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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IRGP4660D-EPBF	-	RFQ	4800	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRGP4660	标准		330 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			400V，48a，10ohm，15V												115 ns	-	600 v	100 a	144 a	1.9V @ 15V，48a	（625µJ）（在），1.28mj off）	140 NC	60NS/145NS
IGW50N60H3FKSA1	6.5000	RFQ	225	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IGW50N60	标准		333 w		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，50a，7ohm，15V													沟渠场停止	600 v	100 a	200 a	2.3V @ 15V，50a	2.36mj	315 NC	23ns/235ns
IRGP4066-EPBF	-	RFQ	3725	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		454 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001540800	Ear99	8541.29.0095	25			400V，75A，10欧姆，15V													沟	600 v	140 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	2.47mj（在）上，2.16mj off）	150 NC	50NS/200NS
IKW30N65NL5XKSA1	-	RFQ	8266	Infineon技术	Trenchstop™5	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ikw30n	标准		227 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240			400V，30a，23ohm，15V												59 ns	-	650 v	85 a	120 a	1.35V @ 15V，30a	560µJ（在）上，1.35MJ（OFF）	168 NC	59NS/283NS
IRGP6640D-EPBF	-	RFQ	2913	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001546152	Ear99	8541.29.0095	25			400V，24a，10ohm，15V												70 ns	-	600 v	53 a	72 a	1.95V @ 15V，24a	（90µJ）（在600µJ上）	50 NC	40NS/100NS
IRG4PC30FDPBF	-	RFQ	8870	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PC30	标准		100 W		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			480V，17a，23ohm，15v												42 ns	-	600 v	31 a	120 a	1.8V @ 15V，17a	630µJ（在）上，1.39mj off）	51 NC	42NS/230NS
IRG4BC20KDPBF	-	RFQ	3228	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			480V，9a，50ohm，15V												37 ns	-	600 v	16 a	32 a	2.8V @ 15V，9a	（340µJ）（300µJ（）	34 NC	54NS/180NS
IPB65R110CFDATMA2	6.8400	RFQ	2447	Infineon技术	CoolMos™CFD2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R110		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			650 v	31.2A（TC）	10V	110mohm @ 12.7a，10v	4.5V @ 1.3mA	118 NC @ 10 V	±20V	3240 pf @ 100 V	-	277.8W（TC）
IRF7862TRPBF	1.2300	RFQ	14	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7862		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道			30 V	21a（21a）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 20A，10V	2.35V @ 100µA	45 NC @ 4.5 V	±20V	4090 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FS75R12KE3B9BPSA1	184.7500	RFQ	5465	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS75R12			350 w	标准	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	完整的桥梁逆变器															-	1200 v	105 a		2.15V @ 15V，75a				5 ma	是的	5.3 nf @ 25 V
IRGP4750DPBF	-	RFQ	6432	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		273 w		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			400V，35a，10ohm，15V												150 ns	-	650 v	70 a	105 a	2V @ 15V，35a	1.3mj（在）上，500µJ（OFF）	105 NC	50NS/105NS
IPA80R1K4P7	-	RFQ	6451	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-31完整包	下载						0000.00.0000	1		n通道			800 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.4A，10V	3.5V @ 70µA	10 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 500 V	-	24W（TC）
SPI20N60CFD	1.9300	RFQ	168	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	168		n通道			600 v	20.7A（TC）	10V	220MOHM @ 13.1A，10V	5V @ 1mA	124 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	208W（TC）
AUIRR2203N	-	RFQ	4411	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			30 V	75A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 60a，10v	1V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±16V	3290 pf @ 25 V	-	180W（TC）
BFP450E6327	-	RFQ	1849年	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343				450MW		PG-SOT343-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1				15.5db													5V	100mA									NPN		60 @ 50mA，4V	24GHz			1.25dB @ 1.8GHz
ISP75DP06LMXTSA1	0.6300	RFQ	8725	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ISP75D		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道			60 V	1.1A（TA）	4.5V，10V	750MOHM @ 1.1A，10V	2V @ 77µA	4 NC @ 10 V	±20V	120 pf @ 30 V	-	1.8W（ta），4.2W（TC）
IKW30N65EL5XKSA1	5.5600	RFQ	5009	Infineon技术	Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW30N65	标准		227 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V												100 ns	-	650 v	85 a	120 a	1.35V @ 15V，30a	470µJ（在）上，1.35mj off）	168 NC	33NS/308NS
irlu3303pbf	-	RFQ	4319	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道			30 V	35A（TC）	4.5V，10V	31mohm @ 21a，10v	1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±16V	870 pf @ 25 V	-	68W（TC）
IRG4BC20SPBF	-	RFQ	8625	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			480V，10a，50ohm，15V													-	600 v	19 a	38 a	1.6V @ 15V，10a	（120µJ）（在），2.05MJ（OFF）上）	27 NC	27NS/540NS
IRFS4228pbf	3.5400	RFQ	4	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001571734	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			150 v	83A（TC）	10V	15mohm @ 33a，10v	5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±30V	4530 PF @ 25 V	-	330W（TC）
IRLR8721TRPBF	-	RFQ	5522	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道			30 V	65A（TC）	4.5V，10V	8.4mohm @ 25a，10v	2.35V @ 25µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1030 pf @ 15 V	-	65W（TC）
IRG4BC40KPBF	-	RFQ	5341	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRG4BC40	标准		160 w		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			480V，25a，10ohm，15V													-	600 v	42 a	84 a	2.6V @ 15V，25a	620µJ（在）上，330µJ（OFF）	120 NC	30NS/140NS
IKFW90N60EH3XKSA1	12.7500	RFQ	248	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKFW90	标准		178 w		pg-to247-3-ai	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，75A，5OHM，15V												107 ns	沟渠场停止	600 v	77 a	300 a	2.3V @ 15V，75a	2.65MJ（在）上，1.3MJ off）	440 NC	32NS/210NS
FP50R06KE3GBOSA1	104.1200	RFQ	140	Infineon技术	Econopim™3	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				190 w	标准	AG-ECONO3-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器															沟渠场停止	600 v	60 a		1.9V @ 15V，50a				1 MA	是的	3.1 NF @ 25 V
BCR141TE6327	0.0200	RFQ	21	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR141			250兆		PG-SOT23-3-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000																	50 V	100 ma						100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 5mA，5v	130 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
IPLK80R750P7ATMA1	1.7100	RFQ	6393	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-POWERTDFN	IPLK80		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		-			800 v	-	-	-	-		±20V		-	-
IRG8CH29K10D	-	RFQ	8420	Infineon技术	-	大部分	过时的				IRG8CH						下载		不适用	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
IRG4BC20UDPBF	-	RFQ	4566	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			480V，6.5a，50ohm，15V												37 ns	-	600 v	13 a	52 a	2.1V @ 15V，6.5a	160µJ（在）上，130µJ（OFF）	27 NC	39NS/93NS
IRG4PSH71KDPBF	-	RFQ	2109	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA	IRG4PSH71	标准		350 w		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			800V，42A，5OHM，15V												107 ns	-	1200 v	78 a	156 a	3.9V @ 15V，42a	5.68MJ（在）上，3.23mj off）	410 NC	67NS/230NS
BSC0924NDIATMA1	1.3500	RFQ	79	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC0924		MOSFET （金属 o化物）	1W		PG-Tison-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）				30V	17a，32a		5mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	10NC @ 4.5V		1160pf @ 15V	逻辑级别门，4.5V驱动器

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²