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JFET（1249）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | （VDSS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | 电压 -故障（ v br（br）GSS） | 电流 -idss） @ vds（vgs = 0） | 电压 -截止（ -vgs Off） @ ID | 电阻-RDS（（在） | （ID） - 最大 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SK545-11D-TB-E | - |  | 9848 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | - | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 2SK545 | 125 MW | SMCP | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 1.7pf @ 10V | 60 µA @ 10 V | 1.5 V @ 1 µA | 1 MA | ||||
 | 2N4391 | - | | 4914 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-206AA，TO-18-3 | 2N4391 | 1.8 w | TO-206AA（to-18） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | n通道 | 14pf @ 20V | 40 V | 50 mA @ 20 V | 4 V @ 1 na | 30欧姆 | ||||
 | 2N4416A-E3 | - | | 3244 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 大部分 | 过时的 | -50°C〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-206AF，TO-72-4金属可以 | 2N4416 | 300兆 | to-206af（72） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | n通道 | 4pf @ 15V | 35 v | 5 ma @ 15 V | 2.5 V @ 1 na | |||||
| 2N5114JTXL02 | - | | 6098 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-206AA，TO-18-3 | 2N5114 | TO-206AA（to-18） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | |||||||||
| 2N5115-E3 | - | | 4217 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-206AA，TO-18-3 | 2N5115 | TO-206AA（to-18） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | - | - | |||||||||
| 2N5547JTX01 | - | | 8640 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-71-6 | 2N5547 | TO-71 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 40 | - | - | |||||||||
 | J108,126 | - | | 3924 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | （TB） | 过时的 | 150°C（TJ） | 通过洞 | TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） | J108 | 400兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 934003850126 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n通道 | 25 v | 30pf @ 0v | 25 v | 80 ma @ 5 V | 10 V @ 1 µA | 8欧姆 | ||
 | 2N5457 | - | | 8183 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） | 310 MW | TO-92-3 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 2N5457锡/铅 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n通道 | 25 v | 7pf @ 15V | 25 v | 1 mA @ 15 V | 500 mv @ 10 na | ||||
| 2N5460 | 0.4410 | | 6024 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） | 310 MW | TO-92-3 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | P通道 | 7pf @ 15V | 40 V | 1 mA @ 15 V | 750 mv @ 1 µA | ||||||
 | 2SK508-T1B-A | 0.1700 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||
 | MMBF4118 | - | | 2719 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MMBF41 | 225兆 | SOT-23-3 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 3pf @ 10V | 40 V | 80 µA @ 10 V | 1 v @ 1 na | |||||
 | MMBF4119 | - | | 9163 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 225兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 3,000 | n通道 | 3pf @ 10V | 40 V | 200 µA @ 10 V | 2 V @ 1 na | ||||||
 | SMBF1006LT1 | 0.0200 | | 54 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | ||||||||||||||||
| MX2N4392UB/TR | 69.5324 | | 3929 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MX2N4392UB/TR | 1 | ||||||||||||||||||
| MV2N4391UB/TR | 78.0577 | | 1817年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MV2N4391UB/TR | 1 | ||||||||||||||||||
 | 2N4092UB/TR | 44.5816 | | 7613 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | 3-SMD，没有铅 | 360兆w | 3-UB （3.09x2.45） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-2N4092UB/TR | 1 | n通道 | 40 V | 16pf @ 20V | 40 V | 15 ma @ 20 V | 50欧姆 | |||||||
| MV2N4393UB/TR | 78.0577 | | 9170 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MV2N4393UB/TR | 1 | ||||||||||||||||||
| MX2N4393UB/TR | 69.5324 | | 5368 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MX2N4393UB/TR | 1 | ||||||||||||||||||
| MV2N4858UB/TR | 80.6379 | | 4471 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MV2N4858UB/TR | 1 | ||||||||||||||||||
| CP216-2N4392-CT20 | - | | 1546年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 死 | 350兆 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 1514-CP216-2N4392-CT20 | 过时的 | 20 | n通道 | 40 V | 20pf @ 20V | 40 V | 25 ma @ 20 V | 2 V @ 1 na | 60欧姆 | 50 mA | ||||
| NCC1077/tr | - | | 9798 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-NCC1077/tr | 1 | ||||||||||||||||||
| MX2N4860UB/TR | 68.9206 | | 8931 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MX2N4860UB/TR | 1 | ||||||||||||||||||
| MX2N4093UB/TR | 89.2696 | | 8077 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/431 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | 3-SMD，没有铅 | 360兆w | 3-UB （3.09x2.45） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MX2N4093UB/TR | 1 | n通道 | 40 V | 16pf @ 20V | 40 V | 8 ma @ 20 V | 80欧姆 | |||||||
| MV2N4859UB/TR | 80.6379 | | 7942 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MV2N4859UB/TR | 1 | ||||||||||||||||||
| MX2N4857UB/TR | 68.9206 | | 6794 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MX2N4857UB/TR | 1 | ||||||||||||||||||
 | U421 TO-78 7L ROHS | 19.6800 | | 509 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | U421 | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-78-7金属罐 | 500兆 | TO-78-7 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 500 | 2 n 通道（双） | 3pf @ 10V | 40 V | ||||||||
 | J177 TO-92 3L | 6.2800 | | 896 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | J177 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜135°C（TJ） | 通过洞 | TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） | 350兆 | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | P通道 | - | 30 V | 1.5 ma @ 15 V | 800 mv @ 10 na | 300欧姆 | |||||
 | LSJ74D至923L | 9.5800 | | 954 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | LSJ74D | 大部分 | 积极的 | -55°C〜135°C（TJ） | 通过洞 | TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） | 400兆 | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | P通道 | 105pf @ 10V | 25 v | 17 mA @ 10 V | 150 mV @ 0.1 µA | ||||||
 | U403 TO-71 6L | 9.1100 | | 500 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | U403 | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-71-6金属罐 | 300兆 | TO-71 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 50 V | 8pf @ 15V | 50 V | 500 µA @ 10 V | 500 mv @ 1 na | |||||
 | 2N4858 | 5.0000 | | 9991 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-206AA，TO-18-3 | 300兆 | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 2383-2N4858 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | - | 40 V | 18pf @ 10V | 40 V | 800 mV @ 0.5 na |
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