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IGBT（8343）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
FP100R06KE3B16BOSA1	1.0000	RFQ	1486年	Infineon技术	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
RJH60A83RDPD-A0＃j2	-	RFQ	4546	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准	51 w		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		300V，10a，5ohm，15V	130 ns	沟	600 v	20 a		2.6V @ 15V，10a	（230µJ）（在160µJ）上（OFF）	19.7 NC	31ns/54ns
IXGA16N60C2	-	RFQ	3346	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXGA16	标准	150 w		TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		400V，12A，22OHM，15V		pt	600 v	40 a	100 a	3V @ 15V，12A	160µJ（在）（90µJ）上，OFF）	25 NC	16ns/75ns
IRGR4607DTRLPBF	-	RFQ	5889	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准	58 w		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001549718	Ear99	8541.29.0095	3,000		400V，4A，100OHM，15V	48 ns	-	600 v	11 a	12 a	2.05V @ 15V，4A	（140µJ）（在62µJ上）	9 NC	27NS/120NS
FGB20N6S2D	-	RFQ	8941	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FGB2	标准	125 w		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		390V，7a，25ohm，15V	31 ns	-	600 v	28 a	40 a	2.7V @ 15V，7a	25µJ（在）（58µJ）（OFF）上）	30 NC	7.7NS/87NS
FZ600R17KE3S4HOSA1	283.5000	RFQ	8118	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FZ600R17		3150 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的			沟渠场停止	1700 v	1200 a		2.45V @ 15V，600A				3 ma	不	54 NF @ 25 V
BSM50GP120BOSA1	247.2200	RFQ	4	Infineon技术	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM50G			三相桥梁整流器	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	3相逆变器			-	1200 v	80 a		2.55V @ 15V，50a				500 µA	是的	3.3 pf @ 25 V
STGP30M65DF2	2.8900	RFQ	7083	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP30	标准	258 w		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		400V，30a，10ohm，15V	140 ns	沟渠场停止	650 v	60 a	120 a	2V @ 15V，30a	（300µJ）（在960µJ上）	80 NC	31.6ns/115ns
FMG1G200US60L	55.6300	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			695 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的			-	600 v	200 a		2.7V @ 15V，200a				250 µA	不
STGF20H60DF	2.6300	RFQ	632	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STGF20	标准	37 W		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		400V，20a，10ohm，15V	90 ns	沟渠场停止	600 v	40 a	80 a	2V @ 15V，20A	209µJ（在）上，261µJ（OFF）	115 NC	42.5NS/177NS
FS820R08A6P2LBBPSA1	693.0000	RFQ	3	Infineon技术	HybridPack™	托盘	积极的	175°C（TJ）	底盘安装	模块	FS820R08			标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器			沟渠场停止		820 a		-					不
FS400R07A1E3BOMA1	-	RFQ	6590	Infineon技术	Hybridpack™1	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS400R07		1250 w	标准	Ag-Hybrid1-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001283950	Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器			沟渠场停止	650 v	500 a		1.9V @ 15V，400A				1 MA	是的	26 NF @ 25 V
IKW40N60DTPXKSA1	3.5100	RFQ	226	Infineon技术	Trenchstop™	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW40N60	标准	246 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，40a，10.1Ohm，15V	87 ns	沟渠场停止	600 v	67 a	120 a	1.8V @ 15V，40a	1.06mj（在）（610µJ）上）	177 NC	18NS/222NS
APTGF50A120TG	-	RFQ	5735	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4			312 w	标准	SP4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	半桥			npt	1200 v	75 a		3.7V @ 15V，50a				250 µA	是的	3.45 NF @ 25 V
STGD3NC120H-1	-	RFQ	6740	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STGD3	标准	105 w		IPAK（to-251）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		800V，3a，10ohm，15V		-	1200 v	16 a	20 a	2.8V @ 15V，3A	（236µJ）（在），290µJ（（（（（（）	24 NC	15NS/118NS
