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晶体管（（324）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
GT080N10K Goford Semiconductor GT080N10K 1.5700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 100 v 75A（TC） 4.5V，10V 8mohm @ 50a，10v 3V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 2056 PF @ 50 V - 100W（TC）
2301 Goford Semiconductor 2301 0.0270
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 3A（3A） 2.5V，4.5V 56mohm @ 1.7a，4.5V 900mv @ 250µA 12 nc @ 2.5 V ±10V 405 pf @ 10 V - 1W（ta）
6703 Goford Semiconductor 6703 0.0777
RFQ
 ECAD 7826 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） 1.1W（TA） SOT-23-6L - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-6703Tr Ear99 8541.29.0000 3,000 - 20V 2.9a（ta），3a（ta） 59MOHM @ 2.5a，2.5V，110MOHM @ 3A，4.5V 1.2V @ 250µA，1V @ 250µA - 300pf @ 10V，405pf @ 10V 标准
GT650N15K Goford Semiconductor GT650N15K 0.2750
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 150 v 20A（TC） 10V 65mohm @ 10a，10v 4.5V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±20V 600 pf @ 75 V - 68W（TC）
G050P03T Goford Semiconductor G050P03T 1.1700
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 50 P通道 30 V 85A（TC） 4.5V，10V 5mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 111 NC @ 10 V ±20V 6922 PF @ 15 V - 100W（TC）
G35N02K Goford Semiconductor G35N02K 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 20 v 35A（TC） 2.5V，4.5V 13mohm @ 20a，4.5V 1.2V @ 250µA 24 NC @ 4.5 V ±12V 1380 pf @ 10 V - 40W（TC）
G18P03S Goford Semiconductor G18P03S 0.1930
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 4,000 P通道 30 V 15A（TC） 4.5V，10V 10mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 58 NC @ 10 V ±20V 3570 pf @ 15 V - 3.1W（TC）
G130N06M Goford Semiconductor G130N06M 0.3210
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 800 n通道 60 V 90A（TC） 4.5V，10V 12mohm @ 20a，10v 2.4V @ 250µA 36.6 NC @ 10 V ±20V 2867 PF @ 30 V - 85W（TC）
GT080N10KI Goford Semiconductor GT080N10KI 0.7012
RFQ
 ECAD 8022 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT080N10KITR Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 100 v 65A（TC） 4.5V，10V 8mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±20V 2394 PF @ 50 V - 79W（TC）
GT6K2P10KH Goford Semiconductor GT6K2P10KH -
RFQ
 ECAD 7588 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 P通道 100 v 4.3A（TC） 10V 670MOHM @ 1A，10V 3V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±20V 247 PF @ 50 V - 25W（TC）
G80N03K Goford Semiconductor G80N03K 0.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 30 V 80A（TC） 4.5V，10V 6.5MOHM @ 25A，10V 2V @ 250µA 42 NC @ 10 V ±20V 1950 pf @ 15 V - 69W（TC）
G75P04KI Goford Semiconductor G75P04KI 0.3822
RFQ
 ECAD 3046 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G75P04KITR Ear99 8541.29.0000 2,500 P通道 40 V 70A（TC） 4.5V，10V 6.5MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 106 NC @ 10 V ±20V 6586 pf @ 20 V - 130W（TC）
2301H Goford Semiconductor 2301H 0.0290
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 2A（TA） 4.5V，10V 125mohm @ 3a，10v 2V @ 250µA 12 nc @ 2.5 V ±12V 405 pf @ 10 V - 1W（ta）
G130N06S Goford Semiconductor G130N06S 0.1950
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 n通道 60 V 9A（TC） 4.5V，10V 12mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 67 NC @ 10 V ±20V 3068 PF @ 30 V - 2.6W（TC）
G08N02H Goford Semiconductor G08N02H 0.1141
RFQ
 ECAD 1671年 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA MOSFET （金属 o化物） SOT-223 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G08N02HTR Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 20 v 12A（TC） 2.5V，4.5V 11.3mohm @ 1A，4.5V 900mv @ 250µA 12.5 NC @ 4.5 V ±12V 1255 pf @ 10 V - 1.7W（TC）
