晶体管(61)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce
G2R1000MT17J	6.4400	询价	14	基恩碳化硅半导体	G2R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	G2R1000	SiCFET（碳化硅）			TO-263-7	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G2R1000MT17J	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	1700伏	3A（温度）	20V	1.2欧姆@2A，20V	4V@2mA		+20V，-10V	139pF@1000V	-	54W（温度）
GA08JT17-247	-	询价	7236	基恩碳化硅半导体	-	管子	过时的	175°C（太焦）	通孔	TO-247-3		SiC（碳化硅结晶体管）			TO-247AB	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30		-	1700伏	8A（温度）（90°C）	-	250毫欧@8A	-		-		-	48W（温度）
GA100JT12-227	-	询价	2862	基恩碳化硅半导体	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块		SiC（碳化硅结晶体管）			SOT-227	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	10		-	1200伏	160A（温度）	-	10毫欧@100A	-		-	800V时为14400pF	-	535W（温度）
G2R50MT33K	295.6700	询价	78	基恩碳化硅半导体	G2R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4		SiCFET（碳化硅）			TO-247-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G2R50MT33K	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	3300伏	63A（温度）	20V	50毫欧@40A，20V	3.5V@10mA（典型值）	340nC@20V	+25V，-10V	7301pF@1000V	标准	536W（温度）
GA06JT12-247	-	询价	6492	基恩碳化硅半导体	-	管子	过时的	175°C（太焦）	通孔	TO-247-3		SiC（碳化硅结晶体管）			TO-247AB	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30		-	1200伏	6A（温度）（90°C）	-	220毫欧@6A	-		-		-	-
GA05JT12-263	-	询价	4245	基恩碳化硅半导体	-	管子	过时的	175°C（太焦）	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	GA05JT12	SiC（碳化硅结晶体管）			TO-263-7	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		-	1200伏	15A（温度）	-	-	-		-		-	106W（温度）
G3R350MT12J	5.5100	询价	5	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	G3R350	SiCFET（碳化硅）			TO-263-7	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G3R350MT12J	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	1200伏	11A（温度）	15V	420毫欧@4A，15V	2.69V@2mA	12nC@15V	±15V	800V时为334pF	-	75W（温度）
GA05JT12-247	-	询价	1135	基恩碳化硅半导体	-	管子	过时的	175°C（太焦）	通孔	TO-247-3		SiC（碳化硅结晶体管）			TO-247AB	-		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30		-	1200伏	5A（温度）	-	280毫欧@5A	-		-		-	106W（温度）
2N7636-GA	-	询价	8687	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的	-55°C ~ 225°C（太焦）	表面贴装	TO-276AA		SiC（碳化硅结晶体管）			TO-276	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		1242-1147	EAR99	8541.29.0095	10		-	650伏	4A（温度）（165°C）	-	415毫欧@4A	-		-	324pF@35V	-	125W（温度）
G3R75MT12K	10.7700	询价	1	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	G3R75	SiCFET（碳化硅）			TO-247-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G3R75MT12K	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	1200伏	41A（温度）	15V	90毫欧@20A，15V	2.69V@7.5mA	54nC@15V	±15V	800V时为1560pF	-	207W（温度）
G2R120MT33J	108.0300	询价	第1567章	基恩碳化硅半导体	G2R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	G2R120	SiCFET（碳化硅）			TO-263-7	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G2R120MT33J	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	3300伏	35A	20V	156毫欧@20A，20V	-	145nC@20V	+25V，-10V	1000V时为3706pF	-	-
2N7640-GA	-	询价	5917	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的	-55°C ~ 225°C（太焦）	表面贴装	TO-276AA		SiC（碳化硅结晶体管）			TO-276	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		1242-1151	EAR99	8541.29.0095	10		-	650伏	16A（温度）（155°C）	-	105毫欧@16A	-		-	1534pF@35V	-	330W（温度）
GA20JT12-247	-	询价	9649	基恩碳化硅半导体	-	管子	过时的	175°C（太焦）	通孔	TO-247-3		SiC（碳化硅结晶体管）			TO-247AB	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30		-	1200伏	20A（温度）	-	70毫欧@20A	-		-		-	282W（温度）
G3R160MT17D	12.2400	询价	9458	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	G3R160	SiCFET（碳化硅）			TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G3R160MT17D	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	1700伏	21A（温度）	15V	208毫欧@12A，15V	2.7V@5mA	51nC@15V	±15V	1272pF@1000V	-	175W（温度）
G3R40MT12K	17.6700	询价	4250	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	G3R40	SiCFET（碳化硅）			TO-247-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G3R40MT12K	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	1200伏	71A（温度）	15V	48毫欧@35A，15V	2.69V@10mA	106nC@15V	±15V	800V时为2929pF	-	333W（温度）
