SIC
close

IGBT（5058）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 测试条件 trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C
IXGR32N170AH1 IXYS IXGR32N170AH1 -
RFQ
 ECAD 8538 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixgr32 标准 200 w ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1360V，21a，2.7Ohm，15V 230 ns npt 1700 v 26 a 200 a 5.2V @ 15V，21a 1.5mj（（） 155 NC 46NS/260NS
IXYP20N120B4 IXYS IXYP20N120B4 15.2094
RFQ
 ECAD 1757年 0.00000000 ixys XPT™，Genx4™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 标准 375 w TO-220（（IXYP） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-IXYP20N120B4 Ear99 8541.29.0095 50 960V，20a，10ohm，15V 47 ns - 1200 v 76 a 130 a 2.1V @ 15V，20A 3.9MJ（在）上，1.6MJ off） 44 NC 15NS/200NS
AIMZHN120R080M1TXKSA1 Infineon Technologies AIMZHN120R080M1TXKSA1 14.3275
RFQ
 ECAD 1415 0.00000000 Infineon技术 * 管子 积极的 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 448-AIMZHN120R080M1TXKSA1 240
FGPF7N60RUFDTU Fairchild Semiconductor FGPF7N60RUFDTU 0.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 标准 41 w TO-220F-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 50 300V，7A，30OHM，15V 65 ns - 600 v 14 a 21 a 2.8V @ 15V，7a 230µJ（在）上，100µJ（OFF） 24 NC 60NS/60NS
DGTD120T40S1PT Diodes Incorporated DGTD120T40S1PT -
RFQ
 ECAD 6715 0.00000000 二极管合并 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 DGTD120 标准 357 w TO-247 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 450 600V，40a，10ohm，15V 100 ns 现场停止 1200 v 80 a 160 a 2.4V @ 15V，40a 1.96mj（在）上，540µJ off） 341 NC 65NS/308NS
IXGQ150N30TCD1 IXYS IXGQ150N30TCD1 -
RFQ
 ECAD 3666 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXGQ150 标准 to-3p - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 300 v 150 a - - -
IXXH60N65B4H1 IXYS IXXH60N65B4H1 13.4200
RFQ
 ECAD 7731 0.00000000 ixys Genx4™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXXH60 标准 380 w TO-247AD（IXXH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，60a，5ohm，15V 150 ns pt 650 v 116 a 230 a 2V @ 15V，60a 3.13MJ（在）上，1.15MJ（OFF） 95 NC 37NS/145NS
HGT1S14N36G3VLT onsemi HGT1S14N36G3VLT -
RFQ
 ECAD 7218 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA HGT1S14 逻辑 100 W i2pak（（TO-262） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 300V，7a，25ohm，5V - 390 v 18 a 2.2V @ 5V，14a - 24 NC - /7µs
IXGT24N60C IXYS IXGT24N60C -
RFQ
 ECAD 7102 0.00000000 ixys HiperFast™，Lightspeed™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT24 标准 150 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，24a，10ohm，15V - 600 v 48 a 96 a 2.5V @ 15V，24a 240µJ（离） 55 NC 15NS/75NS
STGW19NC60HD STMicroelectronics STGW19NC60HD 3.2600
RFQ
 ECAD 7698 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 STGW19 标准 140 w TO-247长铅 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 390V，12a，10ohm，15V 31 ns - 600 v 42 a 60 a 2.5V @ 15V，12A （85µJ）（在189µj of）上 53 NC 25NS/97NS
IXYX110N120A4 IXYS IXYX110N120A4 39.8300
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 ixys XPT™，Genx4™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXYX110 标准 1360 w TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-ixyx110n120a4 Ear99 8541.29.0095 30 600V，50a，1.5Ohm，15V pt 1200 v 375 a 900 a 1.8V @ 15V，110a 2.5MJ（在）上，8.4MJ off） 305 NC 42NS/550NS
IKZA75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies IKZA75N65EH7XKSA1 9.2900
RFQ
 ECAD 230 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 240
FGA20S125P onsemi FGA20S125P -
RFQ
 ECAD 4601 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 FGA20S125 标准 250 w to-3pn 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 - 沟渠场停止 1250 v 40 a 60 a 2.5V @ 15V，20A - 129 NC -
FGH40T70SHD-F155 onsemi FGH40T70SHD-F155 -
RFQ
 ECAD 7037 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 FGH40 标准 268 w TO-247-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 400V，40a，6ohm，15V 37 ns 沟渠场停止 700 v 80 a 120 a 2.15V @ 15V，40a 1.15MJ（在）上，271µJ off） 69 NC 22ns/66ns
IXGT16N170A IXYS IXGT16N170A 14.3900
RFQ
