晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
SPW15N60CFDFKSA1	-	询价	9495	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	SPW15N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO247-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240		N沟道		650伏	13.4A（温度）	10V	330毫欧@9.4A，10V	5V@750μA	84nC@10V	±20V	1820pF@25V	-	156W（温度）
BC 860B E6327	0.0500	询价	30	英飞凌科技	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				330毫W		PG-SOT23-3-11	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	7,105																45V	100毫安						15nA（ICBO）		国民党	650mV@5mA、100mA	220@2mA，5V	250兆赫
AUIRF6218STRL	-	询价	4700	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		P沟道		150伏	27A（温度）	10V	150mOhm@16A，10V	5V@250μA	110nC@10V	±20V	2210pF@25V	-	250W（温度）
BC848BE6327HTSA1	0.0418	询价	3437	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC848			330毫W		PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																30V	100毫安						15nA（ICBO）		NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	200@2mA，5V	250兆赫
IRFR13N15DTRL	-	询价	8725	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		150伏	14A（温度）	10V	180毫欧@8.3A，10V	5.5V@250μA	29nC@10V	±30V	620pF@25V	-	86W（温度）
AUXS20956S	-	询价	9846	英飞凌科技	-	管子	过时的										下载		1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	45					-
IRFS4510PBF	-	询价	7092	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001576206	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		100伏	61A（温度）	10V	13.9毫欧@37A，10V	4V@100μA	87nC@10V	±20V	50V时为3180pF	-	140W（温度）
IGP20N65H5XKSA1	2.7600	询价	7029	英飞凌科技	TrenchStop®	管子	的积极		通孔	TO-220-3	IGP20N65	标准		125W		PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50			400V，10A，32欧姆，15V												-	650伏	42A	60A	2.1V@15V，20A	170μJ（开），60μJ（关）	48nC	18纳秒/156纳秒
IKD06N60RFAATMA1	-	询价	8506	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、TrenchStop™	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		标准		100W		PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人			400V，6A，23欧姆，15V											48纳秒	沟	600伏	12A	18A	2.5V@15V，6A	90μJ（开），90μJ（关）	48nC	8纳秒/105纳秒
IRF3808STRRPBF	-	询价	9626	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001570154	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		75V	106A（高温）	10V	7毫欧@82A，10V	4V@250μA	220nC@10V	±20V	5310pF@25V	-	200W（温度）
SPW35N60CFDFKSA1	11.2900	询价	380	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	SPW35N60		MOSFET（金属O化物）			PG-TO247-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道		600伏	34.1A（温度）	10V	118毫欧@21.6A，10V	5V@1.9mA	212nC@10V	±20V	5060pF@25V	-	313W（温度）
IRF9Z24NSTRR	-	询价	3201	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		P沟道		55V	12A（温度）	10V	175毫欧@7.2A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±20V	350pF@25V	-	3.8W（Ta）、45W（Tc）
BCP49H6359XTMA1	-	询价	4453	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BCP49			1.5W		PG-SOT223-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	4,000																60V	500毫安						100nA（ICBO）		NPN-达林顿	1V@100μA，100mA	10000@100mA，5V	200兆赫
IRF8252TRPBF	-	询价	9720	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道		25V	25A（塔）	4.5V、10V	2.7毫欧@25A，10V	2.35V@100μA	53nC@4.5V	±20V	5305pF@13V	-	2.5W（塔）
IKW50N65RH5XKSA1	9.5400	询价	6037	英飞凌科技	TrenchStop™ 5	管子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IKW50N65	标准		305W		PG-TO247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30			400V，25A，12欧姆，15V												沟渠场站	650伏	80A	200A	2.1V@15V，50A	230μJ（开），180μJ（关）	120℃	22纳秒/180纳秒
