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晶体管（（324）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
G2312 Goford Semiconductor G2312 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 5a 18mohm @ 4.2A，10V 1V @ 250µA 11 NC @ 4.5 V ±12V 780 pf @ 10 V 1.25W
G630J Goford Semiconductor G630J 0.8000
RFQ
 ECAD 732 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA MOSFET （金属 o化物） TO-251 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 75 n通道 200 v 9A（TC） 10V 280MOHM @ 4.5A，10V 3V @ 250µA 11.8 NC @ 10 V ±20V 509 pf @ 25 V 标准 83W（TC）
G100N03D5 Goford Semiconductor G100N03D5 1.2700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 100A（TC） 4.5V，10V 3.5mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 5595 pf @ 50 V - 50W（TC）
6706A Goford Semiconductor 6706a 0.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2W（TC） 8-sop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 - 30V 6.5a（5a），5a（ta） 30mohm @ 5a，10v，60mohm @ 4a，10v 5.2nc @ 10v，9.2nc @ 10V 255pf @ 15V，520pf @ 15V 标准
GT060N04D5 Goford Semiconductor GT060N04D5 0.6600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 5,000 n通道 40 V 62A（TC） 4.5V，10V 5.5MOHM @ 30a，10V 2.3V @ 250µA 44 NC @ 10 V ±20V 1276 PF @ 20 V - 39W（TC）
G65P06K Goford Semiconductor G65P06K 0.4030
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 60 V 65A（TC） 10V 18mohm @ 20a，10v 3.5V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 5814 PF @ 25 V - 130W（TC）
GT750P10K Goford Semiconductor GT750P10K 0.9700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 P通道 100 v 24A（TC） 10V 85mohm @ 20a，10v 3V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±20V 1940 pf @ 50 V - 79W（TC）
G120P03S2 Goford Semiconductor G120P03S2 0.8000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G120 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TC） 8-sop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 30V 16A（TC） 14mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 35nc @ 10V 2835pf @ 15V 标准
G06N02H Goford Semiconductor G06N02H 0.0975
RFQ
 ECAD 9583 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA MOSFET （金属 o化物） SOT-223 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G06N02HTR Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 20 v 6A（TC） 2.5V，4.5V 14.3MOHM @ 3A，4.5V 900mv @ 250µA 12.5 NC @ 10 V ±12V 1140 pf @ 10 V - 1.8W（TC）
GT025N06D5 Goford Semiconductor GT025N06D5 0.6630
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5.2x5.86） 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 60 V 95A（TC） 4.5V，10V 2.7MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 93 NC @ 10 V ±20V 5950 pf @ 25 V - 120W（TC）
G400P06T Goford Semiconductor G400P06T -
RFQ
 ECAD 2550 0.00000000 戈福德半导体 g 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 60 V 32A（TC） 10V 40mohm @ 12a，10v 3V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±20V 2598 PF @ 30 V - 110W（TC）
GT025N06AM6 Goford Semiconductor GT025N06AM6 1.3230
RFQ
 ECAD 9062 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡） MOSFET （金属 o化物） 到263-6 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT025N06AM6TR Ear99 8541.29.0000 800 n通道 60 V 170a（TC） 4.5V，10V 2mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 5058 PF @ 30 V - 215W（TC）
GT100N12K Goford Semiconductor GT100N12K 1.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 120 v 65A（TC） 10V 12mohm @ 35a，10v 3.5V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 2911 PF @ 60 V - 75W（TC）
G4953S Goford Semiconductor G4953S 0.0970
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G4953 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 30V 5A（TC） 60mohm @ 5a，10v 3V @ 250µA 11NC @ 10V 520pf @ 15V -
18N20F Goford Semiconductor 18n20f 0.4150
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 50 n通道 200 v 18A（TC） 10V 190mohm @ 9a，10v 3V @ 250µA 17.7 NC @ 10 V ±20V 836 pf @ 25 V - 110W（TC）
