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IGBT（8343）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
MG100P12E2	119.6933	RFQ	600	Yangjie技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			442 w	三相桥梁整流器	-	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-MG100P12E2	Ear99		6	三期逆变器			-	1200 v	100 a		2.35V @ 15V，50a				1 MA	是的	2.6 nf @ 25 V
IRGP20B120UD-EP	-	RFQ	1765年	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	300 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		600V，20A，5OHM，15V	300 ns	npt	1200 v	40 a	120 a	4.85V @ 15V，40a	（850µJ）（在），425µj（（（（（）	169 NC	-
afghl40t120rl	-	RFQ	3854	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	afghl40	标准	529 w		TO-247-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-AFGHL40T120RL	Ear99	8541.29.0095	450		600V，40a，5ohm，15V	195 ns	沟渠场停止	1250 v	48 a	160 a	2.1V @ 15V，40a	3.4MJ（在）上，1.2MJ off）	395 NC	48NS/208NS
APTGLQ75H120T3G	125.0600	RFQ	2190	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	SP1	APTGLQ75		385 w	标准	SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	全桥			沟渠场停止	1200 v	130 a		2.4V @ 15V，75a				50 µA	是的	4.4 NF @ 25 V
MIO1200-33E10	-	RFQ	3314	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E10	MIO1200			标准	E10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关			npt	3300 v	1200 a		3.1V @ 15V，1200A				120 MA	不	187 NF @ 25 V
IHW40N135R3FKSA1	-	RFQ	3080	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IHW40	标准	429 w		pg-to247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		600V，40a，7.5Ohm，15V		沟	1350 v	80 a	120 a	1.85V @ 15V，40a	2.5MJ（）	365 NC	- /343ns
CMFCLGF100X120BTAM-AS	-	RFQ	2605	微芯片技术	-	大部分	上次购买									-				150-CMFCLGF100X120BTAM-AS			1
fz400r12ks4phosa1	229.4250	RFQ	2208	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FZ400R12			标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8	单身的			-	1200 v	800 a		3.7V @ 15V，400A				5 ma	不	26 NF @ 25 V
FF225R17ME4PB11BPSA1	223.0200	RFQ	4757	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF225R17		20兆	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	半桥			沟渠场停止	1700 v	450 a		2.3V @ 15V，225a				3 ma	是的	18.5 nf @ 25 V
IKW75N65EH5XKSA1	8.4200	RFQ	28	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW75N65	标准	395 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，75A，8OHM，15V	92 ns	沟	650 v	90 a	300 a	2.1V @ 15V，75a	2.3mj（在）上，900µJ（900µJ）	160 NC	28NS/174NS
FS100R07N3E4B11BOSA1	-	RFQ	9396	Infineon技术	Econopack™3	大部分	过时的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS100R07		335 w	标准	模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器			沟渠场停止	650 v	100 a		1.95V @ 15V，100a				1 MA	是的	6.2 NF @ 25 V
IXGA12N60BD1	-	RFQ	8924	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXGA12	标准	100 W		TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		-		-	600 v	24 a		2.1V @ 15V，12A	500µJ（脱离）	32 NC	20N/150NS
NXH350N100H4Q2F2P1G-R	296.9600	RFQ	6362	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	NXH350		592 w	标准	42-pim/q2pack（93x47）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NXH350N100H4Q2F2P1G-R	Ear99	8541.29.0095	12	三级逆变器			沟渠场停止	1000 v	303 a		2.3V @ 15V，375a				1 MA	是的	24.146 NF @ 20 V
BSM75GB120DN2_E3223C-SE	101.9500	RFQ	33	Infineon技术	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IRGIB6B60KD116P	-	RFQ	8882	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准	38 w		TO-220AB全盘	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001546234	Ear99	8541.29.0095	50		400V，5A，100OHM，15V	70 ns	npt	600 v	11 a	22 a	2.2V @ 15V，5A	110µJ（在）上，135µJ（OFF）	18.2 NC	25NS/215NS
