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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BCX5516H6327XTSA1	0.1920	RFQ	3131	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX5516				2 w		PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																					60 V	1 a							100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	100MHz
SPD22N08S2L-50	-	RFQ	3049	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD22N			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						75 v	25A（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 11a，10v	2V @ 31µA	33 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IRLB3036GPBF	-	RFQ	1983	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001558722	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						60 V	195a（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 165a，10v	2.5V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V	±16V	11210 PF @ 50 V	-	380W（TC）
IPBE65R099CFD7AATMA1	7.9300	RFQ	2818	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™CFD7A	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB	IPBE65			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO263-7-3-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						650 v	24A（TC）	10V	99mohm @ 12.5a，10v	4.5V @ 630µA	53 NC @ 10 V	±20V	2513 PF @ 400 V	-	127W（TC）
BCR198SH6827XTSA1	-	RFQ	2343	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR198				250MW		PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50V	100mA							-			2 PNP-）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	190MHz	47kohms	47kohms
AUIRF7738L2TR	-	RFQ	2090	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l6	AUIRF7738			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet L6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001515758	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						40 V	35A（TA），130A （TC）	10V	1.6mohm @ 109a，10v	4V @ 250µA	194 NC @ 10 V	±20V	7471 PF @ 25 V	-	3.3W（ta），94w（tc）
PTF080101S V1	-	RFQ	7761	Infineon技术	Goldmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	H-32259-2			960MHz	ldmos			H-32259-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			1µA		150 ma	10W	18.5db											-										28 V
ipp16cne8n g	-	RFQ	1111	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP16C			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						85 v	53A（TC）	10V	16.5MOHM @ 53A，10V	4V @ 61µA	48 NC @ 10 V	±20V	3230 PF @ 40 V	-	100W（TC）
AUIRFR8401TRL	2.3700	RFQ	3	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR8401			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						40 V	100A（TC）	10V	4.25MOHM @ 60a，10V	3.9V @ 50µA	63 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	79W（TC）
BCR08PNE6433HTMA1	-	RFQ	2450	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR08				250MW		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																					50V	100mA							-			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	170MHz	2.2kohms	47kohms
IRF7910TRPBF	-	RFQ	5818	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7910			MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）							12V	10a		15mohm @ 8a，4.5V	2V @ 250µA	26nc @ 4.5V		1730pf @ 6V	逻辑级别门
IPLK60R1K0PFD7ATMA1	1.3400	RFQ	4	Infineon技术	CoolMos™PFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPLK60			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-52	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						600 v	5.2A（TC）	10V	1OHM @ 1A，10V	4.5V @ 50µA	6 NC @ 10 V	±20V	230 pf @ 400 V	-	31.3W（TC）
BSS123IXTMA1	-	RFQ	6535	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS123			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23-3-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						100 v	（190ma ta）	4.5V，10V	6ohm @ 190mA，10v	1.8V @ 13µA	0.63 NC @ 10 V	±20V	15 pf @ 50 V	-	500MW（TA）
BCX70HE6433HTMA1	0.0492	RFQ	5228	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCX70				330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																					45 v	100 ma							20NA（ICBO）			NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	180 @ 2mA，5v	250MHz
BCX5310E6327	0.0900	RFQ	19	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					2 w		PG-SOT89-4-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																					80 V	1 a							100NA（ICBO）				500mv @ 50mA，500mA	40 @ 50mA，2V	125MHz
IPP65R280C6XKSA1	-	RFQ	8305	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp65r			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						650 v	13.8A（TC）	10V	280MOHM @ 4.4A，10V	3.5V @ 440µA	45 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 100 V	-	104W（TC）
BCX51E6327	0.0900	RFQ	67	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					2 w		PG-SOT89-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1																					45 v	1 a							100NA（ICBO）				500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	125MHz
IKW50N65F5AXKSA1	-	RFQ	6525	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	过时		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ikw50n	标准			270 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240				400V，25a，12ohm，15V															77 ns	沟	650 v	80 a	150 a	2.1V @ 15V，50a	（490µJ）（在140µJ上）	108 NC	21NS/156NS
ISZ0702NLSATMA1	1.2900	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISZ0702N			MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						60 V	17a（17a），86a（tc）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 26µA	39 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 30 V	-	2.5W（TA），65W（tc）
IPP65R600C6XKSA1	-	RFQ	2398	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp65r			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						650 v	7.3A（TC）	10V	600mohm @ 2.1a，10v	3.5V @ 210µA	23 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	63W（TC）
IPU60R1K0CE	1.0000	RFQ	1724年	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						600 v	6.8A（TC）	10V	1欧姆 @ 1.5A，10V	3.5V @ 130µA	13 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 100 V	-	61W（TC）
IHW30N90T	2.6600	RFQ	5	Infineon技术	Trechstop®	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			428 w		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				600V，30a，15ohm，15V																沟渠场停止	900 v	60 a	90 a	1.7V @ 15V，30a	1.8MJ（（）	280 NC	45NS/556NS
SIPC69N65C3X1SA1	-	RFQ	7421	Infineon技术	-	大部分	积极的					SIPC69							-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP000437778		0000.00.0000	1									-
FS3L30R07W2H3FB11BPSA2	94.6200	RFQ	15	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS3L30				20兆	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																			沟渠场停止	650 v	30 a		1.9V @ 15V，30a					1 MA	是的	1.65 NF @ 25 V
ISC0602NLSATMA1	1.5700	RFQ	8	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISC0602N			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						80 V	14a（14A），66A （TC）	4.5V，10V	7.3mohm @ 20a，10v	2.3V @ 29µA	22 NC @ 10 V	±20V	1800 PF @ 40 V	-	2.5W（TA），60W（TC）
IRFIRF7314PBF	-	RFQ	4372	Infineon技术	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IPP80N08S207AKSA1	2.3890	RFQ	8676	Infineon技术	Optimos™	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP80N08			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						75 v	80A（TC）	10V	7.4mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BTS114AE3045ANTMA1	3.4100	RFQ	24	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB							pg-to220-3-5	下载					Ear99	8541.29.0095	88
IRLR2905CPBF	-	RFQ	9705	Infineon技术	-	管	过时的		-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						55 v	36a（ta）		-	-				-	-
BSS138N E6433	-	RFQ	3637	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道						60 V	230ma（ta）	4.5V，10V	3.5OHM @ 230mA，10V	1.4V @ 250µA	1.4 NC @ 10 V	±20V	41 pf @ 25 V	-	360MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²