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晶体管（（324）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
G075N06MI Goford Semiconductor G075N06MI 1.4000
RFQ
 ECAD 757 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 1,600 n通道 60 V 110A（TC） 10V 7mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±20V 6443 PF @ 30 V 标准 160W（TC）
G230P06T Goford Semiconductor G230P06T 1.0300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 50 P通道 60 V 60a（TC） 10V 20mohm @ 10a，10v 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±20V 4499 PF @ 30 V - 115W（TC）
G1K3N10LL Goford Semiconductor G1K3N10LL 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-6L 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 3,000 n通道 100 v 3.4A（TC） 4.5V，10V 130MOHM @ 1A，10V 2.5V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 808 PF @ 50 V - 2.28W（TC）
G3404LL Goford Semiconductor G3404LL 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-6L 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 6A（TC） 4.5V，10V 22MOHM @ 4.2A，10V 2V @ 250µA 12.2 NC @ 10 V ±20V 541 PF @ 15 V - 1.2W（TC）
G75P04D5 Goford Semiconductor G75P04D5 0.9200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 5,000 P通道 40 V 70A（TC） 4.5V，10V 6mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 106 NC @ 10 V ±20V 6697 PF @ 20 V - 150W（TC）
G28N02T Goford Semiconductor G28N02T 0.4942
RFQ
 ECAD 9545 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G28N02T Ear99 8541.29.0000 50 n通道 20 v 28a（TC） 2.5V，4.5V 7.3mohm @ 12a，4.5V 900mv @ 250µA 42 NC @ 10 V ±12V 2000 pf @ 10 V - 2.5W（TC）
GT013N04TI Goford Semiconductor GT013N04TI 1.4800
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 戈福德半导体 中士 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 50 n通道 40 V 220A（TC） 10V 2.5MOHM @ 30a，10V 5V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 3986 pf @ 20 V 标准 90W（TC）
G220P02D2 Goford Semiconductor G220P02D2 0.0790
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 6-DFN（2x2） 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 3,000 P通道 20 v 8A（TC） 4.5V，10V 20mohm @ 6a，10v 1.2V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±12V 1873 pf @ 10 V - 3.5W（TC）
G170P03D3 Goford Semiconductor G170P03D3 0.4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 30 V 20a 4.5V，10V - - - - 28W
18N20 Goford Semiconductor 18n20 0.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 18n20 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 200 v 18A（TJ） 10V 160MOHM @ 9A，10V 3V @ 250µA 17.7 NC @ 10 V ±30V 836 pf @ 25 V - 65.8W（TC）
GT080N10M Goford Semiconductor GT080N10M 1.5200
RFQ
 ECAD 788 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 100 v 70A（TC） 4.5V，10V 7.5mohm @ 20a，10v 3V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±20V 2125 PF @ 50 V - 100W（TC）
G58N06K Goford Semiconductor G58N06K 0.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 60 V 58A（TC） 4.5V，10V 13mohm @ 30a，10v 2.5V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±20V 2841 PF @ 30 V - 71W（TC）
18N20F Goford Semiconductor 18n20f 0.4150
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 50 n通道 200 v 18A（TC） 10V 190mohm @ 9a，10v 3V @ 250µA 17.7 NC @ 10 V ±20V 836 pf @ 25 V - 110W（TC）
G28N03D3 Goford Semiconductor G28N03D3 0.0920
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 28a（TC） 4.5V，10V 12mohm @ 16a，10v 2.5V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±20V 891 PF @ 15 V - 20.5W（TC）
G06N02H Goford Semiconductor G06N02H 0.0975
RFQ
 ECAD 9583 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA MOSFET （金属 o化物） SOT-223 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G06N02HTR Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 20 v 6A（TC） 2.5V，4.5V 14.3MOHM @ 3A，4.5V 900mv @ 250µA 12.5 NC @ 10 V ±12V 1140 pf @ 10 V - 1.8W（TC）
GT700P08K Goford Semiconductor GT700P08K 0.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 P通道 60 V 20A（TC） 10V 72MOHM @ 2A，10V 3.5V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 1615 PF @ 40 V - 125W（TC）
G800N06H Goford Semiconductor G800N06H 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA MOSFET （金属 o化物） SOT-223 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 60 V 3A（TC） 4.5V，10V 80mohm @ 3a，10v 1.2V @ 250µA 6 NC @ 4.5 V ±20V 457 PF @ 30 V 标准 1.2W（TC）
G36N03K Goford Semiconductor G36N03K 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 30 V 36a（TC） 4.5V，10V 8.5mohm @ 20a，10v 2.2V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±20V 1040 pf @ 15 V - 31W（TC）
GT025N06D5 Goford Semiconductor GT025N06D5 0.6630
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5.2x5.86） 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 60 V 95A（TC） 4.5V，10V 2.7MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 93 NC @ 10 V ±20V 5950 pf @ 25 V - 120W（TC）
18N10 Goford Semiconductor 18n10 0.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252（DPAK） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 25a 53mohm @ 10a，10v 3V @ 250µA 28 NC @ 10 V ±20V 1318 PF @ 50 V 62.5W
G12P10KE Goford Semiconductor G12P10KE 0.1620
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 2,500 P通道 100 v 12A（TC） 4.5V，10V 200mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 33 NC @ 10 V ±20V 1720 PF @ 50 V - 57W（TC）
60N06 Goford Semiconductor 60n06 0.7200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252（DPAK） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 50a 17mohm @ 5a，10v 2V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 2050 pf @ 30 V 85W
G08N06S Goford Semiconductor G08N06S 0.4600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 60 V 6a（6a） 4.5V，10V 30mohm @ 3a，10v 2.5V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 979 PF @ 30 V - 2W（TA）
G080P06M Goford Semiconductor G080P06M 1.8900
RFQ
 ECAD 301 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 P通道 60 V 195a（TC） 10V 7.5mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 186 NC @ 10 V ±20V 15870 pf @ 30 V - 294W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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