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晶体管（（324）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
GT52N10D5 Goford Semiconductor GT52N10D5 1.5000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5.2x5.86） 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 100 v 71A（TC） 4.5V，10V 7.5MOHM @ 50a，10v 2.5V @ 250µA 44.5 NC @ 10 V ±20V 2626 PF @ 50 V - 79W（TC）
GT090N06K Goford Semiconductor GT090N06K 0.8800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3141-GT090N06KTR Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 45A（TC） 4.5V，10V 9mohm @ 14a，10v 2.4V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 1088 pf @ 30 V - 52W（TC）
GT105N10T Goford Semiconductor GT105N10T 0.3820
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 n通道 100 v 55A（TC） 4.5V，10V 10.5MOHM @ 35A，10V 2.5V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±20V - 74W（TC）
G05NP06S2 Goford Semiconductor G05NP06S2 0.6400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G05N MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TC），1.9W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 60V 5A（TC），3.1A（TC） 36mohm @ 4.3a，10v，80mohm @ 3.1a，10v 2V @ 250µA，2.2V @ 250µA 22nc @ 10v，37nc @ 10V 1336pf @ 30v，1454pf @ 30V 标准
3401 Goford Semiconductor 3401 0.4300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 4.2A（ta） 4.5V，10V 55MOHM @ 4.2A，10V 1.3V @ 250µA 9.5 NC @ 4.5 V ±12V 950 pf @ 15 V 标准 1.2W（TA）
G06N06S Goford Semiconductor G06N06S 0.1430
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 60 V 8a 22mohm @ 6a，10v 2.4V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±20V 1600 pf @ 30 V 2.1W
2300F Goford Semiconductor 2300f 0.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 6A（TC） 2.5V，4.5V 27mohm @ 2.3a，4.5V 900mv @ 250µA 11 NC @ 4.5 V ±12V 630 pf @ 10 V 标准 1.25W（TC）
G1003A Goford Semiconductor G1003a 0.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 3A（TC） 4.5V，10V 210MOHM @ 3A，10V 3V @ 250µA 18.2 NC @ 10 V ±20V 622 PF @ 25 V - 5W（TC）
G250N03IE Goford Semiconductor G250N03IE 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-6L 下载 Rohs符合条件 Ear99 8541.29.0000 3,000 n通道 30 V 5.3A（TC） 2.5V，10V 25mohm @ 4A，10V 1.3V @ 250µA 9.1 NC @ 4.5 V ±10V 573 pf @ 15 V - 1.4W（TC）
G700P06J Goford Semiconductor G700P06J 0.4900
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA MOSFET （金属 o化物） TO-251 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 75 P通道 60 V 23A（TC） 4.5V，10V 70mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±20V 1465 PF @ 30 V 标准 50W（TC）
G110N06K Goford Semiconductor G110N06K 0.3400
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 110A（TC） 4.5V，10V 6.4mohm @ 4A，10V 2.5V @ 250µA 113 NC @ 10 V ±20V 5538 pf @ 25 V - 160W（TC）
G10N10A Goford Semiconductor G10N10A 0.5800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 10a（10a） 4.5V，10V 130MOHM @ 2A，10V 3V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±20V 690 pf @ 25 V - 28W（TA）
GT100N12K Goford Semiconductor GT100N12K 1.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 120 v 65A（TC） 10V 12mohm @ 35a，10v 3.5V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 2911 PF @ 60 V - 75W（TC）
G450N10D52 Goford Semiconductor G450N10D52 0.8700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN G450 80W（TC） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 100V 35A（TC） 45mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 26NC @ 10V 2196pf @ 50V 标准
6706A Goford Semiconductor 6706a 0.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2W（TC） 8-sop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 - 30V 6.5a（5a），5a（ta） 30mohm @ 5a，10v，60mohm @ 4a，10v 5.2nc @ 10v，9.2nc @ 10V 255pf @ 15V，520pf @ 15V 标准
G160N04K Goford Semiconductor G160N04K 0.4900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 40 V 25A（TC） 4.5V，10V 15mohm @ 8a，10v 2V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V 1010 PF @ 20 V 标准 43W（TC）
