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IGBT（8343）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXGH12N60B	-	RFQ	1997	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH12	标准	100 W		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		480V，12a，18onm，15v		-	600 v	24 a	48 a	2.1V @ 15V，12A	500µJ（脱离）	32 NC	20N/150NS
STGP6M65DF2	1.6000	RFQ	8772	Stmicroelectronics	m	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP6	标准	88 w		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16967	Ear99	8541.29.0095	50		400V，6A，22OHM，15V	140 ns	沟渠场停止	650 v	12 a	24 a	2V @ 15V，6A	40µJ（在）上，136µJ（OFF）	21.2 NC	12NS/86NS
DF200R12PT4B6BOSA1	-	RFQ	4162	Infineon技术	Econopack™4	托盘	在sic中停产	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	DF200R12		1100 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器			沟渠场停止	1200 v	300 a		2.1V @ 15V，200a				15 µA	是的	12.5 nf @ 25 V
FD1000R17IE4DB2BOSA1	-	RFQ	4829	Infineon技术	PrimePack™3	托盘	过时的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FD1000		6250 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单身的			-	1700 v	1390 a		2.45V @ 15V，1000a				5 ma	是的	81 NF @ 25 V
IKW30N65NL5	-	RFQ	4690	Infineon技术	Trenchstop™5	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	227 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		400V，30a，23ohm，15V	59 ns	沟渠场停止	650 v	85 a	120 a	1.35V @ 15V，30a	560µJ（在）上，1.35MJ（OFF）	168 NC	59NS/283NS
SGP30N60XKSA1	-	RFQ	4484	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SGP30N	标准	250 w		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		500		400V，30a，11ohm，15V		npt	600 v	41 a	112 a	2.4V @ 15V，30a	1.29mj	140 NC	44NS/291NS
P2000DL45X168APT8HPSA1	7.0000	RFQ	7355	Infineon技术	-	托盘	积极的				P2000D					-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1
Auirgu4045d	-	RFQ	9273	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Auirgu4045	标准	77 w		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001511536	Ear99	8541.29.0095	75		400V，6A，47OHM，15V	74 ns	沟	600 v	12 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	19.5 NC	27ns/75ns
IXGH48N60C3D1	9.7800	RFQ	284	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH48	标准	300 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，30a，3ohm，15V	25 ns	pt	600 v	75 a	250 a	2.5V @ 15V，30a	410µJ（在）上，230µJ（OFF）	77 NC	19NS/60NS
IRG4IBC30	-	RFQ	8123	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准	45 W		TO-220AB全盘	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4IBC30	Ear99	8541.29.0095	50		480V，18a，23ohm，15v		-	600 v	23.5 a	68 a	1.6V @ 15V，18A	（260µJ）（在3.45MJ上）	50 NC	22NS/540NS
FGA180N30DTU	4.0400	RFQ	15	Fairchild半导体	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA180	标准	480 w		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30		-	21 ns	-	300 v	180 a	450 a	1.4V @ 15V，40a	-	185 NC	-
IRG4RC20FTRPBF	-	RFQ	9553	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRG4RC20F	标准	66 W		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001537264	Ear99	8541.29.0095	2,000		480V，12A，50OHM，15V		-	600 v	22 a	44 a	2.1V @ 15V，12A	190µJ（在）上，920µJ（OFF）	27 NC	26NS/194NS
IRG5W50HF06A	-	RFQ	6556	Infineon技术	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®34模块	IRG5W50		260 w	标准	Powir®34	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	半桥			-	600 v	75 a		2.7V @ 15V，50a				1 MA	不	2.6 nf @ 25 V
STGW35HF60WD	-	RFQ	7389	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW35	标准	200 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-10073-5	Ear99	8541.29.0095	30		400V，20a，10ohm，15V	50 ns	-	600 v	60 a	150 a	2.5V @ 15V，20A	（290µJ）（在185µj off）上）	140 NC	30ns/175ns
NGB8207NT4G	-	RFQ	2591	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NGB820	逻辑	165 w		D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		-		-	365 v	20 a	50 a	2.6V @ 4V，20A	-		-
IRGP4690DPBF	-	RFQ	7424	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	454 w		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001534080	Ear99	8541.29.0095	25		400V，75A，10欧姆，15V	155 ns	-	600 v	140 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	2.47mj（在）上，2.16mj off）	150 NC	50NS/200NS
APTGLQ100A65T1G	70.0200	RFQ	1789年	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	SP1	APTGLQ100		350 w	标准	SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥			沟渠场停止	650 v	200 a		2.3V @ 15V，100a				100 µA	是的	6 nf @ 25 V
SGW25N120FKSA1	-	RFQ	9306	Infineon技术	-	管子	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SGW25N	标准	313 w		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		800V，25a，22ohm，15V		npt	1200 v	46 a	84 a	3.6V @ 15V，25a	3.7MJ	225 NC	45NS/730NS
APTGF100DA120T1G	-	RFQ	4703	微芯片技术	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP1			735 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	单身的			npt	1200 v	130 a		3.7V @ 15V，100a				250 µA	是的	6.5 nf @ 25 V
MUBW50-12T8	-	RFQ	8783	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	mubw50		270 w	三相桥梁整流器	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三期逆变器			沟	1200 v	80 a		2.15V @ 15V，50a				2.7 MA	是的	3.5 nf @ 25 V
MWI451-17E9	-	RFQ	1021	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	-	MWI451			-	-	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	-			-				-					不
IXYX140N90C3	21.1900	RFQ	4	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXYX140	标准	1630 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		450V，100A，1OHM，15V		-	900 v	310 a	840 a	2.7V @ 15V，140a	4.3MJ（在）上，4MJ（4MJ）	330 NC	40NS/145NS
MG12450WB-BN2MM	-	RFQ	5478	Littelfuse Inc.	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块			1950 w	标准	WB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	60	半桥			沟渠场停止	1200 v	600 a		1.7V @ 15V，450a（typ）				1 MA	是的	32 NF @ 25 V
IXYH24N170C	14.1300	RFQ	437	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh24	标准	500 w		TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		960V，30a，15ohm，15V	30 ns	-	1700 v	58 a	145 a	3.8V @ 15V，20A	4.9MJ（在）上，1.95MJ off）	96 NC	12NS/160NS
FMG2G150US60	-	RFQ	7708	Onmi	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	晚上7点	FMG2		595 w	标准	晚上7点	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥			-	600 v	150 a		2.7V @ 15V，150a				250 µA	不
APT150GN120J	47.4600	RFQ	30	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素	APT150		625 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的			沟渠场停止	1200 v	215 a		2.1V @ 15V，150a				100 µA	不	9.5 nf @ 25 V
APTGT150H120G	310.9100	RFQ	6411	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTGT150		690 w	标准	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器			沟渠场停止	1200 v	220 a		2.1V @ 15V，150a				350 µA	不	10.7 NF @ 25 V
FS200R12KT4RPB51BPSA1	187.2000	RFQ	71	Infineon技术	*	大部分	积极的				FS200R12					-		供应商不确定	供应商不确定	2156-FS200R12KT4RPB51BPSA1-448			1
IRG4PC40UD-EPBF	-	RFQ	9517	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PC40	标准	160 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		480V，20A，10欧姆，15V	42 ns	-	600 v	40 a	160 a	2.1V @ 15V，20A	（710µJ）（在350µJ上）	100 NC	54NS/110NS
FS800R07A2E3B31BOSA1	-	RFQ	3881	Infineon技术	*	托盘	过时的				FS800R07					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（8343）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²