晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
IRLMS1902TR	-	询价	2594	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6			MOSFET（金属O化物）		Micro6™(TSOP-6)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道		20V	3.2A（塔）	2.7V、4.5V	100毫欧@2.2A，4.5V	700mV @ 250μA（极低）	7nC@4.5V	±12V	300pF@15V	-	1.7W（塔）
BSP129L6327	0.2900	询价	93	英飞凌科技	SIPMOS®	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA			MOSFET（金属O化物）		PG-SOT223-4-21	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,039 人	N沟道		240伏	350mA（塔）	0V、10V	6欧姆@350mA，10V	1V@108μA	5.7nC@5V	±20V	108pF@25V	成熟模式	1.8W（塔）
SPD1305NL	0.1900	询价	75	英飞凌科技	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	2,500人
SIGC10T60EX7SA1	-	询价	9638	英飞凌科技	TrenchStop™	大部分	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	死	SIGC10	标准			死	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行			0000.00.0000	1		-												沟渠场站	600伏	20A	60A	1.9V@15V，20A	-		-
BC 847BF E6327	-	询价	2279	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	估计847年			250毫W	PG-TSFP-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000															45V	100毫安						15nA（ICBO）	NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	200@2mA，5V	250兆赫
IRLB3036GPBF	-	询价	1983年	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001558722	EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		60V	195A（高温）	4.5V、10V	2.4毫欧@165A，10V	2.5V@250μA	140nC@4.5V	±16V	11210pF@50V	-	380W（温度）
AUIRF3415	-	询价	5883	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001516548	EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		150伏	43A（温度）	10V	42毫欧@22A，10V	4V@250μA	200nC@10V	±20V	25V时为2400pF	-	200W（温度）
AUIRFR2307Z	-	询价	2322	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001522814	EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道		75V	42A（温度）	10V	16毫欧@32A，10V	4V@100μA	75nC@10V	±20V	2190pF@25V	-	110W（温度）
IPD12CN10N	-	询价	8149	英飞凌科技	OptiMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		PG-TO252-3-313	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道		100伏	67A（温度）	10V	12.4毫欧@67A，10V	4V@83μA	65nC@10V	±20V	50V时为4320pF	-	125W（温度）
BSB012N03LX3 G	-	询价	1826年	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	3-WDSON			MOSFET（金属O化物）		MG-WDSON-2、CanPAK M™	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	N沟道		30V	39A（Ta）、180A（Tc）	4.5V、10V	1.2毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	169nC@10V	±20V	16900pF@15V	-	2.8W（Ta）、89W（Tc）
BSC072N08NS5ATMA1	1.8300	询价	53	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSC072		MOSFET（金属O化物）		PG-TDSON-8-7	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	N沟道		80V	74A（温度）	6V、10V	7.2毫欧@37A，10V	3.8V@36μA	29nC@10V	±20V	2100pF@40V	-	2.5W（Ta）、69W（Tc）
F411MR12W2M1HPB76BPSA1	225.0528	询价	5688	英飞凌科技	-	托盘	的积极				F411MR					-	符合ROHS3标准						18
IPN70R900P7SATMA1	0.7800	询价	7992	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	IPN70R900		MOSFET（金属O化物）		PG-SOT223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道		700伏	6A（温度）	10V	900毫欧@1.1A，10V	3.5V@60μA	6.8nC@10V	±16V	211 pF @ 400 V	-	6.5W（温度）
IRF3703PBF	4.1700	询价	2	英飞凌科技	HEXFET®	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRF3703		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		30V	210A（温度）	7V、10V	2.8毫欧@76A，10V	4V@250μA	209nC@10V	±20V	8250pF@25V	-	3.8W（Ta）、230W（Tc）
IPDQ60R040S7AXTMA1	11.1000	询价	5649	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、CoolMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	22-PowerBSOP模块	IPDQ60R		MOSFET（金属O化物）		PG-HDSOP-22-1	-		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	750	N沟道		600伏	14A（温度）	12V	40毫欧@13A，12V	4.5V@790μA	12V时为83nC	±20V		-	272W（温度）
