RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
SIPC69N65C3X1SA1	-	RFQ	7421	Infineon技术	-	大部分	积极的					SIPC69							-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP000437778		0000.00.0000	1								-
FS3L30R07W2H3FB11BPSA2	94.6200	RFQ	15	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS3L30				20兆	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																		沟渠场停止	650 v	30 a		1.9V @ 15V，30a				1 MA	是的	1.65 NF @ 25 V
ISC0602NLSATMA1	1.5700	RFQ	8	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISC0602N			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					80 V	14a（14A），66A （TC）	4.5V，10V	7.3mohm @ 20a，10v	2.3V @ 29µA	22 NC @ 10 V	±20V	1800 PF @ 40 V	-	2.5W（TA），60W（TC）
IRFIRF7314PBF	-	RFQ	4372	Infineon技术	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IPP80N08S207AKSA1	2.3890	RFQ	8676	Infineon技术	Optimos™	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP80N08			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					75 v	80A（TC）	10V	7.4mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BTS114AE3045ANTMA1	3.4100	RFQ	24	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB							pg-to220-3-5	下载					Ear99	8541.29.0095	88
IRLR2905CPBF	-	RFQ	9705	Infineon技术	-	管子	过时的		-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					55 v	36a（ta）		-	-				-	-
BSS138N E6433	-	RFQ	3637	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道					60 V	230ma（ta）	4.5V，10V	3.5OHM @ 230mA，10V	1.4V @ 250µA	1.4 NC @ 10 V	±20V	41 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
BSP88L6327	-	RFQ	3665	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					240 v	350mA（ta）	2.8V，10V	6ohm @ 350mA，10v	1.4V @ 108µA	6.8 NC @ 10 V	±20V	95 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
IRFU5305	-	RFQ	6024	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）			IPAK（TO-251AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU5305	Ear99	8541.29.0095	75		P通道					55 v	31a（TC）	10V	65mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IPI147N12N3GAKSA1	-	RFQ	9789	Infineon技术	Optimos™	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI147			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					120 v	56a（ta）	10V	14.7MOHM @ 56A，10V	4V @ 61µA	49 NC @ 10 V	±20V	3220 PF @ 60 V	-	107W（TC）
BSS84P E6433	-	RFQ	6667	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		P通道					60 V	170mA（TA）	4.5V，10V	8ohm @ 170mA，10v	2V @ 20µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	19 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
IRFB3256PBF	-	RFQ	1600	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB3256			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	75A（TC）	10V	3.4mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	195 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 48 V	-	300W（TC）
BSO612CVG	-	RFQ	2438	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO612			MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）		PG-DSO-8	下载					Ear99	8541.29.0095	687	n和p通道						60V	（3A）（2a ta）（2a ta）		120MOHM @ 3A，10V，300MOHM @ 2A，10V	4V @ 20µA，4V @ 450µA	15.5nc @ 10v，16nc @ 10V		340pf，400pf @ 25V	-
BFP460E6433HTMA1	-	RFQ	4119	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFP460				230MW		PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000						12.5db〜26.5dB														5.8V	70mA									NPN	90 @ 20mA，3v	22GHz	0.7db〜1.2dB @ 100MHz〜3GHz
IAUA250N04S6N005AUMA1	4.4500	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	5-Powersfn	IAUA250			MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-5-5	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					40 V	62a（ta）	7V，10V	0.55MOHM @ 100A，10V	3V @ 145µA	170 NC @ 10 V	±20V	11144 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IRF6706S2TRPBF	-	RFQ	2887	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距S1				MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™等距S1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道					25 v	（17a）（63a ta）（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 17a，10v	2.35V @ 25µA	20 NC @ 4.5 V	±20V	1810 pf @ 13 V	-	1.8W（TA），26W（tc）
PTVA120251EAV2XWSA1	-	RFQ	6807	Infineon技术	-	托盘	过时的	50 V		表面安装	H-36265-2			500MHz〜1.4GHz	ldmos			H-36265-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001210504	Ear99	8541.29.0095	50			-		30W	16dB											-
FF1000R17IE4PBOSA1	703.9200	RFQ	3	Infineon技术	PrimePack™3	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF1000				1000000 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	2独立																		沟渠场停止	1700 v	1000 a		2.45V @ 15V，1000a				5 ma	是的	81 NF @ 25 V
AUIRF7647S2TR	2.6600	RFQ	3	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距SC	AUIRF7647			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™SC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道					100 v	5.9a（ta），24a（tc）	10V	31mohm @ 14a，10v	5V @ 50µA	21 NC @ 10 V	±20V	910 PF @ 25 V	-	2.5W（TA），41W（TC）
IRF7526D1TRPBF	-	RFQ	1930年	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）				MOSFET （金属 o化物）			micro8™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道					30 V	2A（TA）	4.5V，10V	200mohm @ 1.2A，10V	1V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	1.25W（TA）
IRGR4607DTRRPBF	-	RFQ	5809	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准			58 w		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001549726	Ear99	8541.29.0095	3,000				400V，4A，100OHM，15V														48 ns	-	600 v	11 a	12 a	2.05V @ 15V，4A	（140µJ）（在62µJ上）	9 NC	27NS/120NS
IRF7521D1TRPBF	-	RFQ	5706	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）				MOSFET （金属 o化物）			micro8™	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001555506	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					20 v	2.4A（TA）	2.7V，4.5V	135mohm @ 1.7A，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	8 NC @ 4.5 V	±12V	260 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	1.3W（TA）
IPD100N06S403ATMA2	2.3700	RFQ	3	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD100			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					60 V	100A（TC）	10V	3.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 90µA	128 NC @ 10 V	±20V	10400 PF @ 25 V	-	150W（TC）
BSP317PE6327T	-	RFQ	9078	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP317			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道					250 v	430ma（ta）	4.5V，10V	4330mA，10V	2V @ 370µA	15.1 NC @ 10 V	±20V	262 PF @ 25 V	-	1.8W（TA）
IRF7342QTRPBF	-	RFQ	1025	Infineon技术	-	（CT）	过时的			表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF734			MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2（p 通道（双）						55V	3.4a		105MOHM @ 3.4A，10V	1V @ 250µA	38nc @ 10V		690pf @ 25V	逻辑级别门
IPD110N12N3GATMA1	2.5000	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD110			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					120 v	75A（TC）	10V	11mohm @ 75a，10v	3V @ 83µA（83µA）	65 NC @ 10 V	±20V	4310 PF @ 60 V	-	136W（TC）
IPP60R060P7	1.0000	RFQ	1121	Infineon技术	Coolmos™P7	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			PG-TO220-3-123	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	48A（TC）	10V	60mohm @ 15.9a，10v	4V @ 800µA	67 NC @ 10 V	±20V	2895 PF @ 400 V	-	164W（TC）
IPD50R950CEBTMA1	-	RFQ	5820	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50R			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					500 v	4.3A（TC）	13V	950MOHM @ 1.2A，13V	3.5V @ 100µA	10.5 NC @ 10 V	±20V	231 PF @ 100 V	-	34W（TC）
IRFR5505CTRLPBF	-	RFQ	5486	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					55 v	18A（TC）	10V	110MOHM @ 9.6a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 25 V	-	57W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²