G58N06K Goford Semiconductor G58N06K 0.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 60 V 58A（TC） 4.5V，10V 13mohm @ 30a，10v 2.5V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±20V 2841 PF @ 30 V - 71W（TC）
G7K2N20HE Goford Semiconductor G7K2N20HE 0.4900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA MOSFET （金属 o化物） SOT-223 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 200 v 2A（TC） 4.5V，10V 700MOHM @ 1A，10V 2.5V @ 250µA 10.8 NC @ 10 V ±20V 568 pf @ 100 V 标准 1.8W（TC）
G800N06S2 Goford Semiconductor G800N06S2 0.0970
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 1.7W（TC） 8-sop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 2 n通道 60V 3A（TC） 80mohm @ 3a，10v 1.2V @ 250µA 6NC @ 10V 458pf @ 30V 标准
60N06 Goford Semiconductor 60n06 0.7200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252（DPAK） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 50a 17mohm @ 5a，10v 2V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 2050 pf @ 30 V 85W
G6P06 Goford Semiconductor G6P06 0.4200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 P通道 60 V 6A（TC） 4.5V，10V 96mohm @ 4a，10v 3V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 930 PF @ 30 V - 4.1W（TC）
G080P06M Goford Semiconductor G080P06M 1.8900
RFQ
 ECAD 301 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 P通道 60 V 195a（TC） 10V 7.5mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 186 NC @ 10 V ±20V 15870 pf @ 30 V - 294W（TC）
G50N03D5 Goford Semiconductor G50N03D5 0.6100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 50A（TC） 4.5V，10V 4.5MOHM @ 20A，10V 2.4V @ 250µA 38.4 NC @ 10 V ±20V 1784 pf @ 15 V - 20W（TC）
G9435S Goford Semiconductor G9435S 0.4400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 P通道 30 V 5.1a（ta） 4.5V，10V 55mohm @ 5.1A，10V 3V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±20V 1040 pf @ 15 V - 2.5W（TA）
G1K3N10G Goford Semiconductor G1K3N10G 0.0990
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA MOSFET （金属 o化物） SOT-89 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 1,000 n通道 100 v 5A（TC） 4.5V，10V 130MOHM @ 5A，10V 2V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V 644 pf @ 50 V - 1.5W（TC）
GT52N10T Goford Semiconductor GT52N10T 1.6700
RFQ
 ECAD 186 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 80a 9mohm @ 50a，10v 2.5V @ 250µA 44.5 NC @ 10 V ±20V 2626 PF @ 50 V 227W
GT100N04K Goford Semiconductor GT100N04K 0.1676
RFQ
 ECAD 9457 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT100N04KTR Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 40 V 50A（TC） 4.5V，10V 10mohm @ 5a，10v 2.2V @ 250µA 32 NC @ 10 V ±20V 644 pf @ 20 V - 80W（TC）
G230P06T Goford Semiconductor G230P06T 1.0300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 50 P通道 60 V 60a（TC） 10V 20mohm @ 10a，10v 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±20V 4499 PF @ 30 V - 115W（TC）
G900P15K Goford Semiconductor G900P15K 1.5000
RFQ
 ECAD 276 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 150 v 50A（TC） 10V 80Mohm @ 5A，10V 4V @ 250µA 27 NC @ 4.5 V ±20V 3918 PF @ 75 V 标准 96W（TC）
G08N03D2 Goford Semiconductor G08N03D2 0.1018
RFQ
 ECAD 5517 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 6-DFN（2x2） - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G08N03D2TR Ear99 8541.29.0000 3,000 n通道 30 V 8A（TC） 4.5V，10V 20mohm @ 4a，10v 2V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±20V 681 pf @ 15 V - 17W（TC）
G5N02L Goford Semiconductor G5N02L 0.0771
RFQ
 ECAD 4824 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G5N02LTR Ear99 8541.29.0000 3,000 n通道 20 v 5A（TC） 2.5V，10V 18mohm @ 4.2A，10V 1V @ 250µA 11 NC @ 4.5 V ±12V 780 pf @ 10 V - 1.25W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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