IPSA70R900P7SAKMA1	0.8500	询价	4	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	管子	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IPSA70		MOSFET（金属O化物）			PG-TO251-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道		700伏	6A（温度）	10V	900毫欧@1.1A，10V	3.5V@60μA	6.8nC@400V	±16V	211 pF @ 400 V	-	30.5W（温度）
SPP15P10PH	0.5500	询价	第944章	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、SIPMOS®	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1		P沟道		100伏	15A（温度）	10V	240毫欧@10.6A，10V	2.1V@1.54mA	48nC@10V	±20V	1280pF@25V	-	128W（温度）
IRF8252PBF	-	询价	4944	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001554466	EAR99	8541.29.0095	95		N沟道		25V	25A（塔）	4.5V、10V	2.7毫欧@25A，10V	2.35V@100μA	53nC@4.5V	±20V	5305pF@13V	-	2.5W（塔）
FF300R17ME4BOSA1	270.2000	询价	6395	英飞凌科技	C	托盘	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FF300R17			1800W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	半桥														不扩散条约	1700伏	第375章		2.3V@15V，300A				3毫安	是的
BUZ73H3046XKSA1	-	询价	3475	英飞凌科技	SIPMOS®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	BUZ73		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		200V	7A（温度）	10V	400mOhm@4.5A，10V	4V@1mA		±20V	530pF@25V	-	40W（温度）
IRFU9N20D	-	询价	5690	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）			IPAK (TO-251AA)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFU9N20D	EAR99	8541.29.0095	75		N沟道		200V	9.4A（温度）	10V	380毫欧@5.6A，10V	5.5V@250μA	27nC@10V	±30V	560pF@25V	-	86W（温度）
IKD04N60RFATMA1	1.1500	询价	2	英飞凌科技	TrenchStop™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IKD04N60	标准		75W		PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人			400V，4A，43欧姆，15V											34纳秒	沟	600伏	8A	12A	2.5V@15V，4A	60μJ（开），50μJ（关）	27nC	12纳秒/116纳秒
IPC60R190E6UNSAWNX6SA1	-	询价	5164	英飞凌科技	-	大部分	过时的				工控机60R						-		1（无限制）	REACH 不出行	SP000857782	过时的	0000.00.0000	1					-
BSL314PEH6327XTSA1	-	询价	3466	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	BSL314		MOSFET（金属O化物）	500毫W		PG-TSOP6-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）			30V	1.5A		140mOhm@1.5A，10V	2V@6.3μA	2.9nC@10V		294pF@15V	逻辑电平门，4.5V驱动
IRFZ48NSTRRPBF	-	询价	9545	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		55V	64A（温度）	10V	14毫欧@32A，10V	4V@250μA	10V时为81nC	±20V	1970pF@25V	-	3.8W（Ta）、130W（Tc）
SI3443DVTRPBF	-	询价	6005	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6			MOSFET（金属O化物）			Micro6™(TSOP-6)	下载		2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		20V	4.4A（塔）	2.5V、4.5V	65毫欧@4.4A，4.5V	1.2V@250μA	15nC@4.5V	±12V	10V时为1079pF	-	2W（塔）
IPP50R199CPHKSA1	-	询价	1640	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IPP50R		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP000236074	EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		550伏	17A（温度）	10V	199毫欧@9.9A，10V	3.5V@660μA	45nC@10V	±20V	1800pF@100V	-	139W（温度）
IRFS59N10DTRRP	-	询价	2440	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100伏	59A（TC）	10V	25毫欧@35.4A，10V	5.5V@250μA	114nC@10V	±30V	2450pF@25V	-	3.8W（Ta）、200W（Tc）
IPD60R600P7SE8228AUMA1	0.8800	询价	2	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD60R		MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		600伏	6A（温度）	10V	600毫欧@1.7A，10V	4V@80μA	9nC@10V	±20V	363 pF @ 400 V	-	30W（温度）
BDP953H6327XTSA1	0.5094	询价	5006	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BDP953			5W		PG-SOT223-4-10	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																100伏	3A						100nA（ICBO）		NPN	500mV@200mA，2A	100@500mA，1V	100兆赫兹

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²