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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 测试条件 | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FGB3236-F085C | 1.4315 | ![]() | 5369 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101,Ecospark® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 逻辑 | 187 W | d²pak(to-263) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 488-FGB3236-F085CTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | - | 1.7 µs | - | 360 v | 44 a | 1.4V @ 4V,6A | - | 20 nc | 0.65µs/5.4µs | ||||||||
![]() | CMFCLGF100X120BTAM-AS | - | ![]() | 2605 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 上次购买 | - | 150-CMFCLGF100X120BTAM-AS | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fz400r12ks4phosa1 | 229.4250 | ![]() | 2208 | 0.00000000 | Infineon技术 | c | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | 模块 | FZ400R12 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 8 | 单身的 | - | 1200 v | 800 a | 3.7V @ 15V,400A | 5 ma | 不 | 26 NF @ 25 V | ||||||||||
![]() | FF225R17ME4PB11BPSA1 | 223.0200 | ![]() | 4757 | 0.00000000 | Infineon技术 | EconoDual™3 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FF225R17 | 20兆 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 半桥 | 沟渠场停止 | 1700 v | 450 a | 2.3V @ 15V,225a | 3 ma | 是的 | 18.5 nf @ 25 V | |||||||||
![]() | IXYH50N120C3D1 | 14.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ixys | GenX3™,XPT™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXYH50 | 标准 | 625 w | TO-247(IXTH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V,50A,5OHM,15V | 195 ns | - | 1200 v | 90 a | 210 a | 4V @ 15V,50a | 3MJ(在)(1MJ)上(1MJ) | 142 NC | 28ns/133ns | |||||||
IKW75N65EH5XKSA1 | 8.4200 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Infineon技术 | Trenchstop™ | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IKW75N65 | 标准 | 395 w | pg-to247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,75A,8OHM,15V | 92 ns | 沟 | 650 v | 90 a | 300 a | 2.1V @ 15V,75a | 2.3mj(在)上,900µJ(900µJ) | 160 NC | 28NS/174NS | ||||||||
![]() | FS100R07N3E4B11BOSA1 | - | ![]() | 9396 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopack™3 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FS100R07 | 335 w | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 650 v | 100 a | 1.95V @ 15V,100a | 1 MA | 是的 | 6.2 NF @ 25 V | ||||||||||
IXGA12N60BD1 | - | ![]() | 8924 | 0.00000000 | ixys | HiperFast™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IXGA12 | 标准 | 100 W | TO-263AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | 600 v | 24 a | 2.1V @ 15V,12A | 500µJ(脱离) | 32 NC | 20N/150NS | |||||||||||
![]() | NXH350N100H4Q2F2P1G-R | 296.9600 | ![]() | 6362 | 0.00000000 | Onmi | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | NXH350 | 592 w | 标准 | 42-pim/q2pack(93x47) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 488-NXH350N100H4Q2F2P1G-R | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 三级逆变器 | 沟渠场停止 | 1000 v | 303 a | 2.3V @ 15V,375a | 1 MA | 是的 | 24.146 NF @ 20 V | ||||||||
![]() | IXGP50N60C4 | - | ![]() | 4271 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IXGP50 | 标准 | 300 w | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V,36a,10ohm,15V | pt | 600 v | 90 a | 220 a | 2.3V @ 15V,36a | 950µJ(在)(840µJ)上,OFF) | 113 NC | 40NS/270NS | |||||||||
![]() | BSM75GB120DN2_E3223C-SE | 101.9500 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGIB6B60KD116P | - | ![]() | 8882 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | 标准 | 38 w | TO-220AB全盘 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001546234 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V,5A,100OHM,15V | 70 ns | npt | 600 v | 11 a | 22 a | 2.2V @ 15V,5A | 110µJ(在)上,135µJ(OFF) | 18.2 NC | 25NS/215NS | ||||||||
![]() | ISL9V3040D3S | - | ![]() | 1877年 | 0.00000000 | Onmi | Ecospark® | 管子 | 过时的 | -40°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | ISL9 | 逻辑 | 150 w | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,800 | 300V,1KOHM,5V | - | 430 v | 21 a | 1.6V @ 4V,6A | - | 17 NC | - /4.8µs | ||||||||||
![]() | FGH30N6S2 | - | ![]() | 3040 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | FGH30 | 标准 | 167 w | TO-247-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 150 | 390V,12a,10ohm,15V | - | 600 v | 45 a | 108 a | 2.5V @ 15V,12A | 55µJ(在)上,100µJ(100µJ) | 23 NC | 6NS/40NS | |||||||||
![]() | IXXH100N60C3 | 18.6100 | ![]() | 28 | 0.00000000 | ixys | GenX3™,XPT™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXXH100 | 标准 | 830 w | TO-247AD(IXXH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 360V,70a,2ohm,15V | pt | 600 v | 190 a | 380 a | 2.2V @ 15V,70a | 2MJ(在)上,950µJ(OFF) | 150 NC | 30NS/90NS | ||||||||
