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晶体管（（324）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
GT55N06D5 Goford Semiconductor GT55N06D5 0.8000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 60 V 53A（ta） 4.5V，10V 9mohm @ 14a，10v 2.5V @ 250µA 31 NC @ 10 V ±20V 1988 pf @ 30 V - 70W（TA）
G02P06 Goford Semiconductor G02P06 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 60 V 1.6a 190MOHM @ 1A，10V 2.5V @ 250µA 11.3 NC @ 10 V ±20V 573 PF @ 30 V 1.5W
G2003A Goford Semiconductor G2003a 0.0740
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 190 v 3A（3A） 4.5V，10V 540MOHM @ 2A，10V 3V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±20V 580 pf @ 25 V - 1.8W（TA）
G4616 Goford Semiconductor G4616 0.5700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-sop G461 MOSFET （金属 o化物） 2W（TC），2.8W（TC） 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道互补 40V 8A（TC），7a （TC） 20mohm @ 8a，10v，35mohm @ 7a，10v 2.5V @ 250µA 12nc @ 10v，13nc @ 10V 415pf @ 20v，520pf @ 20V 标准
G20N06D52 Goford Semiconductor G20N06D52 0.1920
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN G20N MOSFET （金属 o化物） 45W（TA） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 60V 20A（TA） 30mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 25nc @ 10V 1220pf @ 30V -
G50N03K Goford Semiconductor G50N03K 0.6200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252（DPAK） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 65a 7mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 16.6 NC @ 10 V ±20V 950 pf @ 15 V 48W
G60N04D52 Goford Semiconductor G60N04D52 0.8700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN G60 MOSFET （金属 o化物） 20W（TC） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 5,000 40V 35A（TC） 9mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 27nc @ 10V 1998pf @ 20V 标准
G06N10 Goford Semiconductor G06N10 0.4600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252（DPAK） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 6a 240mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 6.2 NC @ 10 V ±20V 190 pf @ 50 V 25W
G75P04FI Goford Semiconductor G75P04FI 1.2700
RFQ
 ECAD 7687 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F - Rohs符合条件 Ear99 8541.29.0000 50 P通道 40 V 60a（TC） 4.5V，10V 7mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 106 NC @ 10 V ±20V 6275 PF @ 20 V - 89W（TC）
G050P03S Goford Semiconductor G050P03S 0.9400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 P通道 30 V 25A（TC） 4.5V，10V 5.5MOHM @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 111 NC @ 10 V ±20V 7221 PF @ 15 V - 3.5W（TC）
G3035L Goford Semiconductor G3035L 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 4.1a（ta） 4.5V，10V 59mohm @ 2.1a，10v 2V @ 250µA 12.5 NC @ 10 V ±20V 650 pf @ 15 V - 1.4W（TA）
G7P03L Goford Semiconductor G7P03L 0.0670
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 7A（TC） 4.5V，10V 23mohm @ 3a，10v 2.5V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±20V 1500 pf @ 15 V - 1.9W（TC）
G29 Goford Semiconductor G29 0.4300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 6a 30mohm @ 3a，4.5V 900mv @ 250µA 12.5 NC @ 10 V ±12V 1151 PF @ 10 V 1W
G18P03D3 Goford Semiconductor G18P03D3 0.8000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 28a（TC） 4.5V，10V 10mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±20V 2060 pf @ 15 V - 40W（TC）
GT045N10D5 Goford Semiconductor GT045N10D5 1.6800
RFQ
 ECAD 6436 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 Rohs符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 5,000 n通道 100 v 120A（TC） 10V 5mohm @ 30a，10v 4V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 4217 PF @ 50 V - 180W（TC）
G75P04SI Goford Semiconductor G75P04SI 0.3578
RFQ
 ECAD 4653 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G75P04SITR Ear99 8541.29.0000 4,000 P通道 40 V 11A（TC） 4.5V，10V 8mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 106 NC @ 10 V ±20V 6509 PF @ 20 V - 2.5W（TC）
G030N06M Goford Semiconductor G030N06M 1.8900
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 800 n通道 60 V 223A（TC） 4.5V，10V 3mohm @ 30a，10v 2.5V @ 250µA 101 NC @ 4.5 V ±20V 12432 PF @ 30 V - 240W（TC）
GT52N10D5I Goford Semiconductor GT52N10D5I 0.3840
RFQ
 ECAD 2219 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT52N10D5ITR Ear99 8541.29.0000 5,000 n通道 100 v 65A（TC） 4.5V，10V 8ohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±20V 2428 PF @ 50 V - 79W（TC）
18N20J Goford Semiconductor 18n20j 0.9300
RFQ
 ECAD 141 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA MOSFET （金属 o化物） TO-251 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 75 n通道 200 v 18A（TC） 10V 160MOHM @ 9A，10V 3V @ 250µA 17.7 NC @ 10 V ±30V 836 pf @ 25 V 标准 65.8W（TC）
G2305 Goford Semiconductor G2305 0.0350
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 4.8A（ta） 2.5V，4.5V 50mohm @ 4.1A，4.5V 1V @ 250µA 7.8 NC @ 4.5 V ±12V - 1.7W（TA）
GT1003A Goford Semiconductor GT1003A 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 GT 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 3,000 n通道 100 v 3A（3A） 10V 140MOHM @ 3A，10V 3V @ 250µA 4.3 NC @ 10 V ±20V 206 PF @ 50 V - 1.6W（TA）
G050P03K Goford Semiconductor G050P03K 1.0400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 85A（TC） 4.5V，10V 4.5MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 111 NC @ 10 V ±20V 7051 PF @ 15 V - 100W（TC）
G1006LE Goford Semiconductor G1006LE 0.0770
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 3A（TC） 4.5V，10V 150MOHM @ 3A，10V 2.2V @ 250µA 18.2 NC @ 10 V ±20V 622 PF @ 50 V - 1.5W（TC）
G350P02LLE Goford Semiconductor G350P02LLE 0.0450
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-6L 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 3,000 P通道 20 v 4.5A（TC） 1.8V，4.5V 35MOHM @ 4A，4.5V 1V @ 250µA 17.2 NC @ 10 V ±10V 1126 pf @ 10 V - 1.4W（TC）
G33N03D52 Goford Semiconductor G33N03D52 0.6600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 DFN5*6 MOSFET （金属 o化物） DFN5*6 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 33A（TC） 4.5V，10V 13mohm @ 16a，10v 3V @ 250µA 17.5 NC @ 10 V ±20V 782 pf @ 15 V 29W（TC）
GT080N10T Goford Semiconductor GT080N10T -
RFQ
 ECAD 9542 0.00000000 戈福德半导体 GT 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 50 n通道 100 v 70A（TC） 4.5V，10V 8mohm @ 50a，10v 3V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±20V 2257 PF @ 50 V - 100W（TC）
G450P04K Goford Semiconductor G450P04K 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 P通道 40 V 11A（TC） 4.5V，10V 40mohm @ 6a，10v 2.5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 983 PF @ 20 V - 48W（TC）
GT088N06T Goford Semiconductor GT088N06T 0.9800
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 60a（TC） 4.5V，10V 9mohm @ 14a，10v 2.4V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±20V 1620 PF @ 30 V - 75W（TC）
4435 Goford Semiconductor 4435 0.5300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 P通道 30 V 11a 20mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±20V 2270 pf @ 15 V 2.5W
9926 Goford Semiconductor 9926 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 20 v 6a 25mohm @ 4.5A，4.5V 1.2V @ 250µA 10 NC @ 4.5 V ±10V 640 pf @ 10 V 1.25W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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