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晶体管（（324）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
GC11N65K Goford Semiconductor GC11N65K 0.6080
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 11A（TC） 10V 360MOHM @ 5.5A，10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 V ±30V 901 PF @ 50 V - 78W（TC）
G06N06S2 Goford Semiconductor G06N06S2 0.2669
RFQ
 ECAD 4744 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2.1W（TC） 8-sop - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G06N06S2TR Ear99 8541.29.0000 4,000 2 n通道 60V 6A（TC） 25mohm @ 6a，10v 2.4V @ 250µA 46NC @ 10V 1600pf @ 30V 标准
G700P06H Goford Semiconductor G700P06H 0.5000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA MOSFET （金属 o化物） SOT-223 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0000 2,500 P通道 60 V 5A（TC） 4.5V，10V 75mohm @ 6a，10v 2.5V @ 250µA 15.8 NC @ 10 V ±20V 1459 PF @ 30 V - 3.1W（TC）
GT065P06T Goford Semiconductor GT065P06T 1.6800
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 50 P通道 60 V 82A（TC） 4.5V，10V 7.5mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±20V 5335 pf @ 30 V - 150W（TC）
G130N06S2 Goford Semiconductor G130N06S2 0.9200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2.6W（TC） 8-sop 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 2 n通道 60V 9A（TC） 13mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 67nc @ 10V 3021pf @ 30V 标准
GT042P06T Goford Semiconductor GT042P06T 2.7400
RFQ
 ECAD 1319 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 50 P通道 60 V 160a（TC） 4.5V，10V 4.5MOHM @ 15A，10V 2.5V @ 250µA 305 NC @ 10 V ±20V 9151 PF @ 30 V - 280W（TC）
G30N03D3 Goford Semiconductor G30N03D3 0.5300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 30a 7mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±20V 825 pf @ 15 V 24W
G2304 Goford Semiconductor G2304 0.4400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 3.6a（ta） 4.5V，10V 58mohm @ 3.6A，10V 2.2V @ 250µA 4 NC @ 10 V ±20V 230 pf @ 15 V 标准 1.7W（TA）
G12P03D3 Goford Semiconductor G12P03D3 0.0920
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 30 V 12A（TC） 4.5V，10V 20mohm @ 6a，10v 2V @ 250µA 24.5 NC @ 10 V ±20V 1253 PF @ 15 V - 3W（TC）
G1K1P06LL Goford Semiconductor G1K1P06LL 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-6L 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 3,000 P通道 60 V 3A（TC） 4.5V，10V 110MOHM @ 2A，10V 2.5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 1035 PF @ 30 V - 1.5W（TC）
G1003B Goford Semiconductor G1003B 0.3700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3L 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 3a 130MOHM @ 1A，10V 2V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±20V 760 pf @ 50 V 3.3W
G11S Goford Semiconductor G11 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 P通道 20 v 11A（TC） 2.5V，4.5V 18.4mohm @ 1a，4.5V 1.1V @ 250µA 47 NC @ 10 V ±12V 2455 pf @ 10 V - 3.3W（TC）
2301 Goford Semiconductor 2301 0.0270
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 3A（3A） 2.5V，4.5V 56mohm @ 1.7a，4.5V 900mv @ 250µA 12 nc @ 2.5 V ±10V 405 pf @ 10 V - 1W（ta）
G20P06K Goford Semiconductor G20P06K 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 60 V 20A（TC） 10V 45mohm @ 12a，10v 3.5V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±20V 3430 PF @ 30 V 90W（TC）
G75P04T Goford Semiconductor G75P04T -
RFQ
 ECAD 4272 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 50 P通道 40 V 70A（TC） 4.5V，10V 7mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 106 NC @ 10 V ±20V 6985 pf @ 20 V - 277W（TC）
G130N06M Goford Semiconductor G130N06M 0.3210
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 800 n通道 60 V 90A（TC） 4.5V，10V 12mohm @ 20a，10v 2.4V @ 250µA 36.6 NC @ 10 V ±20V 2867 PF @ 30 V - 85W（TC）
GT023N10T Goford Semiconductor GT023N10T 3.4200
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT023N10T Ear99 8541.29.0000 50 n通道 100 v 140a（TC） 10V 2.7MOHM @ 20A，10V 4.3V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±20V 8086 PF @ 50 V - 500W（TC）
G1007 Goford Semiconductor G1007 0.1369
RFQ
 ECAD 3873 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G1007Tr Ear99 8541.29.0000 4,000 n通道 100 v 7A（TC） 4.5V，10V 110MOHM @ 1A，10V 3V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±20V 612 PF @ 50 V - 28W（TC）
G16N03S Goford Semiconductor G16N03S 0.1160
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 4,000 n通道 30 V 16A（TC） 5V，10V 10mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 16.6 NC @ 10 V ±20V 950 pf @ 15 V - 2.5W（TC）
G65P06F Goford Semiconductor G65P06F 1.1500
RFQ
 ECAD 196 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 60 V 65A（TC） 10V 18mohm @ 20a，10v 3.5V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 6477 PF @ 25 V - 39W（TC）
GT110N06S Goford Semiconductor GT110N06S 0.7300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 60 V 14A（TC） 4.5V，10V 11mohm @ 14a，10v 2.4V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±20V 1300 pf @ 25 V - 3W（TC）
2302 Goford Semiconductor 2302 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 4.3a（ta） 2.5V，4.5V 27mohm @ 2.2a，4.5V 1.1V @ 250µA 10 NC @ 4.5 V ±10V 300 pf @ 10 V 标准 1W（ta）
GT011N03ME Goford Semiconductor GT011N03ME 1.7100
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 800 n通道 30 V 209a（TC） 4.5V，10V 1.6mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 98 NC @ 10 V ±18V 6140 pf @ 15 V - 89W（TC）
G20N03D2 Goford Semiconductor G20N03D2 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 6-DFN（2x2） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 9A（TC） 4.5V，10V 24mohm @ 5a，10v 2V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V 873 PF @ 30 V - 1.5W（TC）
G2K8P15K Goford Semiconductor G2K8P15K 0.7500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 P通道 150 v 12A（TC） 10V 310MOHM @ 1A，10V 3.5V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±20V 953 PF @ 75 V - 59W（TC）
G58N06F Goford Semiconductor G58N06F 0.9700
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 50 n通道 60 V 35A（TC） 4.5V，10V 13mohm @ 30a，10v 2.4V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 30006 PF @ 30 V 标准 44W（TC）
G12P06K Goford Semiconductor G12P06K 0.4900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 P通道 60 V 12A（TC） 4.5V，10V 75mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±20V 1108 PF @ 30 V - 27W（TC）
GT10N10 Goford Semiconductor GT10N10 0.1240
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 戈福德半导体 GT 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 2,500 n通道 100 v 7A（TC） 4.5V，10V 140MOHM @ 3.5A，10V 2.5V @ 250µA 4.3 NC @ 10 V ±20V 206 PF @ 50 V - 17W（TC）
G45P40T Goford Semiconductor G45P40T 0.9400
RFQ
 ECAD 399 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 40 V 45A（TC） 4.5V，10V 16mohm @ 30a，10v 2.5V @ 250µA 42 NC @ 10 V ±20V 3269 PF @ 20 V - 80W（TC）
G230P06F Goford Semiconductor G230P06F 0.9800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 Rohs符合条件 不适用 到达不受影响 3141-G230P06F Ear99 8541.29.0000 50 P通道 60 V 42A（TC） 10V 23mohm @ 10a，10v 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±20V 4669 PF @ 30 V - 67.57W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

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196-LFBGA裸露的垫子

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