IRG4PF50WDPBF	-	RFQ	4245	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PF50	标准	200 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		720v，28a，5ohm，15V	90 ns	-	900 v	51 a	204 a	2.7V @ 15V，28a	2.63mj（在）上，1.34mj off）	160 NC	71NS/150NS
IXA12IF1200TC-TUB	4.8564	RFQ	1165	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXA12	标准	85 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		600V，10a，100ohm，15V	350 ns	pt	1200 v	20 a		2.1V @ 15V，10a	1.1MJ（在）上，1.1MJ off）	27 NC	-
IRG4BC40UPBF	-	RFQ	8163	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRG4BC40	标准	160 w		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		480V，20A，10欧姆，15V		-	600 v	40 a	160 a	2.1V @ 15V，20A	320µJ（在）上，350µJ（350µJ）	100 NC	34NS/110NS
IRG4PC50SPBF	-	RFQ	3340	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PC50	标准	200 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		480V，41A，5OHM，15V		-	600 v	70 a	140 a	1.36V @ 15V，41a	（720µJ）（在），8.27MJ（OFF）	180 NC	33NS/650NS
APT65GP60JDQ2	37.8200	RFQ	4269	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		底盘安装	同位素	APT65GP60		431 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的			pt	600 v	130 a		2.7V @ 15V，65a				1.25 MA	不	7.4 nf @ 25 V
IHW40N65R6XKSA1	3.9500	RFQ	101	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IHW40	标准	210 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，40a，10ohm，15V	99 ns	-	650 v	83 a	120 a	1.6V @ 15V，40a	1.1mj（在）上，420µJ（420µJ）	159 NC	17NS/211NS
IRG6I330U-111p	-	RFQ	9074	Infineon技术	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3	IRG6I330U	标准	43 W		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001541504	Ear99	8541.29.0095	50		-		-	330 v	28 a		1.55V @ 15V，28a	-		39NS/120NS
IRG7PH35UD-EP	4.6300	RFQ	4	国际整流器	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IRG7PH35UD-EP-600047			1
IGW30N60TFKSA1	3.9300	RFQ	243	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IGW30N	标准	187 W		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，30a，10.6Ohm，15V		沟渠场停止	600 v	60 a	90 a	2.05V @ 15V，30a	1.46mj	167 NC	23ns/254ns
IRGP50B60PD1PBF	-	RFQ	3767	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	390 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		390V，33a，3.3孔，15V	42 ns	npt	600 v	75 a	150 a	2.85V @ 15V，50a	（255µJ）（在），375µj（（（（（）	205 NC	30NS/130NS
6PS04512E43G37986NOSA1	-	RFQ	5246	Infineon技术	Primestack™	大部分	过时的	-25°C〜55°C	底盘安装	模块	6PS04512			标准	模块	-		不适用	到达不受影响		Ear99	8543.70.9860	1	三相逆变器			沟渠场停止	1200 v			-					是的
IXBX75N170	65.0100	RFQ	1928年	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXBX75	标准	1040 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		-	1.5 µs	-	1700 v	200 a	580 a	3.1V @ 15V，75a	-	350 NC	-
AOK60B65HQ3	2.5038	RFQ	6837	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alphaigbt™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AOK60	标准	500 w		TO-247	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AOK60B65HQ3	Ear99	8541.29.0095	240		400V，60a，5ohm，15V	106 ns	-	650 v	120 a	180 a	2.5V @ 15V，60a	2.21mj（在）（1.2MJ）上）	84 NC	36NS/157NS
STGB3HF60HD	-	RFQ	6197	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB3	标准	38 w		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		400V，1.5A，100OHM，15V	85 ns	-	600 v	7.5 a	18 a	2.95V @ 15V，1.5A	（在）（在）上，12µJ（12 µj）	12 nc	11NS/60NS
FS100R12KT4GPBPSA1	-	RFQ	4535	Infineon技术	Econopack™2	托盘	过时的				FS100R12					-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	6

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（8343）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²