IXXH100N60C3	18.6100	RFQ	28	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXXH100	标准	830 w		TO-247AD（IXXH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		360V，70a，2ohm，15V		pt	600 v	190 a	380 a	2.2V @ 15V，70a	2MJ（在）上，950µJ（OFF）	150 NC	30NS/90NS
IXGR48N60B3D1	-	RFQ	6344	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGR48	标准	150 w		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		480V，30a，5ohm，15V	100 ns	pt	600 v	60 a	280 a	2.1V @ 15V，40a	（840µJ）（在660µJ上）	115 NC	22NS/130NS
IRG4CC80UD	-	RFQ	5429	Infineon技术	-	大部分	过时的	-	表面安装	死	irg4cc	标准			死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1		-		-	600 v			-	-		-
sgp6n60ufdtu	-	RFQ	8373	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SGP6N	标准	30 W		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		300V，3A，80OHM，15V	52 ns	-	600 v	6 a	25 a	2.6V @ 15V，3A	（57µJ）（在），25µJ（25µJ）中	15 NC	15NS/60NS
NGTD28T65F2WP	3.4254	RFQ	3791	Onmi	-	大部分	上次购买	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	NGTD28	标准			死	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		-		沟渠场停止	650 v		200 a	2V @ 15V，75a	-		-
NGTG40N120FL2WG	-	RFQ	1256	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTG40	标准	535 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		600V，40a，10ohm，15V		沟渠场停止	1200 v	80 a	200 a	2.4V @ 15V，40a	3.4mj（在）上，1.1MJ off）	313 NC	116NS/286NS
HGTD7N60C3S9A	1.2200	RFQ	249	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准	60 W		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8541.29.0095	249		-		-	600 v	14 a	56 a	2V @ 15V，7a	165µJ（在）上，600µJ（600µJ）	23 NC	-
APTGT75DA170T1G	-	RFQ	8674	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1			465 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的			沟渠场停止	1700 v	130 a		2.4V @ 15V，75a				250 µA	是的	6.8 nf @ 25 V
NXH240B120H3Q1PG	158.9100	RFQ	4656	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			158 w	标准	32-PIM（71x37.4）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH240B120H3Q1PG	Ear99	8541.29.0095	21	三重，双重来源			沟渠场停止	1200 v	68 a		2V @ 15V，80a				400 µA	是的	18.151 NF @ 20 V
VS-GT250SA60S	35.5788	RFQ	5342	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			750 w	标准	SOT-227	下载			到达不受影响	112-VS-GT250SA60S	Ear99	8541.29.0095	160	单身的			沟渠场停止	600 v	359 a		1.16V @ 15V，100a				100 µA	不	24.2 NF @ 25 V
FB10R06KL4GB1BOMA1	-	RFQ	1375	Infineon技术	-	托盘	过时的				FB10R06					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		20
RGW60TK65DGVC11	6.6900	RFQ	5259	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3PFM，SC-93-3	RGW60	标准	72 w		to-3pfm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450		400V，30a，10ohm，15V	92 ns	沟渠场停止	650 v	33 a	120 a	1.9V @ 15V，30a	480µJ（在）上，490µj（）	84 NC	37NS/114NS
BSM300GB60DLCHOSA1	-	RFQ	5183	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM300		1250 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立			-	600 v	375 a		2.45V @ 15V，300A				1 MA	不	13 nf @ 25 V
FZ750R65KE3NOSA1	2.0000	RFQ	1	Infineon技术	-	托盘	积极的	-50°C〜125°C	底盘安装	模块	FZ750R65		14500 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			8541.29.0095	1	单身的			-	6500 v	750 a		3.4V @ 15V，750a				5 ma	不	205 NF @ 25 V
APTGT100BB60T3G	80.3700	RFQ	8513	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	SP3	APTGT100		340 w	标准	SP3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥			沟渠场停止	600 v	150 a		1.9V @ 15V，100a				250 µA	是的	6.1 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（8343）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²