G3R40MT12D	17.4200	询价	6690	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	G3R40	SiCFET（碳化硅）			TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G3R40MT12D	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	1200伏	71A（温度）	15V	48毫欧@35A，15V	2.69V@10mA	106nC@15V	±15V	800V时为2929pF	-	333W（温度）
G3R30MT12J	22.8300	询价	第489章	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	G3R30	SiCFET（碳化硅）			TO-263-7	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G3R30MT12J	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	1200伏	96A（温度）	15V	36mOhm@50A，15V	2.69V@12mA	155nC@15V	±15V	800V时为3901pF	-	459W（温度）
G3R160MT12D	6.5200	询价	8130	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	G3R160	SiCFET（碳化硅）			TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G3R160MT12D	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	1200伏	22A（温度）	15V	192毫欧@10A，15V	2.69V@5mA	28nC@15V	±15V	730 pF @ 800 V	-	123W（温度）
G3R45MT17D	32.7300	询价	4427	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	G3R45	SiCFET（碳化硅）			TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G3R45MT17D	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	1700伏	61A（温度）	15V	58毫欧@40A，15V	2.7V@8mA	182nC@15V	±15V	1000V时为4523pF	-	438W（温度）
GB100XCP12-227	-	询价	4226	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的	-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4				标准	SOT-227	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	10	单身的												PT	1200伏	100A	2V@15V，100A	1毫安	不	8.55nF@25V
2N7638-GA	-	询价	2645	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的	-55°C ~ 225°C（太焦）	表面贴装	TO-276AA		SiC（碳化硅结晶体管）			TO-276	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		1242-1149	EAR99	8541.29.0095	10		-	650伏	8A（温度）（158°C）	-	170毫欧@8A	-		-	720pF@35V	-	200W（温度）
G3R12MT12K	69.1800	询价	8861	基恩碳化硅半导体	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	G3R12M	SiCFET（碳化硅）			TO-247-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G3R12MT12K	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	1200伏	157A（TC）	15V、18V	13毫欧@100A，18V	2.7V@50mA	288nC@15V	+22V，-10V	9335pF@800V	-	567W（温度）
GA16JT17-247	-	询价	9298	基恩碳化硅半导体	-	管子	过时的	175°C（太焦）	通孔	TO-247-3		SiC（碳化硅结晶体管）			TO-247AB	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30		-	1700伏	16A（温度）（90°C）	-	110毫欧@16A	-		-		-	282W（温度）
GA05JT03-46	-	询价	4907	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的	-55°C ~ 225°C（太焦）	通孔	TO-46-3	GA05JT03	SiC（碳化硅结晶体管）			TO-46	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-1252	EAR99	8541.29.0095	200		-	300伏	9A（温度）	-	240毫欧@5A	-		-		-	20W（温度）
G3R40MT12J	17.9800	询价	39	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	G3R40	SiCFET（碳化硅）			TO-263-7	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G3R40MT12J	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	1200伏	75A（温度）	15V	48毫欧@35A，15V	2.69V@10mA	106nC@15V	±15V	800V时为2929pF	-	374W（温度）
GA04JT17-247	-	询价	7798	基恩碳化硅半导体	-	管子	过时的	175°C（太焦）	通孔	TO-247-3		SiC（碳化硅结晶体管）			TO-247AB	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30		-	1700伏	4A（温度）（95°C）	-	480毫欧@4A	-		-		-	106W（温度）
GA100JT17-227	-	询价	8479	基恩碳化硅半导体	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块		SiC（碳化硅结晶体管）			SOT-227	下载		1（无限制）		1242-1314	EAR99	8541.29.0095	10		-	1700伏	160A（温度）	-	10毫欧@100A	-		-	800V时为14400pF	-	535W（温度）
G3R60MT07K	10.4000	询价	2	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-	通孔	TO-247-4		SiCFET（碳化硅）			TO-247-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	1242-G3R60MT07K	EAR99	8541.29.0095	30		-	750伏	-	-	-	-		+20V，-10V		-	-
GA100SCPL12-227E	-	询价	2987	基恩碳化硅半导体	-	管子	过时的	-	-	-	GA100	-	-		-	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	-		-	-		-	-	-		-	-
GA10JT12-247	-	询价	9924	基恩碳化硅半导体	-	管子	过时的	175°C（太焦）	通孔	TO-247-3		SiC（碳化硅结晶体管）			TO-247AB	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30		-	1200伏	10A（温度）	-	140毫欧@10A	-		-		-	170W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(61)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²