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JFET（1249）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电阻-RDS（（在）	（ID） - 最大
TF208-5-TL-H	-	RFQ	9338	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	TF208	100兆	3-VTFP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000	n通道		5pf @ 2V		210 µA @ 2 V	100 mV @ 1 µA		1 MA
MX2N5114UB/TR	87.0884	RFQ	1124	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		500兆	UB	-			到达不受影响	150-MX2N5114UB/TR			100	P通道	30 V	25pf @ 15V	30 V	30 ma @ 18 V	5 V @ 1 na	75欧姆
PN5432	-	RFQ	1170	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN543	350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道		30pf @ 10V（vgs）	25 v	150 ma @ 15 V	4 V @ 3 na	5欧姆
BF246A	-	RFQ	4058	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BF246	350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道		-	30 V	30 ma @ 15 V	600 mv @ 100 na
PN4303	-	RFQ	1055	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN430	625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道		-	30 V	4 mA @ 15 V	6 V @ 1 na
J177,126	-	RFQ	3147	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	J177	400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	P通道	30 V	8pf @ 10v（vgs）	30 V	1.5 ma @ 15 V	800 mv @ 10 na	300欧姆
2N2608	-	RFQ	2561	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3		300兆	TO-18	下载		供应商不确定		2N2608CS	Ear99	8541.21.0095	2,000	P通道		-	30 V	900 µA @ 5 V	1 V @ 1 µA
MV2N5115	77.5922	RFQ	3368	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3		500兆	TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-MV2N5115			1	P通道	30 V	25pf @ 15V	30 V	15 ma @ 15 V	3 V @ 1 na	100欧姆
SST201-T1-E3	-	RFQ	5427	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SST201	350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		4.5pf @ 15V	40 V	200 µA @ 15 V	300 mv @ 10 na
2SK715V	-	RFQ	3161	Onmi	-	大部分	过时的	125°C（TJ）	通过洞	SC-72	2SK715	300兆	3-SPA	-		（1 （无限）	到达不受影响	2156-2SK715V-on	Ear99	8541.21.0095	500	n通道	15 v	10pf @ 5V		10 mA @ 5 V	600 mV @ 100 µA		50 mA
BF246B	-	RFQ	9229	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BF246	625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道		-	25 v	60 ma @ 15 V	600 mv @ 10 na
MV2N4860	57.2964	RFQ	5814	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/385	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	MV2N4860	360兆w	TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1	n通道	30 V	18pf @ 10V	30 V	100 ma @ 15 V	6 V @ 500 PA	40欧姆
2N5485	-	RFQ	4891	微芯片技术	*	大部分	积极的							-			到达不受影响	150-2N5485			100
MV2N5114	65.4360	RFQ	6057	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	MV2N5114	500兆	TO-18（（TO-206AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1	P通道	30 V	25pf @ 15V	30 V	90 ma @ 18 V	10 V @ 1 na	75欧姆
J2A012YXY/S1AY731J	-	RFQ	3902	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				J2A0			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
J309 TO-92 3L ROHS	4.1300	RFQ	910	线性集成系统公司	J309	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		350兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000	n通道		4pf @ 10V	25 v	12 ma @ 10 V	1 v @ 1 na	35欧姆
TF252TH-4-TL-H	-	RFQ	6808	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	TF252	100兆	3-VTFP	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000	n通道		3.1pf @ 2V		140 µA @ 2 V	100 mV @ 1 µA		1 MA
J110G	-	RFQ	6820	Onmi	-	大部分	过时的	135°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	J110	310 MW	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000	n通道		-	25 v	10 ma @ 15 V	500 mV @ 1 µA	18欧姆
J2E120EUA/S0BE3A4V	-	RFQ	1352	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				J2E1			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
TF222B-B4-TL-E	0.0200	RFQ	64	Sanyo	*	大部分	积极的							-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	8,000
MV2N5115UB/TR	95.7866	RFQ	9285	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		500兆	UB	-			到达不受影响	150-MV2N5115UB/TR			100	P通道	30 V	25pf @ 15V	30 V	15 ma @ 15 V	3 V @ 1 na	100欧姆
SST5486-E3	-	RFQ	7733	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SST5486	350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000	n通道		5pf @ 15V	25 v	8 ma @ 15 V	2 V @ 10 na
J2A012ZXZ/S1AZ3CHJ	-	RFQ	7717	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				J2A0			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
2N5564 TO-71 6L ROHS	11.5500	RFQ	376	线性集成系统公司	2N5564	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-71-6金属罐		500兆	TO-71	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	500	2 n 通道（双）		25pf @ 15V	40 V	7 ma @ 15 V	500 mv @ 2 ma	50欧姆
MX2N4860	50.8193	RFQ	7083	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/385	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4860	360兆w	TO-18（（TO-206AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1	n通道	30 V	18pf @ 10V	30 V	100 ma @ 15 V	6 V @ 500 PA	40欧姆
2N5115E3	36.3622	RFQ	2920	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3		500兆	TO-18（（TO-206AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-2N5115E3			1	P通道	30 V	25pf @ 15V	30 V	15 ma @ 15 V	3 V @ 1 na	100欧姆
MMBF5458	-	RFQ	5707	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBF54	350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		7pf @ 15V	25 v	2 ma @ 15 V	1 V @ 10 na
MX2N4091UB/TR	89.2696	RFQ	4508	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/431	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		360兆w	3-UB （3.09x2.45）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-MX2N4091UB/TR			1	n通道	40 V	16pf @ 20V	40 V	30 ma @ 20 V		30欧姆
BSR58,215	-	RFQ	9109	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSR5	250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	40 V	-	40 V	8 ma @ 15 V	800 mV @ 0.5 na	60欧姆
KSK30YTA	-	RFQ	1281	Onmi	-	（TB）	过时的	125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSK30	100兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道		8.2pf @ 0v	50 V	1.2 ma @ 10 V	400 mv @ 100 na

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

JFET（1249）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²