SIC
close

晶体管（（324）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
GT011N03D5E Goford Semiconductor GT011N03D5E 1.6700
RFQ
 ECAD 2573 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 5,000 n通道 30 V 209a（TC） 4.5V，10V - 2.5V @ 250µA 98 NC @ 10 V ±16V 6503 PF @ 15 V - 89W（TC）
G3K8N15HE Goford Semiconductor G3K8N15HE 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500
GT060N04D3 Goford Semiconductor GT060N04D3 0.6600
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 40 V 40a（TC） 4.5V，10V 6.5MOHM @ 30a，10v 2.5V @ 250µA 32 NC @ 10 V ±20V 1282 PF @ 20 V - 36W（TC）
G75P04F Goford Semiconductor G75P04F 1.2000
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 Rohs符合条件 不适用 到达不受影响 3141-G75P04F Ear99 8541.29.0000 50 P通道 40 V 54A（TC） 4.5V，10V 7mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 106 NC @ 10 V ±20V 6768 PF @ 20 V - 35.7W（TC）
GT080N08D5 Goford Semiconductor GT080N08D5 0.3673
RFQ
 ECAD 3711 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT080N08D5TR Ear99 8541.29.0000 5,000 n通道 85 v 65A（TC） 10V 8mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±20V 1885 PF @ 50 V - 69W（TC）
GT030N08T Goford Semiconductor GT030N08T 2.3624
RFQ
 ECAD 1020 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT030N08T Ear99 8541.29.0000 50 n通道 85 v 200a（TC） 10V 3mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 112 NC @ 10 V ±20V 5822 PF @ 50 V - 260W（TC）
G080N10T Goford Semiconductor G080N10T 1.9400
RFQ
 ECAD 5661 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G080N10T Ear99 8541.29.0000 50 n通道 100 v 180a（TC） 4.5V，10V 7.5mohm @ 30a，10v 2.5V @ 250µA 107 NC @ 4.5 V ±20V 13912 PF @ 50 V - 370W（TC）
G900P15M Goford Semiconductor G900P15M 1.6400
RFQ
 ECAD 451 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 P通道 150 v 60a（TC） 10V 80Mohm @ 5A，10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 V ±20V 4056 PF @ 75 V - 100W（TC）
G60N04K Goford Semiconductor G60N04K 0.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252（DPAK） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 60a 7mohm @ 30a，10v 2.5V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 20 V 65W
G25N06K Goford Semiconductor G25N06K 0.6200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 25A（TC） 10V 27mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 970 pf @ 30 V - 45W（TC）
G70P02K Goford Semiconductor G70P02K 0.8300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 15 v 70A（TC） 2.5V，4.5V 8.5MOHM @ 20A，4.5V 1.5V @ 250µA 55 NC @ 4.5 V ±12V 3500 PF @ 10 V - 70W（TC）
GT025N06AT Goford Semiconductor GT025N06AT 1.7300
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 170a（TC） 4.5V，10V 2.5MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 4954 PF @ 30 V - 215W（TC）
G3035 Goford Semiconductor G3035 0.4300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.33.0001 3,000 P通道 30 V 4.6A（TC） 4.5V，10V 59mohm @ 4A，10V 2V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±20V 650 pf @ 15 V - 1.4W（TC）
G60N10K Goford Semiconductor G60N10K 0.9700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 90 v 60a（TC） 4.5V，10V 25mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 111 NC @ 10 V ±20V 4118 PF @ 50 V - 56W（TC）
G170P03S2 Goford Semiconductor G170P03S2 0.6700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TC） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G170 - 1.4W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 30V 9A（TC） 25mohm @ 5A，4.5V 2.5V @ 250µA 18NC @ 10V 1786pf @ 4.5V -
G05N06S2 Goford Semiconductor G05N06S2 0.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-sop G05N MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TC） 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n通道 60V 5A（TC） 35mohm @ 5A，4.5V 2.5V @ 250µA 22nc @ 10V 1374pf @ 30V 标准
