晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
IRFIRF7314PBF	-	询价	4372	英飞凌科技	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
BUZ102SL	-	询价	5703	英飞凌科技	SIPMOS®	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	55V	47A（温度）	4.5V、10V	18毫欧@33A，10V	2V@90μA	90nC@10V	±14V	1730pF@25V	-	120W（温度）
IRFZ24NLPBF	-	询价	7262	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		MOSFET（金属O化物）			TO-262	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	55V	17A（温度）	10V	70毫欧@10A、10V	4V@250μA	20nC@10V	±20V	370pF@25V	-	3.8W（Ta）、45W（Tc）
IPP60R099CPXKSA1	9.4000	询价	1	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IPP60R099	MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	650伏	31A（温度）	10V	99毫欧@18A，10V	3.5V@1.2mA	80nC@10V	±20V	2800pF@100V	-	255W（温度）
IPP80P04P405AKSA1	-	询价	1111	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP80P	MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000652622	EAR99	8541.29.0095	500		P沟道	40V	80A（温度）	10V	5.2毫欧@80A，10V	4V@250μA	151nC@10V	±20V	10300pF@25V	-	125W（温度）
BSS316NL6327HTSA1	-	询价	8612	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）			PG-SOT23	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	30V	1.4A（塔）	4.5V、10V	160毫欧@1.4A，10V	2V@3.7μA	0.6nC@5V	±20V	94pF@15V	-	500毫W（塔）
IPB05N03LB G	-	询价	8533	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB05N	MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	30V	80A（温度）	4.5V、10V	5毫欧@60A，10V	2V@40μA	25nC@5V	±20V	3209pF@15V	-	94W（温度）
FS75R12KE3BOSA1	-	询价	5014	英飞凌科技	-	大部分	SIC停产	150°C（太焦）	安装结构	模块	FS75R12		350W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	天线塔												不扩散条约	1200伏	105A	2.15V@15V，75A	5毫安	是的	5.3nF@25V
IRF7473TRPBF	1.7100	询价	6	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF7473	MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道	100V	6.9A（塔）	10V	26毫欧@4.1A，10V	5.5V@250μA	61nC@10V	±20V	3180pF@25V	-	2.5W（塔）
IRFH7184ATRPBF	-	询价	4985	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	过时的									-		1（无限制）	REACH 不出行	SP001577910	过时的	0000.00.0000	2,500人
SPA20N60CFDXKSA1	3.9983	询价	3369	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	SPA20N60	MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-31	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	600伏	20.7A（温度）	10V	220毫欧@13.1A，10V	5V@1mA	124nC@10V	±20V	25V时为2400pF	-	35W（温度）
BUZ31LH	-	询价	9804	英飞凌科技	SIPMOS®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	200V	13.5A（温度）	5V	200mOhm@7A，5V	2V@1mA		±20V	1600pF@25V	-	95W（温度）
BC 807-40W E6433	-	询价	1330	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	估计807年		250毫W		PG-SOT323	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000														45V	500毫安		100nA（ICBO）			国民党	700毫伏@50毫安，500毫安	250@100mA，1V	200兆赫
IPTG018N10NM5ATMA1	6.1800	询价	1	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerSMD，鸥翼式	IPTG018N	MOSFET（金属O化物）			PG-HSOG-8-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,800		N沟道	100V	32A (Ta), 273A Tc)	6V、10V	1.8毫欧@150A，10V	3.8V@202μA	152nC@10V	±20V	11000pF@50V	-	3.8W（Ta）、273W（Tc）
IRFH5020TRPBF	2.3900	询价	第568章	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	IRFH5020	MOSFET（金属O化物）			8-PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道	200V	5.1A（塔）	10V	55mOhm@7.5A，10V	5V@150μA	54nC@10V	±20V	100V时为2290pF	-	3.6W（Ta）、8.3W（Tc）
IRF200P223	6.9300	询价	第277章	英飞凌科技	强IRFET™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IRF200	MOSFET（金属O化物）			TO-247AC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25		N沟道	200V	100A（温度）	10V	11.5毫欧@60A，10V	4V@270μA	102nC@10V	±20V	5094pF@50V	-	313W（温度）
IRLL3303	-	询价	9015	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA		MOSFET（金属O化物）			SOT-223	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRLL3303	EAR99	8541.29.0095	80		N沟道	30V	4.6A（塔）	4.5V、10V	31毫欧@4.6A，10V	1V@250μA	50nC@10V	±16V	840pF@25V	-	1W（塔）
BCR116SE6327BTSA1	-	询价	3737	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BCR116		250毫W		PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000														50V	100毫安		-			2 NPN - 预偏置（双）	300mV@500μA，10mA	70@5mA，5V	150兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
IRLR8503TR	-	询价	9610	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	30V	44A（温度）	4.5V、10V	16毫欧@15A，10V	3V@250μA	20nC@5V	±20V	1650pF@25V	-	62W（温度）
IPB13N03LBG	0.4000	询价	999	英飞凌科技	*	大部分	的积极				IPB13N	-				-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1											-
IPI60R099CPAAKSA1	-	询价	5310	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI60R099	MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	600伏	31A（温度）	10V	105毫欧@18A，10V	3.5V@1.2mA	80nC@10V	±20V	2800pF@100V	-	255W（温度）
IRF3704STRR	-	询价	9485	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	20V	77A（温度）	4.5V、10V	9毫欧@15A，10V	3V@250μA	19nC@4.5V	±20V	1996pF@10V	-	87W（温度）
AUIRFS4115	-	询价	5324	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AUIRFS4115	MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001520256	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	150伏	99A（TC）	10V	12.1毫欧@62A，10V	5V@250μA	120nC@10V	±20V	5270pF@50V	-	375W（温度）
BSC020N03LSGATMA2	-	询价	3687	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	的积极				BSC020					下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP000959514		0000.00.0000	5,000
IPB200N15N3GATMA1	3.1500	询价	109	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB200	MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	150伏	50A（温度）	8V、10V	20毫欧@50A，10V	4V@90μA	31nC@10V	±20V	75V时为1820pF	-	150W（温度）
BCP6925H6327XTSA1	0.3376	询价	7937	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BCP69		3W		PG-SOT223-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000														20V	1A		100nA（ICBO）			国民党	500mV@100mA，1A	160@500mA，1V	100兆赫兹
IRL3713PBF	-	询价	3206	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	30V	260A（温度）	4.5V、10V	3mOhm@38A，10V	2.5V@250μA	110nC@4.5V	±20V	5890pF@15V	-	330W（温度）
IPP65R600C6XKSA1	-	询价	2398	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IPP65R	MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	650伏	7.3A（温度）	10V	600毫欧@2.1A，10V	3.5V@210μA	23nC@10V	±20V	100V时为440pF	-	63W（温度）
IPD80R2K8CEATMA1	1.2000年	询价	8457	英飞凌科技	CoolMOS™ CE	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD80R2	MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	800V	1.9A（温度）	10V	2.8欧姆@1.1A，10V	3.9V@120μA	12nC@10V	±20V	100V时为290pF	-	42W（温度）
IRFB7540PBF	1.6900	询价	第459章	英飞凌科技	HEXFET®、StrongIRFET™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRFB7540	MOSFET（金属O化物）			TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	60V	110A（温度）	6V、10V	5.1毫欧@65A，10V	3.7V@100μA	130nC@10V	±20V	4555pF@25V	-	160W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²