G06P01E Goford Semiconductor G06P01E 0.4300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 12 v 4A（TC） 1.8V，4.5V 28mohm @ 3a，4.5V 1V @ 250µA 14 NC @ 4.5 V ±10V 1087 PF @ 6 V - 1.8W（TC）
GT060N04T Goford Semiconductor GT060N04T 0.8700
RFQ
 ECAD 343 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 60a（TC） 4.5V，10V 6mohm @ 30a，10v 2.3V @ 250µA 19 nc @ 10 V ±20V 1301 PF @ 20 V - 48W（TC）
G1002L Goford Semiconductor G1002L 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3L 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 2a 250MOHM @ 2A，10V 2V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±20V 413 PF @ 50 V 1.3W
GT1003D Goford Semiconductor GT1003D 0.4500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3L 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 3a 130MOHM @ 3A，10V 2.6V @ 250µA 5.2 NC @ 10 V ±20V 212 PF @ 50 V 2W
3400 Goford Semiconductor 3400 0.3600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 5.6a 59mohm @ 2.8a，2.5V 1.4V @ 250µA 9.5 NC @ 4.5 V ±12V 820 pf @ 15 V 1.4W
G20P08K Goford Semiconductor G20P08K -
RFQ
 ECAD 1746年 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 80 V 20A（TC） 4.5V，10V 62mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 48 NC @ 10 V ±20V 3500 PF @ 30 V - 60W（TC）
GT060N04D52 Goford Semiconductor GT060N04D52 0.4215
RFQ
 ECAD 1255 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 20W（TC） 8-DFN（4.9x5.75） - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT060N04D52TR Ear99 8541.29.0000 5,000 2 n通道 40V 62A（TC） 6.5MOHM @ 30a，10v 2.3V @ 250µA 44NC @ 10V 1276pf @ 20V 标准
20N06 Goford Semiconductor 20N06 0.1969
RFQ
 ECAD 2629 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-20N06TR Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 60 V 25A（TC） 4.5V，10V 24mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 1609 PF @ 30 V - 41W（TC）
G300P06S Goford Semiconductor G300P06S 0.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 P通道 60 V 12A（TC） 10V 30mohm @ 8a，10v 3V @ 250µA 49 NC @ 10 V ±20V 2719 PF @ 30 V - 3W（TC）
GT025N06AM Goford Semiconductor GT025N06AM 1.7000
RFQ
 ECAD 791 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 60 V 170a（TC） 4.5V，10V 2.5MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 5119 PF @ 30 V - 215W（TC）
GT095N10K Goford Semiconductor GT095N10K 1.1000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 GT 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 55A（TC） 4.5V，10V 10.5MOHM @ 35A，10V 2.5V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±20V 1667 PF @ 50 V - 74W（TC）
G2K2P10S2E Goford Semiconductor G2K2P10S2E 0.7600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G2K2P MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TC） 8-sop - Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0000 4,000 2（p 通道（双） 100V 3.5A（TC） 200mohm @ 3a，10v 2.5V @ 250µA 23nc @ 10V 1623pf @ 50V -
GT130N10F Goford Semiconductor GT130N10F 0.9600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 Rohs符合条件 不适用 到达不受影响 3141-GT130N10F Ear99 8541.29.0000 50 n通道 100 v 45A（TC） 10V 12mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±20V 1215 PF @ 50 V - 41.7W（TC）
G050N03S Goford Semiconductor G050N03S 0.6800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 30 V 18A（TC） 4.5V，10V 5mohm @ 10a，10v 2.4V @ 250µA 37 NC @ 10 V ±20V 1714 PF @ 15 V - 2.1W（TC）
G40P03D5 Goford Semiconductor G40P03D5 0.6400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5x6） 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0000 5,000 P通道 30 V 35A（TC） 4.5V，10V 10mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 2716 pf @ 15 V - 48W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

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196-LFBGA裸露的垫子

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