SIC
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61）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C
2N7635-GA GeneSiC Semiconductor 2N7635-GA -
RFQ
 ECAD 9225 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -55°C〜225°C（TJ） 通过洞 TO-257-3 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-257 - Rohs不合规 （1 （无限） 1242-1146 Ear99 8541.29.0095 10 - 650 v 4A（TC）（165°C） - 415MOHM @ 4A - - 324 pf @ 35 V - 47W（TC）
G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J 12.9800
RFQ
 ECAD 1161 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA G3R160 sicfet （碳化硅） TO-263-7 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R160MT17J Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1700 v 22a（TC） 15V 208mohm @ 12a，15v 2.7V @ 5mA 51 NC @ 15 V ±15V 1272 PF @ 1000 V - 187W（TC）
G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J 11.0300
RFQ
 ECAD 9581 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA G3R75 sicfet （碳化硅） TO-263-7 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R75MT12J Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1200 v 42A（TC） 15V 90MOHM @ 20a，15v 2.69V @ 7.5mA 54 NC @ 15 V ±15V 1560 pf @ 800 V - 224W（TC）
G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor G3R75MT12D 10.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 G3R75 sicfet （碳化硅） TO-247-3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R75MT12D Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 41A（TC） 15V 90MOHM @ 20a，15v 2.69V @ 7.5mA 54 NC @ 15 V ±15V 1560 pf @ 800 V - 207W（TC）
G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J 18.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 基因半导体 G2R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA G2R1000 sicfet （碳化硅） TO-263-7 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G2R1000MT33J Ear99 8541.29.0095 50 n通道 3300 v 4A（TC） 20V 1.2OHM @ 2A，20V 3.5V @ 2mA 21 NC @ 20 V +20V，-5V 238 PF @ 1000 V - 74W（TC）
GA35XCP12-247 GeneSiC Semiconductor GA35XCP12-247 -
RFQ
 ECAD 7101 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 标准 TO-247AB 下载 （1 （无限） 1242-1141 Ear99 8541.29.0095 30 800V，35A，22OHM，15V 36 NS pt 1200 v 35 a 3V @ 15V，35a 2.66mj（在）上，4.35mj off） 50 NC -
GA50JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA50JT17-247 -
RFQ
 ECAD 5672 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-247 下载 （1 （无限） 1242-1247 Ear99 8541.29.0095 30 - 1700 v 100A（TC） - 25mohm @ 50a - - - 583W（TC）
GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-263 36.7400
RFQ
 ECAD 4850 0.00000000 基因半导体 - 管子 积极的 175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA GA20JT12 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-263-7 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 - 1200 v 45A（TC） - 60mohm @ 20a - - 3091 PF @ 800 V - 282W（TC）
GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263 29.3250
RFQ
 ECAD 9279 0.00000000 基因半导体 - 管子 积极的 175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA GA10SICP12 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-263-7 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 - 1200 v 25A（TC） - 100mohm @ 10a - - 1403 PF @ 800 V - 170W（TC）
G3R20MT17K GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K 107.2000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 G3R20 sicfet （碳化硅） TO-247-4 - Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R20MT17K Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1700 v 124A（TC） 15V 26mohm @ 75a，15v 2.7V @ 15mA 400 NC @ 15 V ±15V 10187 PF @ 1000 V - 809W（TC）
GA50JT06-258 GeneSiC Semiconductor GA50JT06-258 625.7790
RFQ
 ECAD 9468 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C〜225°C（TJ） 通过洞 TO-258-3，TO-258AA GA50JT06 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-258 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1253 Ear99 8541.29.0095 10 - 600 v 100A（TC） - 25mohm @ 50a - - - 769W（TC）
G3R450MT17J GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J 8.0400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA G3R450 sicfet （碳化硅） TO-263-7 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R450MT17J Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1700 v 9A（TC） 15V 585MOHM @ 4A，15V 2.7V @ 2mA 18 nc @ 15 V ±15V 454 pf @ 1000 V - 91W（TC）
GA10JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263 -
RFQ
 ECAD 5630 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 175°C（TJ） 表面安装 - GA10JT12 SIC （硅碳化物交界晶体管） - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 - 1200 v 25A（TC） - 120mohm @ 10a - - 1403 PF @ 800 V - 170W（TC）
2N7639-GA GeneSiC Semiconductor 2N7639-GA -
RFQ
 ECAD 7360 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -55°C〜225°C（TJ） 通过洞 TO-257-3 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-257 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 1242-1150 Ear99 8541.29.0095 10 - 650 v 15A（TC）（155°C） - 105mohm @ 15a - - 1534 PF @ 35 V - 172W（TC）
