SIC
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61）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor G3R45MT17K 33.0700
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 G3R45 sicfet （碳化硅） TO-247-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R45MT17K Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1700 v 61A（TC） 15V 58mohm @ 40a，15v 2.7V @ 8mA 182 NC @ 15 V ±15V 4523 PF @ 1000 V - 438W（TC）
G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor G3R75MT12K 10.7700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 G3R75 sicfet （碳化硅） TO-247-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R75MT12K Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 41A（TC） 15V 90MOHM @ 20a，15v 2.69V @ 7.5mA 54 NC @ 15 V ±15V 1560 pf @ 800 V - 207W（TC）
G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J 7.2600
RFQ
 ECAD 356 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA G3R160 sicfet （碳化硅） TO-263-7 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R160MT12J Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1200 v 19a（tc） 15V 208mohm @ 10a，15v 2.7V @ 5ma（（typ） 23 NC @ 15 V +20V，-10V 724 PF @ 800 V - 128W（TC）
GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227 -
RFQ
 ECAD 2862 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 SIC （硅碳化物交界晶体管） SOT-227 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 10 - 1200 v 160a（TC） - 10mohm @ 100a - - 14400 PF @ 800 V - 535W（TC）
G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J 6.4400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 基因半导体 G2R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA G2R1000 sicfet （碳化硅） TO-263-7 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G2R1000MT17J Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1700 v 3A（TC） 20V 1.2OHM @ 2A，20V 4V @ 2mA +20V，-10V 139 pf @ 1000 V - 54W（TC）
G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D 5.4400
RFQ
 ECAD 717 0.00000000 基因半导体 G2R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 G2R1000 sicfet （碳化硅） TO-247-3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G2R1000MT17D Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1700 v 5A（TC） 20V 1.2OHM @ 2A，20V 5.5V @ 500µA 11 NC @ 20 V +25V，-10V 111 PF @ 1000 V - 44W（TC）
GA50JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247 -
RFQ
 ECAD 1823年 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-247AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 - 1200 v 100A（TC） - 25mohm @ 50a - - 7209 PF @ 800 V - 583W（TC）
G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N 56.2000
RFQ
 ECAD 9403 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 G3R20 sicfet （碳化硅） SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R20MT12N Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1200 v 105A（TC） 15V 24mohm @ 60a，15v 2.69V @ 15mA 219 NC @ 15 V +20V，-10V 5873 PF @ 800 V - 365W（TC）
G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J 108.0300
RFQ
 ECAD 1567年 0.00000000 基因半导体 G2R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA G2R120 sicfet （碳化硅） TO-263-7 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G2R120MT33J Ear99 8541.29.0095 50 n通道 3300 v 35a 20V 156mohm @ 20a，20v - 145 NC @ 20 V +25V，-10V 3706 PF @ 1000 V - -
GA05JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA05JT12-263 -
RFQ
 ECAD 4245 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA GA05JT12 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-263-7 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 - 1200 v 15A（TC） - - - - - 106W（TC）
G3R20MT17N GeneSiC Semiconductor G3R20MT17N 135.4600
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 G3R20 sicfet （碳化硅） SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R20MT17N Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1700 v 100A（TC） 15V 26mohm @ 75a，15v 2.7V @ 15mA 400 NC @ 15 V ±15V 10187 PF @ 1000 V - 523W（TC）
GA05JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA05JT12-247 -
RFQ
 ECAD 1135 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-247AB - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 - 1200 v 5A（TC） - 280MOHM @ 5A - - - 106W（TC）
2N7636-GA GeneSiC Semiconductor 2N7636-GA -
RFQ
 ECAD 8687 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -55°C〜225°C（TJ） 表面安装 TO-276AA SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-276 - Rohs不合规 （1 （无限） 1242-1147 Ear99 8541.29.0095 10 - 650 v 4A（TC）（165°C） - 415MOHM @ 4A - - 324 pf @ 35 V - 125W（TC）
GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA06JT12-247 -
RFQ
 ECAD 6492 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-247AB 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 - 1200 v 6A（TC）（90°C） - 220MOHM @ 6A - - - -
GB100XCP12-227 GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227 -
RFQ
 ECAD 4226 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4 标准 SOT-227 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 10 单身的 pt 1200 v 100 a 2V @ 15V，100a 1 MA 不 8.55 NF @ 25 V