![]() | IXGR48N60B3D1 | - | ![]() | 6344 | 0.00000000 | ixys | Genx3™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXGR48 | 标准 | 150 w | ISOPLUS247™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 480V,30a,5ohm,15V | 100 ns | pt | 600 v | 60 a | 280 a | 2.1V @ 15V,40a | (840µJ)(在660µJ上) | 115 NC | 22NS/130NS | |||||||
![]() | 6MS20017E43W37032NOSA1 | - | ![]() | 5973 | 0.00000000 | Infineon技术 | MODSTACK™HD | 大部分 | 过时的 | -25°C〜55°C | 底盘安装 | 模块 | 6ms20017 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8543.70.9860 | 1 | 三相逆变器 | - | 1700 v | - | 是的 | ||||||||||||||
![]() | IRGTI090U06 | - | ![]() | 4999 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 过时的 | - | 底盘安装 | int-a-pak(3 + 4) | 298 w | 标准 | int-a-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | - | 600 v | 90 a | 3V @ 15V,90a | 1 MA | 不 | 5.8 nf @ 30 V | |||||||||||
![]() | AIHD04N60RFATMA1 | - | ![]() | 5376 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | AIHD04 | 标准 | 75 w | PG-TO252-3-313 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001346858 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400V,4A,43OHM,15V | 沟渠场停止 | 600 v | 8 a | 12 a | 2.5V @ 15V,4A | 60µJ(在)上,50µJ(50µJ) | 27 NC | 12NS/116NS | |||||||
![]() | AOTF15B65M1 | 1.2235 | ![]() | 7264 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOTF15 | 标准 | 36 W | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1768 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V,15a,20欧姆,15V | 317 ns | - | 650 v | 30 a | 45 a | 2.15V @ 15V,15a | 290µJ(在)上,200µj(() | 32 NC | 15NS/94NS | ||||||
![]() | IRG4RC10UTRR | - | ![]() | 9275 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRG4RC10U | 标准 | 38 w | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 480V,5A,100OHM,15V | - | 600 v | 8.5 a | 34 a | 2.6V @ 15V,5A | 80µJ(在)(160µJ)(OFF)上) | 15 NC | 19NS/116NS | ||||||||
![]() | RBN50H65T1FPQ-A0 #CB0 | 6.8100 | ![]() | 6035 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | 标准 | 250 w | TO-247A | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V,50a,16ohm,15V | 65 ns | 沟 | 650 v | 100 a | 2V @ 15V,50a | (830µJ)(在670µJ上) | 36 NC | 20N/93NS | |||||||||
![]() | IXBF10N300C | - | ![]() | 4165 | 0.00000000 | ixys | Bimosfet™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | I4-PAC™-5 (3个线索) | IXBF10 | 标准 | 240 w | ISOPLUS I4-PAC™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 1500V,10a,10ohm,15V | 700 ns | - | 3000 v | 29 a | 240 a | 6V @ 15V,10a | 7.2mj(在)(1.04MJ)上) | 208 NC | 32NS/390NS | |||||||
![]() | FGD3040G2_F085 | - | ![]() | 2665 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | Ecospark® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | FGD3040 | 逻辑 | 150 w | TO-252,(-d-pak) | - | 0000.00.0000 | 1 | 300V,6.5a,1KOHM,5V | - | 400 v | 41 a | 1.25V @ 4V,6A | - | 21 NC | - /4.8µs | |||||||||||||
![]() | IRG4BC30U | - | ![]() | 1600 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 标准 | 100 W | TO-220AB | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRG4BC30U | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V,12a,23ohm,15V | - | 600 v | 23 a | 92 a | 2.1V @ 15V,12A | 160µJ(在)上,200µJ(200µJ) | 50 NC | 17NS/78NS | ||||||||
![]() | STGW60H65DRF | - | ![]() | 2688 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | STGW60 | 标准 | 420 W | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,60a,10ohm,15V | 19 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 120 a | 240 a | 2.4V @ 15V,60a | 940µJ(在),1.06mj(() | 217 NC | 85NS/178NS | |||||||
![]() | IXA30RG1200DHG-TRR | 14.4481 | ![]() | 6316 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 9-SMD模块 | IXA30 | 标准 | 147 w | ISOPLUS-SMPD™.b | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | 600V,25a,39ohm,15V | - | 1200 v | 43 a | 2.1V @ 15V,25a | 2.5mj(在)上,3MJ(3mj) | 76 NC | 70NS/250NS | |||||||||
![]() | RJH1CM5DPQ-E0 #T2 | - | ![]() | 4522 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | 标准 | 245 w | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V,15A,5OHM,15V | 200 ns | - | 1200 v | 30 a | 2.7V @ 15V,15a | 1.6MJ(在)上,700µJ(700µJ) | 74 NC | 40NS/100NS | |||||||||
![]() | APTGT50DSK120T3G | - | ![]() | 8065 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SP3 | 270 w | 标准 | SP3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 双重斩波器 | 沟渠场停止 | 1200 v | 75 a | 2.1V @ 15V,50a | 250 µA | 是的 | 3.6 NF @ 25 V | |||||||||||
IHW20N65R5XKSA1 | 3.3200 | ![]() | 291 | 0.00000000 | Infineon技术 | Trechstop® | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IHW20N65 | 标准 | 150 w | pg-to247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,10a,20欧姆,15V | 68 ns | - | 650 v | 40 a | 60 a | 1.7V @ 15V,20A | (300µJ)(在70µJ上) | 97 NC | 24NS/250NS |
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