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JFET（1249）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电阻-RDS（（在）	（ID） - 最大
2n4416aub/tr	91.8300	RFQ	2493	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-			到达不受影响	150-2N4416AUB/TR			100
MQ2N4858UB/TR	80.9438	RFQ	2606	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		360兆w	UB	-			到达不受影响	150-MQ2N4858UB/TR			100	n通道	40 V	18pf @ 10V	40 V	8 ma @ 15 V	800 MV @ 500 PA	60欧姆
MQ2N4859UB/TR	80.9438	RFQ	5327	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/385	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		360兆w	UB	-			到达不受影响	150-MQ2N4859UB/TR			100	n通道	30 V	18pf @ 10V	30 V	50 mA @ 15 V	4 V @ 500 PA	25欧姆
MV2N5114UB/TR	95.7866	RFQ	8615	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		500兆	UB	-			到达不受影响	150-MV2N5114UB/TR			100	P通道	30 V	25pf @ 15V	30 V	30 ma @ 18 V	5 V @ 1 na	75欧姆
2N2608UB	87.3150	RFQ	6170	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		300兆	UB	-			到达不受影响	150-2N2608UB			1	P通道		10pf @ 5V	30 V	1 mA @ 5 V	750 mv @ 1 µA
MQ2N4858UB	80.7975	RFQ	5576	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		360兆w	UB	-			到达不受影响	150-MQ2N4858UB			1	n通道	40 V	18pf @ 10V	40 V	8 ma @ 15 V	800 MV @ 500 PA	60欧姆
MQ2N4392	27.9965	RFQ	1808年	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-MQ2N4392			1	n通道		-
MQ2N5114UB	75.6238	RFQ	5556	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		500兆	UB	-			到达不受影响	150-MQ2N5114UB			1	P通道	30 V	25pf @ 15V	30 V	30 ma @ 18 V	5 V @ 1 na	75欧姆
MS2N5116	-	RFQ	8375	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3		500兆	TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-MS2N5116			100	P通道	30 V	27pf @ 15V	30 V	5 ma @ 15 V	1 v @ 1 na	175欧姆
2n3823ub	65.3100	RFQ	9905	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C 200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		300兆	UB	-			到达不受影响	150-2N3823UB			1	n通道	30 V	6pf @ 15V	30 V	4 mA @ 15 V	8 V @ 500 PA
2N5277	15.6150	RFQ	4120	微芯片技术	*	大部分	积极的							-			到达不受影响	150-2N5277			1
SMP4220A	-	RFQ	6419	交流	SMP4220	条	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3		350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	4966-SMP4220A	Ear99	8541.21.0095	1	n通道	30 V	3pf @ 15V		1 mA @ 15 V	1 V @ 0.1 NA	800欧姆
IFN201AST3	-	RFQ	4282	交流	IFN201	条	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3		350兆	SOT-23-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	4966-IFN201AST3	Ear99	8541.21.0095	1	n通道	40 V				800 mv @ 10 na	1.2科姆斯
SMP4341TR	-	RFQ	8805	交流	SMP4341	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3		350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	4966-SMP4341TR	Ear99	8541.21.0095	1	n通道	50 V	3pf @ 15V		4.5 ma @ 15 V	3.5 V @ 100 na	450欧姆
IF170DST3TR	-	RFQ	3818	交流	IF170	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3		350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	4966-IF170DST3TR	Ear99	8541.21.0095	1	n通道	30 V	15pf @ 10V		22 ma @ 10 V	1.5 V @ 1 na	38欧姆
IF170CST3TR	-	RFQ	9146	交流	IF170	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3		350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	4966-IF170CST3TR	Ear99	8541.21.0095	1	n通道	30 V	15pf @ 10V		14 mA @ 10 V	1.2 V @ 1 na	42欧姆
JANTX2N4859	13.8900	RFQ	1	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4859	360兆w	TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1	n通道	30 V	18pf @ 10V（vgs）	30 V	175 ma @ 15 V	10 V @ 500 PA	25欧姆
TF256th-4-TL-H	-	RFQ	5562	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	TF256	100兆	3-VTFP	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000	n通道		3.1pf @ 2V		140 µA @ 2 V	100 mV @ 1 µA		1 MA
SMMBF4391LT1G	-	RFQ	2059	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMMBF4	225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	30 V	14pf @ 15V（vgs）	30 V	50 mA @ 15 V	4 V @ 10 na	30欧姆
DSK9J01P0L	-	RFQ	1184	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	DSK9J01	125 MW	ssmini3-f3-b	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	55 v	6pf @ 10V		1 mA @ 10 V	5 V @ 10 µA		30 ma
SMMBF4393LT1G	0.4900	RFQ	61	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMMBF4393	225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	30 V	14pf @ 15V（vgs）	30 V	30 ma @ 15 V	3 V @ 10 na	100欧姆
2N3822	-	RFQ	9123	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/375	大部分	在sic中停产	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以		300兆	到72	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1	n通道	50 V	6pf @ 15V	50 V	10 ma @ 15 V	6 V @ 500 PA
2N4092UB	44.4087	RFQ	9018	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N4092	360兆w	3-UB （3.09x2.45）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1	n通道	40 V	16pf @ 20V	40 V	15 ma @ 20 V		50欧姆
2N4392UB	28.0497	RFQ	1160	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N4392			-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2N4393UB	28.0497	RFQ	6823	微芯片技术	-	大部分	积极的				2N4393			-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2N4856UB	86.7825	RFQ	1464	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N4856	360兆w	-	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	40 V	18pf @ 10V	40 V	175 ma @ 15 V	10 V @ 500 PA	25欧姆
2N4857	57.9082	RFQ	7533	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4857	360兆w	TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1	n通道	40 V	18pf @ 10V	40 V	100 ma @ 15 V	6 V @ 500 PA	40欧姆
2N4857UB	86.7825	RFQ	1056	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N4857	360兆w	-	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	40 V	18pf @ 10V	40 V	100 ma @ 15 V	6 V @ 500 PA	40欧姆
2N4859UB	86.7825	RFQ	1856年	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N4859	360兆w	-	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	30 V	18pf @ 10V	30 V	175 ma @ 15 V	10 V @ 500 PA	25欧姆
2N5115	35.8568	RFQ	6065	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N5115	500兆	TO-18（（TO-206AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2N5115MS	Ear99	8541.21.0095	1	P通道	30 V	25pf @ 15V	30 V	60 ma @ 15 V	6 V @ 1 na	100欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

JFET（1249）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²