G2K3N10G Goford Semiconductor G2K3N10G 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA MOSFET （金属 o化物） SOT-89 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 2.5A（TC） 4.5V，10V 220MOHM @ 2A，10V 2V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±20V 436 pf @ 50 V - 1.5W（TC）
G080N10M Goford Semiconductor G080N10M 2.0300
RFQ
 ECAD 9611 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 1,000 n通道 100 v 180a（TC） 4.5V，10V 7.5mohm @ 30a，10v 2.5V @ 250µA 107 NC @ 4.5 V ±20V 13950 pf @ 50 V - 370W（TC）
G900P15K Goford Semiconductor G900P15K 1.5000
RFQ
 ECAD 276 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 150 v 50A（TC） 10V 80Mohm @ 5A，10V 4V @ 250µA 27 NC @ 4.5 V ±20V 3918 PF @ 75 V 标准 96W（TC）
G400P06T Goford Semiconductor G400P06T -
RFQ
 ECAD 2550 0.00000000 戈福德半导体 g 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 60 V 32A（TC） 10V 40mohm @ 12a，10v 3V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±20V 2598 PF @ 30 V - 110W（TC）
G33N03D3 Goford Semiconductor G33N03D3 0.1420
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn G33n MOSFET （金属 o化物） 18.5W（TC） 8-DFN （3x3） - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 30V 30A（TC） 13mohm @ 18a，10v 2.5V @ 250µA 15nc @ 10V 1530pf @ 15V -
GT035N10Q Goford Semiconductor GT035N10Q 3.3000
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 Rohs符合条件 不适用 到达不受影响 3141-GT035N10Q Ear99 8541.29.0000 30 n通道 100 v 190a（TC） 10V 3.5MOHM @ 30a，10v 4V @ 250µA 68 NC @ 10 V ±20V 6516 pf @ 50 V - 277W（TC）
G040P04T Goford Semiconductor G040P04T 1.9400
RFQ
 ECAD 4493 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G040P04T Ear99 8541.29.0000 50 P通道 40 V 222a（TC） 4.5V，10V 3.7MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 206 NC @ 10 V ±20V 15087 PF @ 20 V - 312W（TC）
GT025N06AM6 Goford Semiconductor GT025N06AM6 1.3230
RFQ
 ECAD 9062 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡） MOSFET （金属 o化物） 到263-6 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT025N06AM6TR Ear99 8541.29.0000 800 n通道 60 V 170a（TC） 4.5V，10V 2mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 5058 PF @ 30 V - 215W（TC）
GT023N10M Goford Semiconductor GT023N10M 2.2195
RFQ
 ECAD 2797 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT023N10MTR Ear99 8541.29.0000 800 n通道 100 v 140a（TC） 10V 2.7MOHM @ 20A，10V 4.3V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±20V 8050 pf @ 50 V - 500W（TC）
GT180P08T Goford Semiconductor GT180P08T 1.7100
RFQ
 ECAD 5202 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT180P08T Ear99 8541.29.0000 50 P通道 40 V 89A（TC） 4.5V，10V 17mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±20V 6040 pf @ 40 V - 245W（TC）
G5N02L Goford Semiconductor G5N02L 0.0771
RFQ
 ECAD 4824 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G5N02LTR Ear99 8541.29.0000 3,000 n通道 20 v 5A（TC） 2.5V，10V 18mohm @ 4.2A，10V 1V @ 250µA 11 NC @ 4.5 V ±12V 780 pf @ 10 V - 1.25W（TC）
G45P02D3 Goford Semiconductor G45P02D3 0.6100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 20 v 45a 9.5MOHM @ 10a，4.5V 1V @ 250µA 55 NC @ 4.5 V ±12V 3500 PF @ 10 V 80W
G12P10TE Goford Semiconductor G12P10TE -
RFQ
 ECAD 1666年 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 50 P通道 100 v 12A（TC） 10V 200mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 760 pf @ 25 V - 40W（TC）
G200P04S2 Goford Semiconductor G200P04S2 0.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G200 MOSFET （金属 o化物） 2.1W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 40V 9A（TC） 20mohm @ 7a，10v 2.5V @ 250µA 42NC @ 10V 2365pf @ 20V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

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196-LFBGA裸露的垫子

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