晶体管(61)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
G3R75MT12J	11.0300	询价	9581	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	G3R75		SiCFET（碳化硅）	TO-263-7	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G3R75MT12J	EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		1200伏	42A（温度）	15V	90毫欧@20A，15V	2.69V@7.5mA	54nC@15V	±15V	800V时为1560pF	-	224W（温度）
G3R160MT17J	12.9800	询价	1161	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	G3R160		SiCFET（碳化硅）	TO-263-7	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G3R160MT17J	EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		1700伏	22A（温度）	15V	208毫欧@12A，15V	2.7V@5mA	51nC@15V	±15V	1272pF@1000V	-	187W（温度）
G2R1000MT33J	18.6900	询价	1	基恩碳化硅半导体	G2R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	G2R1000		SiCFET（碳化硅）	TO-263-7	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G2R1000MT33J	EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		3300伏	4A（温度）	20V	1.2欧姆@2A，20V	3.5V@2mA	21nC@20V	+20V，-5V	1000V时为238pF	-	74W（温度）
G3R450MT17J	8.0400	询价	7	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	G3R450		SiCFET（碳化硅）	TO-263-7	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G3R450MT17J	EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		1700伏	9A（温度）	15V	585毫欧@4A，15V	2.7V@2mA	18nC@15V	±15V	454pF@1000V	-	91W（温度）
G3R350MT12D	4.7400	询价	3	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	G3R350		SiCFET（碳化硅）	TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G3R350MT12D	EAR99	8541.29.0095	30	N沟道		1200伏	11A（温度）	15V	420毫欧@4A，15V	2.69V@2mA	12nC@15V	±15V	800V时为334pF	-	74W（温度）
GA35XCP12-247	-	询价	7101	基恩碳化硅半导体	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-247-3		标准		TO-247AB	下载		1（无限制）		1242-1141	EAR99	8541.29.0095	30		800V，35A，22欧姆，15V											36纳秒	PT	1200伏	35A	3V@15V，35A	2.66mJ（开），4.35mJ（关）	50纳克	-
GA10JT12-263	-	询价	5630	基恩碳化硅半导体	-	管子	过时的	175°C（太焦）	表面贴装	-	GA10JT12		SiC（碳化硅结晶体管）	-	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50	-		1200伏	25A（温度）	-	120毫欧@10A	-		-	800V时为1403pF	-	170W（温度）
GA05JT01-46	-	询价	7264	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的	-55°C ~ 225°C（太焦）	通孔	TO-46-3			SiC（碳化硅结晶体管）	TO-46	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-1251	EAR99	8541.29.0095	200	-		100伏	9A（温度）	-	240毫欧@5A	-		-		-	20W（温度）
2N7639-GA	-	询价	7360	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的	-55°C ~ 225°C（太焦）	通孔	TO-257-3			SiC（碳化硅结晶体管）	TO-257	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		1242-1150	EAR99	8541.29.0095	10	-		650伏	15A（温度）（155°C）	-	105毫欧@15A	-		-	1534pF@35V	-	172W（温度）
2N7635-GA	-	询价	9225	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的	-55°C ~ 225°C（太焦）	通孔	TO-257-3			SiC（碳化硅结晶体管）	TO-257	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		1242-1146	EAR99	8541.29.0095	10	-		650伏	4A（温度）（165°C）	-	415毫欧@4A	-		-	324pF@35V	-	47W（温度）
GA50JT06-258	625.7790	询价	9468	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极	-55°C ~ 225°C（太焦）	通孔	TO-258-3、TO-258AA	GA50JT06		SiC（碳化硅结晶体管）	TO-258	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-1253	EAR99	8541.29.0095	10	-		600伏	100A（温度）	-	25毫欧@50A	-		-		-	769W（温度）
GA50JT17-247	-	询价	5672	基恩碳化硅半导体	-	管子	过时的	175°C（太焦）	通孔	TO-247-3			SiC（碳化硅结晶体管）	TO-247	下载		1（无限制）		1242-1247	EAR99	8541.29.0095	30	-		1700伏	100A（温度）	-	25毫欧@50A	-		-		-	583W（温度）
G3R75MT12D	10.5000	询价	3	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	G3R75		SiCFET（碳化硅）	TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G3R75MT12D	EAR99	8541.29.0095	30	N沟道		1200伏	41A（温度）	15V	90毫欧@20A，15V	2.69V@7.5mA	54nC@15V	±15V	800V时为1560pF	-	207W（温度）
G3R20MT12K	36.0900	询价	3655	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	G3R20		SiCFET（碳化硅）	TO-247-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G3R20MT12K	EAR99	8541.29.0095	30	N沟道		1200伏	128A（温度）	15V	24毫欧@60A，15V	2.69V@15mA	219nC@15V	±15V	5873pF@800V	-	542W（温度）
GA20JT12-263	36.7400	询价	4850	基恩碳化硅半导体	-	管子	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	GA20JT12		SiC（碳化硅结晶体管）	TO-263-7	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50	-		1200伏	45A（温度）	-	60毫欧@20A	-		-	800V时为3091pF	-	282W（温度）
