晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
AUIRFS8405	-	询价	4002	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AUIRFS8405			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						40V	120A（温度）	10V	2.3毫欧@100A，10V	3.9V@100μA	161nC@10V	±20V	5193pF@25V	-	163W（温度）
BSM150GB170DN2HOSA1	-	询价	5128	英飞凌科技	-	托盘	过时的		150°C（太焦）	安装结构	模块	BSM150				1250W	标准	模块	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	半桥																			-	1700伏	220A		3.9V@15V，150A					1.5毫安	不	20nF@25V
IRF2903ZSTRLP	-	询价	8961	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道						30V	75A（温度）	10V	2.4毫欧@75A，10V	4V@150μA	240nC@10V	±20V	6320pF@25V	-	290W（温度）
IRG4PSC71UDPBF	-	询价	2444	英飞凌科技	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-274AA		标准			350W		SUPER-247™ (TO-274AA)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25				480V，60A，5欧姆，15V															82纳秒	-	600伏	85A	200A	2V@15V，60A	3.26mJ（开），2.27mJ（关）	340℃	90纳秒/245纳秒
IPB600N25N3GATMA1	3.2000年	询价	7	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB600			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						250伏	25A（温度）	10V	60毫欧@25A，10V	4V@90μA	29nC@10V	±20V	100V时为2350pF	-	136W（温度）
AUIRFR4620TRL	3.2600	询价	5	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AUIRFR4620			MOSFET（金属O化物）			D-PAK (TO-252AA)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道						200V	24A（温度）	10V	78毫欧@15A，10V	5V@100μA	38nC@10V	±20V	1710pF@50V	-	144W（温度）
SPP03N60C3	0.3800	询价	81	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道						600伏	3.2A（温度）	10V	1.4欧姆@2A，10V	3.9V@135μA	17nC@10V	±20V	400pF@25V	-	38W（温度）
FS05MR12A6MA1BBPSA1	1.0000	询价	7004	英飞凌科技	混合包装™	托盘	的积极		-	安装结构	模块	FS05MR12			碳化硅（SiC）	-		AG-HYBRIDD-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	6								1200V（1.2kV）	200A		-	-	-		-	-
94-4591PBF	-	询价	6485	英飞凌科技	-	管子	过时的												-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		1									-
IPB45N04S4L-08	0.4300	询价	3	英飞凌科技	OptiMOS™T2	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						40V	45A（温度）	4.5V、10V	7.9毫欧@45A，10V	2.2V@17μA	30nC@10V	+20V，-16V	2340pF@25V	-	45W（温度）
IRGP4066DPBF	-	询价	4313	英飞凌科技	-	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IRGP4066	标准			454 W		TO-247AC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400				400V，75A，10欧姆，15V															155纳秒	沟	600伏	140A	第225章	2.1V@15V，75A	2.47mJ（开）、2.16mJ（关）	150 纳克	50纳秒/200纳秒
SMBTA14E6327	0.1000	询价	210	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3					330毫W		PG-SOT23-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,112人																					30V	300毫安							100nA（ICBO）			NPN-达林顿	1.5V@100μA，100mA	20000@100mA，5V	125兆赫
BUZ103SL	-	询价	6772	英飞凌科技	-	大部分	的积极												下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
IAUC41N06S5L100ATMA1	0.8900	询价	6138	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	IAUC41			MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-33	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						60V	41A（天）		10毫欧@20A，10V	2.2V@13μA	16.4nC@10V	±16V	1205pF@30V	-	42W（温度）
IPLK70R2K0P7ATMA1	1.0500	询价	5942	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	卷带式 (TR)	的积极		-	表面贴装	8-PowerTDFN	IPLK70			MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						700伏	-	-	-	-		-		-	-
IKD04N60R6EDV1	-	询价	2362	英飞凌科技	TRENCHSTOP™	大部分	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		标准			75W		PG-TO252-3-313	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1				400V，4A，43欧姆，15V															43纳秒	沟渠场站	600伏	8A	12A	2.1V@15V，4A	90μJ（开），150μJ（关）	27nC	14纳秒/146纳秒
