A（TC）	6V、10V	3.3毫欧@100A，10V	3.7V@150μA	210nC@10V	±20V	7020pF@25V	-	230W（温度）
F3L75R12W1H3B11BPSA1	64.3800	询价	24	英飞凌科技	-	托盘	的积极		-40℃～150℃	安装结构	模块	F3L75R12				275W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	24	单斩波器																			-	1200伏	45A		1.7V@15V，30A					1毫安	是的	4.4nF@25V
IRFZ34E	-	询价	1741	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3				MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFZ34E	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						60V	28A（温度）	10V	42毫欧@17A，10V	4V@250μA	30nC@10V	±20V	680pF@25V	-	68W（温度）
FZ1800R17KF4NOSA1	1.0000	询价	62	英飞凌科技	-	大部分	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块					13500W	标准	模块	下载						0000.00.0000	1	3 独立																			沟渠场站	1200伏	3560A		2.1V@15V，2.4kA					5毫安	不	150nF@25V
FZ1800R17HP4B29BOSA2	1.0000	询价	6478	英飞凌科技	IHM-B	托盘	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FZ1800				11500W	标准	AG-IHMB190	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	单开关																			沟渠场站	1700伏	1800A		2.25V@15V，1.8kA					5毫安	不	145nF@25V
IPP65R190C7	1.0000	询价	1826年	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载					EAR99	8542.39.0001	1		N沟道						650伏	13A（温度）	10V	190毫欧@5.7A，10V	4V@290μA	23nC@10V	±20V	1150 pF @ 400 V	-	72W（温度）
DDB6U84N16RRBPSA1	110.7100	询价	15	英飞凌科技	-	托盘	不适合新设计		150°C（太焦）	安装结构	模块	DDB6U8				350W	标准	AG-ECONO2A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	单斩波器																			-	1200伏	50A		3.2V@20V，50A					1毫安	不	3.3nF@25V
PTFA212401E V4	-	询价	7757	英飞凌科技	-	托盘	过时的	65V		安装结构	H-36260-2	PTFA212401		2.14GHz	LDMOS			H-36260-2	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	35			10微安		1.6安	50W	15.8分贝											-										30V
IPN70R1K5CE	1.0000	询价	4905	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-261-3				MOSFET（金属O化物）			PG-SOT223	下载						0000.00.0000	1		N沟道						700伏	5.4A（温度）	10V	1.5欧姆@1A，10V	3.5V@100μA	10V时为10.5nC	±20V	100V时为225pF	-	5W（温度）
IPS031N03LGAKMA1	-	询价	2481	英飞凌科技	OptiMOS™3	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak				MOSFET（金属O化物）			PG-TO251-3-11	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道						30V	90A（温度）	4.5V、10V	3.1毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	51nC@10V	±20V	5300pF@15V	-	94W（温度）
IRF520NSTRLPBF	-	询价	2099	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF520			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道						100伏	9.7A（温度）	10V	200毫欧@5.7A，10V	4V@250μA	25nC@10V	±20V	330pF@25V	-	3.8W（Ta）、48W（Tc）

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2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²