G3R20MT17K	107.2000	询价	4	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	G3R20		SiCFET（碳化硅）	TO-247-4	-	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G3R20MT17K	EAR99	8541.29.0095	30	N沟道		1700伏	124A（温度）	15V	26毫欧@75A，15V	2.7V@15mA	400nC@15V	±15V	10187pF@1000V	-	809W（温度）
GA10SICP12-263	29.3250	询价	9279	基恩碳化硅半导体	-	管子	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	GA10SICP12		SiC（碳化硅结晶体管）	TO-263-7	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50	-		1200伏	25A（温度）	-	100毫欧@10A	-		-	800V时为1403pF	-	170W（温度）
G3R45MT17K	33.0700	询价	900	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	G3R45		SiCFET（碳化硅）	TO-247-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G3R45MT17K	EAR99	8541.29.0095	30	N沟道		1700伏	61A（温度）	15V	58毫欧@40A，15V	2.7V@8mA	182nC@15V	±15V	1000V时为4523pF	-	438W（温度）
GA03JT12-247	-	询价	8291	基恩碳化硅半导体	-	管子	过时的	175°C（太焦）	通孔	TO-247-3			SiC（碳化硅结晶体管）	TO-247AB	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30	-		1200伏	3A（温度）（95°C）	-	460毫欧@3A	-		-		-	15W（温度）
G3R160MT12J	7.2600	询价	第356章	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	G3R160		SiCFET（碳化硅）	TO-263-7	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G3R160MT12J	EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		1200伏	19A（TC）	15V	208毫欧@10A，15V	2.7V@5mA（典型值）	23nC@15V	+20V，-10V	724 pF @ 800 V	-	128W（温度）
G3R30MT12K	22.5300	询价	第844章	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	G3R30		SiCFET（碳化硅）	TO-247-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G3R30MT12K	EAR99	8541.29.0095	30	N沟道		1200伏	90A（温度）	15V	36mOhm@50A，15V	2.69V@12mA	155nC@15V	±15V	800V时为3901pF	-	400W（温度）
GA20SICP12-247	-	询价	4247	基恩碳化硅半导体	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3			SiC（碳化硅结晶体管）	TO-247AB	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50	-		1200伏	45A（温度）	-	50毫欧@20A	-		-	800V时为3091pF	-	282W（温度）
G3R60MT07J	10.7000	询价	1	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA			SiCFET（碳化硅）	TO-263-7	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	1242-G3R60MT07J	EAR99	8541.29.0095	50	-		750伏	-	-	-	-		+20V，-10V		-	-
G3R20MT12N	56.2000	询价	9403	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	G3R20		SiCFET（碳化硅）	SOT-227	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G3R20MT12N	EAR99	8541.29.0095	10	N沟道		1200伏	105A（温度）	15V	24毫欧@60A，15V	2.69V@15mA	219nC@15V	+20V，-10V	5873pF@800V	-	365W（温度）
G2R120MT33J	108.0300	询价	第1567章	基恩碳化硅半导体	G2R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	G2R120		SiCFET（碳化硅）	TO-263-7	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G2R120MT33J	EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		3300伏	35A	20V	156毫欧@20A，20V	-	145nC@20V	+25V，-10V	1000V时为3706pF	-	-
G3R20MT17N	135.4600	询价	47	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	G3R20		SiCFET（碳化硅）	SOT-227	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G3R20MT17N	EAR99	8541.29.0095	10	N沟道		1700伏	100A（温度）	15V	26毫欧@75A，15V	2.7V@15mA	400nC@15V	±15V	10187pF@1000V	-	523W（温度）
GA50JT12-247	-	询价	1823年	基恩碳化硅半导体	-	管子	过时的	175°C（太焦）	通孔	TO-247-3			SiC（碳化硅结晶体管）	TO-247AB	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30	-		1200伏	100A（温度）	-	25毫欧@50A	-		-	7209pF@800V	-	583W（温度）
G3R60MT07D	10.1400	询价	1	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-	通孔	TO-247-3			SiCFET（碳化硅）	TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	1242-G3R60MT07D	EAR99	8541.29.0095	30	-		750伏	-	-	-	-		+20V，-10V		-	-
G2R1000MT17D	5.4400	询价	第717章	基恩碳化硅半导体	G2R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	G2R1000		SiCFET（碳化硅）	TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G2R1000MT17D	EAR99	8541.29.0095	30	N沟道		1700伏	5A（温度）	20V	1.2欧姆@2A，20V	5.5V@500μA	11nC@20V	+25V，-10V	111pF@1000V	-	44W（温度）
2N7640-GA	-	询价	5917	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的	-55°C ~ 225°C（太焦）	表面贴装	TO-276AA			SiC（碳化硅结晶体管）	TO-276	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		1242-1151	EAR99	8541.29.0095	10	-		650伏	16A（温度）（155°C）	-	105毫欧@16A	-		-	1534pF@35V	-	330W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(61)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²