IRFS7430PBF	-	询价	9018	英飞凌科技	HEXFET®、StrongIRFET™	管子	SIC停产		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001578352	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						40V	195A（高温）	6V、10V	1.2毫欧@100A，10V	3.9V@250μA	460nC@10V	±20V	14240pF@25V	-	375W（温度）
BSO612CVG	-	询价	2438	英飞凌科技	SIPMOS®	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	BSO612			MOSFET（金属O化物）	2W（塔）		PG-DSO-8	下载					EAR99	8541.29.0095	第687章	N 和 P 沟道							60V	3A（塔）、2A（塔）		120mOhm @ 3A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V	4V@20μA，4V@450μA	15.5nC@10V，16nC@10V		340pF、400pF @ 25V	-
IPB65R420CFDATMA1	-	询价	9590	英飞凌科技	CoolMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB65R			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						650伏	8.7A（温度）	10V	420毫欧@3.4A，10V	4.5V@340μA	32nC@10V	±20V	100V时为870pF	-	83.3W（温度）
IRFI4024H-117P	-	询价	7629	英飞凌科技	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-5全包	IRFI4024			MOSFET（金属O化物）	14W		TO-220-5全包	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	2 个 N 沟道（双）							55V	11A		60毫欧@7.7A，10V	4V@25μA	13nC@10V		320pF@50V	-
FF2400RB12IP7BPSA1	1.0000	询价	2	英飞凌科技	PrimePACK™3	托盘	的积极		-	-	-	FF2400R					标准	-	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2	2 独立																			-	750伏	2400A		-						不
IAUT300N08S5N012ATMA2	7.1000	询价	1	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerSFN	IAUT300			MOSFET（金属O化物）			PG-HSOF-8-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道						80V	300A（温度）	6V、10V	1.2毫欧@100A，10V	3.8V@275μA	231nC@10V	±20V	16250pF@40V	-	375W（温度）
PTFA260851F V1	-	询价	6193	英飞凌科技	-	托盘	过时的	65V		表面贴装	2 纸张封装，鳍片底部	PTFA260851		2.68GHz	LDMOS			H-31248-2	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50			10微安		900毫安	85W	14分贝											-										28V
IPBE65R190CFD7AATMA1	5.6800	询价	948	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、CoolMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	IPBE65			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-7-11	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						650伏	14A（温度）		190毫欧@6.4A，10V	4.5V@320μA	7nC@10V	±20V	1291 pF @ 400 V	-	77W（温度）
FS10R06VE3BOMA1	-	询价	2825	英飞凌科技	-	托盘	过时的		-40℃～150℃	安装结构	模块	FS10R06				50W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	40	天线塔																			-	600伏	16A		2V@15V，10A					1毫安	不	550pF@25V
IRFR1018ETRPBF	1.6600	询价	36	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IRFR1018			MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道						60V	56A（温度）	10V	8.4毫欧@47A，10V	4V@100μA	69nC@10V	±20V	2290pF@50V	-	110W（温度）
IRFIB41N15DPBF	-	询价	2698	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包				MOSFET（金属O化物）			TO-220AB全包	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道						150伏	41A（温度）	10V	45毫欧@25A，10V	5.5V@250μA	110nC@10V	±20V	25V时为2520pF	-	48W（温度）
BFN39H6327	0.2000	询价	11	英飞凌科技	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA					1.5W		SOT-223	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1,615																					300伏	200毫安							100nA（ICBO）			国民党	500mV@2mA、20mA	40@10mA，10V	100兆赫兹
IPD50R650CEBTMA1	-	询价	9428	英飞凌科技	CoolMOS™ CE	卷带式 (TR)	SIC停产		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD50R			MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道						500V	6.1A（温度）	13V	650毫欧@1.8A，13V	3.5V@150μA	15nC@10V	±20V	100V时为342pF	-	47W（温度）
IRFC7314B	-	询价	6793	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		-	-	-				-			-	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		-							-		-	-		±12V		-	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²