G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D 4.7400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 G3R350 sicfet （碳化硅） TO-247-3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R350MT12D Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 11A（TC） 15V 420MOHM @ 4A，15V 2.69V @ 2mA 12 nc @ 15 V ±15V 334 PF @ 800 V - 74W（TC）
G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K 36.0900
RFQ
 ECAD 3655 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 G3R20 sicfet （碳化硅） TO-247-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R20MT12K Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 128a（TC） 15V 24mohm @ 60a，15v 2.69V @ 15mA 219 NC @ 15 V ±15V 5873 PF @ 800 V - 542W（TC）
GA05JT01-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT01-46 -
RFQ
 ECAD 7264 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -55°C〜225°C（TJ） 通过洞 TO-46-3 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-46 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1251 Ear99 8541.29.0095 200 - 100 v 9A（TC） - 240MOHM @ 5A - - - 20W（TC）
GA03JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA03JT12-247 -
RFQ
 ECAD 8291 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-247AB 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 - 1200 v 3A（TC）（95°C） - 460MOHM @ 3A - - - 15W（TC）
GA20JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-247 -
RFQ
 ECAD 9649 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-247AB 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 - 1200 v 20A（TC） - 70mohm @ 20a - - - 282W（TC）
GA08JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA08JT17-247 -
RFQ
 ECAD 7236 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-247AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 - 1700 v （8a tc）（90°C）（90°C） - 250MOHM @ 8A - - - 48W（TC）
GA50JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA50JT12-263 -
RFQ
 ECAD 6024 0.00000000 基因半导体 * 管子 过时的 - （1 （无限） 过时的 50 - -
G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D 10.1400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 sicfet （碳化硅） TO-247-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-G3R60MT07D Ear99 8541.29.0095 30 - 750 v - - - - +20V，-10V - -
G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D 12.2400
RFQ
 ECAD 9458 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 G3R160 sicfet （碳化硅） TO-247-3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R160MT17D Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1700 v 21a（TC） 15V 208mohm @ 12a，15v 2.7V @ 5mA 51 NC @ 15 V ±15V 1272 PF @ 1000 V - 175W（TC）
G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor G3R30MT12K 22.5300
RFQ
 ECAD 844 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 G3R30 sicfet （碳化硅） TO-247-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R30MT12K Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 90A（TC） 15V 36mohm @ 50a，15v 2.69V @ 12mA 155 NC @ 15 V ±15V 3901 PF @ 800 V - 400W（TC）
G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D 7.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 G3R450 sicfet （碳化硅） TO-247-3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R450MT17D Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1700 v 9A（TC） 15V 585MOHM @ 4A，15V 2.7V @ 2mA 18 nc @ 15 V ±15V 454 pf @ 1000 V - 88W（TC）
G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J 5.5100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA G3R350 sicfet （碳化硅） TO-263-7 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R350MT12J Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1200 v 11A（TC） 15V 420MOHM @ 4A，15V 2.69V @ 2mA 12 nc @ 15 V ±15V 334 PF @ 800 V - 75W（TC）
G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J 10.7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 - 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA sicfet （碳化硅） TO-263-7 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-G3R60MT07J Ear99 8541.29.0095 50 - 750 v - - - - +20V，-10V - -
G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor G2R50MT33K 295.6700
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 基因半导体 G2R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 sicfet （碳化硅） TO-247-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G2R50MT33K Ear99 8541.29.0095 30 n通道 3300 v 63A（TC） 20V 50mohm @ 40a，20v 3.5V @ 10mA（typ） 340 NC @ 20 V +25V，-10V 7301 PF @ 1000 V 标准 536W（TC）
2N7640-GA GeneSiC Semiconductor 2N7640-GA -
RFQ
 ECAD 5917 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -55°C〜225°C（TJ） 表面安装 TO-276AA SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-276 - Rohs不合规 （1 （无限） 1242-1151 Ear99 8541.29.0095 10 - 650 v 16A（TC）（155°C） - 105mohm @ 16a - - 1534 PF @ 35 V - 330W（TC）
GA20SICP12-247 GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-247 -
RFQ
 ECAD 4247 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-247AB 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 - 1200 v 45A（TC） - 50MOHM @ 20A - - 3091 PF @ 800 V - 282W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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