RFQ
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JFET（1249）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电阻-RDS（（在）	（ID） - 最大
MQ2N4393UB/TR	69.6920	RFQ	9352	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-			到达不受影响	150-MQ2N4393UB/TR			100
MQ2N4091UB/TR	81.3960	RFQ	9665	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		360兆w	UB	-			到达不受影响	150-MQ2N4091UB/TR			100	n通道	40 V	16pf @ 20V	40 V	30 ma @ 20 V		30欧姆
MX2N5115UB/TR	87.0884	RFQ	9352	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		500兆	UB	-			到达不受影响	150-MX2N5115UB/TR			100	P通道	30 V	25pf @ 15V	30 V	15 ma @ 15 V	3 V @ 1 na	100欧姆
MQ2N5115UB/TR	75.7701	RFQ	7429	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		500兆	UB	-			到达不受影响	150-MQ2N5115UB/TR			100	P通道	30 V	25pf @ 15V	30 V	15 ma @ 15 V	3 V @ 1 na	100欧姆
MQ2N5114UB/TR	75.7701	RFQ	4033	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		500兆	UB	-			到达不受影响	150-MQ2N5114UB/TR			100	P通道	30 V	25pf @ 15V	30 V	30 ma @ 18 V	5 V @ 1 na	75欧姆
MQ2N4392UB	69.3861	RFQ	7893	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	表面安装	3-SMD，没有铅			UB	-			到达不受影响	150-MQ2N4392UB			1	n通道		-
MX2N4861UB	68.7743	RFQ	6263	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/385	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		360兆w	UB	-			到达不受影响	150-MX2N4861UB			1	n通道	30 V	18pf @ 10V	30 V	8 ma @ 15 V	800 MV @ 500 PA	60欧姆
MQ2N4092UB	81.2497	RFQ	7749	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		360兆w	UB	-			到达不受影响	150-MQ2N4092UB			1	n通道	40 V	16pf @ 20V	40 V	15 ma @ 20 V		50欧姆
MQ2N5115	54.5300	RFQ	4936	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3		500兆	TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-MQ2N5115			1	P通道	30 V	25pf @ 15V	30 V	15 ma @ 15 V	3 V @ 1 na	100欧姆
SMP5116TR	-	RFQ	3157	交流	SMP5116	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3		350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	4966-SMP5116TR	Ear99	8541.21.0095	1	P通道	30 V	12pf @ 10V		10 ma @ 15 V	2 V @ 1 na	110欧姆
SMP5462	-	RFQ	1580	交流	SMP5462	条	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3		350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	4966-SMP5462	Ear99	8541.21.0095	1	P通道	40 V	4pf @ 15V		5.5 ma @ 15 V	4 V @ 1 µA	350欧姆
J111rlrpg	-	RFQ	7454	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	J111	350兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道		-	35 v	20 ma @ 15 V	3 V @ 1 µA	30欧姆
2N5639G	-	RFQ	5302	Onmi	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2N5639	310 MW	TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000	n通道	30 V	10pf @ 12v（vgs）	35 v	25 ma @ 20 V		60欧姆
BFR30LT1	-	RFQ	1352	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFR30	225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	25 v	5pf @ 10V		4 mA @ 10 V	5 V @ 0.5 na
BSR58LT1G	-	RFQ	4328	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSR58	350兆	SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		-	40 V	8 ma @ 15 V	800 mV @ 1 µA	60欧姆
MPF4392G	-	RFQ	8347	Onmi	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPF439	350兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000	n通道	30 V	10pf @ 15v（vgs）	30 V	25 ma @ 15 V	2 V @ 10 na	60欧姆
SMBF5460LT1	0.2100	RFQ	6	Onmi	*	大部分	积极的							-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000
MMBF5461	0.0900	RFQ	5635	Fairchild半导体	-	大部分	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		225兆	SOT-23-3	下载					Ear99	8541.21.0095	2	P通道		7pf @ 15V	40 V	2 ma @ 15 V	1 V @ 1 µA
MMBFJ202	-	RFQ	7118	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		350兆	SOT-23-3	下载					Ear99	8541.21.0095	1	n通道		-	40 V	900 µA @ 20 V	800 mv @ 10 na
J175-D26Z	0.1400	RFQ	135	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		350兆	TO-92-3	下载						0000.00.0000	2,213	P通道		-	30 V	7 ma @ 15 V	3 V @ 10 na	125欧姆
2N4091UB/TR	47.8135	RFQ	5732	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		360兆w	3-UB （3.09x2.45）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-2N4091UB/TR			1	n通道	40 V	16pf @ 20V	40 V	30 ma @ 20 V		30欧姆
MQ2N2609	76.0760	RFQ	7230	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3		300兆	TO-18（（TO-206AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-MQ2N2609			1	P通道	30 V	10pf @ 5V	30 V	2 ma @ 5 V	750 mv @ 1 µA
2N4393UB/tr	28.2359	RFQ	6827	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-2N4393UB/TR			1
2N4857UB/tr	86.9554	RFQ	9296	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N4857	360兆w	-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-2N4857UB/TR			1	n通道	40 V	18pf @ 10V	40 V	100 ma @ 15 V	6 V @ 500 PA	40欧姆
MV2N4860UB/TR	80.6379	RFQ	6106	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-MV2N4860UB/TR			1
MX2N4858UB/TR	68.9206	RFQ	5163	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-MX2N4858UB/TR			1
MV2N4392UB/TR	78.0577	RFQ	5780	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-MV2N4392UB/TR			1
CP226V-2N4393-CT20	-	RFQ	4975	中央半导体公司	-	托盘	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	死		1.8 w	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP226V-2N4393-CT20	Ear99	8541.29.0095	20	n通道	40 V	20pf @ 20V	40 V	5 ma @ 3 V	500 mv @ 1 na	100欧姆	50 mA
MV2N4092UB	92.3419	RFQ	9168	微芯片技术	-	大部分	积极的							-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1	n通道
MV2N4093	78.9222	RFQ	2563	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/431	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3		360兆w	TO-18（（TO-206AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1	n通道	40 V	16pf @ 20V	40 V	8 ma @ 20 V		80欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

JFET（1249）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²