G06NP06S2 Goford Semiconductor G06NP06S2 0.8300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-sop G06N MOSFET （金属 o化物） 2W（TC），2.5W（TC） 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 6A（TC） 35MOHM @ 6A，10V，45MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 250µA，3.5V @ 250µA 22nc @ 10v，25nc @ 10v 标准
25P06 Goford Semiconductor 25P06 0.8300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 60 V 25A（TC） 10V 45mohm @ 12a，10v 3V @ 250µA 37 NC @ 10 V ±20V 3384 pf @ 30 V - 100W（TC）
G66 Goford Semiconductor G66 0.6800
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 6-DFN（2x2） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 3,000 P通道 16 V 5.8A（ta） 2.5V，4.5V 45MOHM @ 4.1A，4.5V 1V @ 250µA 7.8 NC @ 4.5 V ±8V 740 pf @ 4 V - 1.7W（TA）
G230P06K Goford Semiconductor G230P06K 0.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 P通道 60 V 60a（TC） 10V 20mohm @ 10a，10v 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±20V 4581 PF @ 30 V - 115W（TC）
G05NP04S Goford Semiconductor G05NP04S 0.1527
RFQ
 ECAD 1938年 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2W（TC） 8-sop - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G05NP04STR Ear99 8541.29.0000 4,000 - 40V 4.5A（TC），10A （TC） 41MOHM @ 1A，10V，37MOHM @ 10A，10V 2.5V @ 250µA 8.9nc @ 10v，13nc @ 10V 516pf @ 20v，520pf @ 20V 标准
G75P04S Goford Semiconductor G75P04S 0.3260
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 P通道 40 V 11A（TC） 4.5V，10V 8mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 106 NC @ 10 V ±20V 6893 PF @ 20 V - 2.5W（TC）
G09P02L Goford Semiconductor G09P02L 0.4900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 9A（TC） 2.5V，4.5V 23mohm @ 1A，4.5V 1.2V @ 250µA 15 NC @ 4.5 V ±12V 620 pf @ 10 V - 2.2W（TC）
G1K8P06S2 Goford Semiconductor G1K8P06S2 0.0970
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2W（TC） 8-sop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 2个p通道 60V 3.2A（TC） 170MOHM @ 1A，10V 2.5V @ 250µA 11.3nc @ 10V 594pf @ 30V 标准
GT013N04D5 Goford Semiconductor GT013N04D5 0.5251
RFQ
 ECAD 4507 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT013N04D5TR Ear99 8541.29.0000 5,000 n通道 40 V 195a（TC） 10V 1.7MOHM @ 30a，10V 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 3927 PF @ 20 V - 78W（TC）
G2002A Goford Semiconductor G2002A 0.0850
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-6L 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 200 v 2A（TC） 4.5V，10V 540MOHM @ 1A，10V 3V @ 250µA 16 NC @ 10 V ±20V 733 PF @ 100 V - 2.5W（TC）
G33N03S Goford Semiconductor G33N03S 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 30 V 13A（TC） 4.5V，10V 12mohm @ 8a，10v 1.1V @ 250µA 13 NC @ 5 V ±20V 1550 pf @ 15 V - 2.5W（TC）
G23N06K Goford Semiconductor G23N06K 0.1370
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252（DPAK） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 23a 35mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 590 pf @ 15 V 38W
GT007N04TL Goford Semiconductor GT007N04TL 1.0128
RFQ
 ECAD 9259 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powersfn MOSFET （金属 o化物） Toll-8L - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT007N04TLTR Ear99 8541.29.0000 2,000 n通道 40 V 150a（TC） 4.5V，10V 1.5MOHM @ 30a，10V 2.5V @ 250µA 163 NC @ 10 V ±20V 7363 PF @ 20 V - 156W（TC）
GT035N10T Goford Semiconductor GT035N10T 2.4124
RFQ
 ECAD 2959 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT035N10T Ear99 8541.29.0000 50 n通道 100 v 190a（TC） 10V 3.5mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 68 NC @ 10 V ±20V 6057 PF @ 50 V - 250W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