IRF5803D2TR	-	询价	4964	英飞凌科技	FETKY™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	P沟道		40V	3.4A（塔）	4.5V、10V	112毫欧@3.4A，10V	3V@250μA	37nC@10V	±20V	1110pF@25V	肖特基分散（隔离）	2W（塔）
BCR119S	-	询价	3922	英飞凌科技	-	大部分	的积极		表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BCR119			250毫W	PG-SOT363-6-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1															50V	100毫安						100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@500μA，10mA	120@5mA，5V	150兆赫	4.7k欧姆	-
AUIRFR2607ZTRL	-	询价	8483	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AUIRFR2607		MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001518630	EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道		75V	42A（温度）	10V	22毫欧@30A，10V	4V@50μA	51nC@10V	±20V	1440pF@25V	-	110W（温度）
IRF7402TR	-	询价	7683	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	N沟道		20V	6.8A（塔）	2.7V、4.5V	35毫欧@4.1A，4.5V	700mV @ 250μA（极低）	22nC@4.5V	±12V	650pF@15V	-	2.5W（塔）
IRGPC40FD2	-	询价	9901	英飞凌科技	-	包	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准		160W	TO-247AC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25														-	600伏	49一个		2V@15V，27A
IRF6665TRPBF	0.5441	询价	8156	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	最后一次购买	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 SH	IRF6665		MOSFET（金属O化物）		DIRECTFET™ SH	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,800	N沟道		100伏	4.2A（Ta）、19A（Tc）	10V	62mOhm@5A，10V	5V@250μA	13nC@10V	±20V	530pF@25V	-	2.2W（Ta）、42W（Tc）
IPB65R225C7ATMA2	1.5955	询价	1321	英飞凌科技	CoolMOS™ C7	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB65R225		MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		650伏	11A（温度）	10V	225毫欧@4.8A，10V	4V@240μA	20nC@10V	±20V	996 pF @ 400 V	-	63W（温度）
IPP60R380C6	-	询价	2067	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-1	下载						0000.00.0000	1	N沟道		600伏	10.6A（温度）	10V	380毫欧@3.8A，10V	3.5V@320μA	32nC@10V	±20V	700 pF @ 100 V	-	83W（温度）
IPI144N12N3G	-	询价	4028	英飞凌科技	*	大部分	的积极									下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
IRFTS9342TRPBF	0.5800	询价	11	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6	IRFTS9342		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	P沟道		30V	5.8A（塔）	4.5V、10V	40毫欧@5.8A，10V	2.4V@25μA	12nC@10V	±20V	595pF@25V	-	2W（塔）
IRFB42N20D	-	询价	8807	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFB42N20D	EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		200V	44A（温度）	10V	55毫欧@26A，10V	5.5V@250μA	140nC@10V	±30V	3430pF@25V	-	2.4W（Ta）、330W（Tc）
IRGS4064DTRRPBF	-	询价	1963年	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		标准		101W	D²PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001536502	EAR99	8541.29.0095	800		400V，10A，22欧姆，15V											62纳秒	沟	600伏	20A	40A	1.91V@15V，10A	29μJ（开），200μJ（关）	32nC	27纳秒/79纳秒
AUIRFS4115TRL	4.6267	询价	8432	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AUIRFS4115		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001518088	EAR99	8541.29.0095	800	N沟道		150伏	99A（TC）	10V	12.1毫欧@62A，10V	5V@250μA	120nC@10V	±20V	5270pF@50V	-	375W（温度）
IPA60R125CP	-	询价	1680	英飞凌科技	CoolMOS®	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-31	下载						0000.00.0000	1	N沟道		600伏	25A（温度）	10V	125毫欧@16A，10V	3.5V@1.1mA	70nC@10V	±20V	2500pF@100V	-	35W（温度）
BUZ30AH	1.0000	询价	7250	英飞凌科技	SIPMOS®	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1	N沟道		200V	21A（温度）		130毫欧@13.5A，10V	4V@1mA		±20V	1900pF@25V	-	125W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²