G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D 17.4200
RFQ
 ECAD 6690 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 G3R40 sicfet （碳化硅） TO-247-3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R40MT12D Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 71A（TC） 15V 48mohm @ 35a，15v 2.69V @ 10mA 106 NC @ 15 V ±15V 2929 PF @ 800 V - 333W（TC）
G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D 6.5200
RFQ
 ECAD 8130 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 G3R160 sicfet （碳化硅） TO-247-3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R160MT12D Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 22a（TC） 15V 192MOHM @ 10a，15v 2.69V @ 5mA 28 NC @ 15 V ±15V 730 PF @ 800 V - 123W（TC）
G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J 22.8300
RFQ
 ECAD 489 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA G3R30 sicfet （碳化硅） TO-263-7 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R30MT12J Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1200 v 96A（TC） 15V 36mohm @ 50a，15v 2.69V @ 12mA 155 NC @ 15 V ±15V 3901 PF @ 800 V - 459W（TC）
G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D 32.7300
RFQ
 ECAD 4427 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 G3R45 sicfet （碳化硅） TO-247-3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R45MT17D Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1700 v 61A（TC） 15V 58mohm @ 40a，15v 2.7V @ 8mA 182 NC @ 15 V ±15V 4523 PF @ 1000 V - 438W（TC）
2N7638-GA GeneSiC Semiconductor 2N7638-GA -
RFQ
 ECAD 2645 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -55°C〜225°C（TJ） 表面安装 TO-276AA SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-276 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 1242-1149 Ear99 8541.29.0095 10 - 650 v 8A（TC）（158°C） - 170MOHM @ 8A - - 720 PF @ 35 V - 200W（TC）
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K 69.1800
RFQ
 ECAD 8861 0.00000000 基因半导体 - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 G3R12M sicfet （碳化硅） TO-247-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R12MT12K Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 157a（TC） 15V，18V 13mohm @ 100a，18v 2.7V @ 50mA 288 NC @ 15 V +22V，-10V 9335 PF @ 800 V - 567W（TC）
G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J 17.9800
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA G3R40 sicfet （碳化硅） TO-263-7 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R40MT12J Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1200 v 75A（TC） 15V 48mohm @ 35a，15v 2.69V @ 10mA 106 NC @ 15 V ±15V 2929 PF @ 800 V - 374W（TC）
GA04JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA04JT17-247 -
RFQ
 ECAD 7798 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-247AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 - 1700 v 4A（TC）（95°C） - 480MOHM @ 4A - - - 106W（TC）
GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor GA100JT17-227 -
RFQ
 ECAD 8479 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 SIC （硅碳化物交界晶体管） SOT-227 下载 （1 （无限） 1242-1314 Ear99 8541.29.0095 10 - 1700 v 160a（TC） - 10mohm @ 100a - - 14400 PF @ 800 V - 535W（TC）
G3R40MT12K GeneSiC Semiconductor G3R40MT12K 17.6700
RFQ
 ECAD 4250 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 G3R40 sicfet （碳化硅） TO-247-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R40MT12K Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 71A（TC） 15V 48mohm @ 35a，15v 2.69V @ 10mA 106 NC @ 15 V ±15V 2929 PF @ 800 V - 333W（TC）
G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K 10.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-4 sicfet （碳化硅） TO-247-4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-G3R60MT07K Ear99 8541.29.0095 30 - 750 v - - - - +20V，-10V - -
GA16JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA16JT17-247 -
RFQ
 ECAD 9298 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-247AB 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 - 1700 v 16A（TC）（90°C） - 110mohm @ 16a - - - 282W（TC）
GA05JT03-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT03-46 -
RFQ
 ECAD 4907 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -55°C〜225°C（TJ） 通过洞 TO-46-3 GA05JT03 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-46 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1252 Ear99 8541.29.0095 200 - 300 v 9A（TC） - 240MOHM @ 5A - - - 20W（TC）
2N7637-GA GeneSiC Semiconductor 2N7637-GA -
RFQ
 ECAD 1163 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -55°C〜225°C（TJ） 通过洞 TO-257-3 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-257 - Rohs不合规 （1 （无限） 1242-1148 Ear99 8541.29.0095 10 - 650 v （7A （TC）（165°C） - 170MOHM @ 7A - - 720 PF @ 35 V - 80W（TC）
GA10JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247 -
RFQ
 ECAD 9924 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-247AB 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 - 1200 v 10A（TC） - 140MOHM @ 10A - - - 170W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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