 ECAD 1962年 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT16 标准 190 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 850V，16a，10ohm，15V npt 1700 v 16 a 40 a 5V @ 15V，11a 900µJ（离） 65 NC 36NS/160NS
APT80GA60LD40 Microchip Technology APT80GA60LD40 12.9500
RFQ
 ECAD 6881 0.00000000 微芯片技术 Power MOS 8™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA APT80GA60 标准 625 w TO-264 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 400V，47A，4.7OHM，15V 22 ns pt 600 v 143 a 240 a 2.5V @ 15V，47a （840µJ）（在751µJ上） 230 NC 23ns/158ns
IRG4CC80UD Infineon Technologies IRG4CC80UD -
RFQ
 ECAD 5429 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 - 表面安装 死 irg4cc 标准 死 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 过时的 1 - - 600 v - - -
IXBF12N300 IXYS IXBF12N300 35.1392
RFQ
 ECAD 1975年 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 （3个线索） IXBF12 标准 125 w ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 - 1.4 µs - 3000 v 26 a 98 a 3.2V @ 15V，12A - 62 NC -
IXGA50N60C4 IXYS IXGA50N60C4 -
RFQ
 ECAD 6780 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXGA50 标准 300 w TO-263AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V，36a，10ohm，15V pt 600 v 90 a 220 a 2.3V @ 15V，36a 950µJ（在）（840µJ）上，OFF） 113 NC 40NS/270NS
ISZ520N20NM6ATMA1 Infineon Technologies ISZ520N20NM6ATMA1 0.8000
RFQ
 ECAD 4969 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - rohs3符合条件 5,000
NGTD20T120F2WP onsemi NGTD20T120F2WP 2.6363
RFQ
 ECAD 7516 0.00000000 Onmi - 大部分 上次购买 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 死 NGTD20 标准 死 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 - 沟渠场停止 1200 v 100 a 2.4V @ 15V，20A - -
HGTG20N60B3 onsemi HGTG20N60B3 -
RFQ
 ECAD 2050 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 HGTG20 标准 165 w TO-247-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，20A，10欧姆，15V - 600 v 40 a 160 a 2V @ 15V，20A （475µJ）（在1.05MJ上） 80 NC -
NGTD28T65F2WP onsemi NGTD28T65F2WP 3.4254
RFQ
 ECAD 3791 0.00000000 Onmi - 大部分 上次购买 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 死 NGTD28 标准 死 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 - 沟渠场停止 650 v 200 a 2V @ 15V，75a - -
SGB06N60ATMA1 Infineon Technologies SGB06N60ATMA1 -
RFQ
 ECAD 2363 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB SGB06N 标准 68 w pg-to263-3-2 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 400V，6A，50OHM，15V npt 600 v 12 a 24 a 2.4V @ 15V，6a 215µJ 32 NC 25NS/220NS
IRG7PH35U-EPBF Infineon Technologies IRG7PH35U-EPBF -
RFQ
 ECAD 5892 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 irg7ph 下载 不适用 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1
SGP6N60UFDTU onsemi sgp6n60ufdtu -
RFQ
 ECAD 8373 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 SGP6N 标准 30 W TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 300V，3A，80OHM，15V 52 ns - 600 v 6 a 25 a 2.6V @ 15V，3A （57µJ）（在），25µJ（25µJ）中 15 NC 15NS/60NS
NGTG40N120FL2WG onsemi NGTG40N120FL2WG -
RFQ
 ECAD 1256 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 NGTG40 标准 535 w TO-247-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，40a，10ohm，15V 沟渠场停止 1200 v 80 a 200 a 2.4V @ 15V，40a 3.4mj（在）上，1.1MJ off） 313 NC 116NS/286NS
FGH20N60SFDTU-F085 Fairchild Semiconductor FGH20N60SFDTU-F085 -
RFQ
 ECAD 4352 0.00000000 Fairchild半导体 汽车，AEC-Q101 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 标准 165 w TO-247 下载 Ear99 8541.29.0095 1 400V，20a，10ohm，15V 40 ns 现场停止 600 v 40 a 60 a 2.8V @ 15V，20A 430µJ（在）（130µJ）上 66 NC 13NS/90NS
IXGR24N60B IXYS IXGR24N60B -
RFQ
 ECAD 5427 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 - 通过洞 TO-247-3 IXGR24 标准 80 W ISOPLUS247™ - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 600 v 42 a 2.5V @ 15V，24a - -
IRG4RC10KTR Infineon Technologies IRG4RC10KTR -
RFQ
 ECAD 9066 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 IRG4RC10K 标准 38 w D-pak 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 480V，5A，100OHM，15V - 600 v 9 a 18 a 2.62V @ 15V，5A 160µJ（在）上，100µJ（100µJ） 19 nc 11NS/51NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