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IGBT（5058）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
APT80GP60B2G	23.1200	RFQ	6040	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		通过洞	TO-247-3变体	APT80GP60	标准	1041 w	T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			pt	600 v	100 a		2.7V @ 15V，80a
SIGC12T60NCX1SA5	-	RFQ	3059	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC12	标准		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1	300V，10a，27ohm，15V		npt	600 v	10 a	30 a	2.5V @ 15V，10a	-		21NS/110NS
IRG4PC40UD-EPBF	-	RFQ	9897	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	160 w	TO-247AC	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	480V，20A，10欧姆，15V	42 ns	-	600 v	40 a	160 a	2.1V @ 15V，20A	（710µJ）（在350µJ上）	100 NC	54NS/110NS
SIGC100T60R3EX1SA1	-	RFQ	7611	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC100	标准		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-SIGC100T60R3EX1SA1-448		0000.00.0000	1	-		沟渠场停止	600 v	200 a	600 a	1.9V @ 15V，200a	-		-
IHW30N110R5XKSA1	4.8000	RFQ	228	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	330 w	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	-		-		60 a	90 a	1.85V @ 15V，30a	-	240 NC	- /350n
IRG4PC40FPBF	2.3700	RFQ	202	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	160 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	127	480V，27a，10ohm，15V		-	600 v	49 a	200 a	1.7V @ 15V，27a	370µJ（在）上，1.81MJ OFF）	100 NC	26NS/240NS
IRGS4620DPBF	-	RFQ	8517	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准	140 w	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	400V，12A，22OHM，15V	68 ns	-	600 v	32 a	36 a	1.85V @ 15V，12A	（75µJ）（在），225µJ（225µJ）中	25 NC	31ns/83ns
IRGB4056DPBF	-	RFQ	8759	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRGB4056	标准	140 w	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	400V，12A，22OHM，15V	68 ns	沟	600 v	24 a	48 a	1.85V @ 15V，12A	（75µJ）（在），225µJ（225µJ）中	25 NC	31ns/83ns
APT13GP120KG	-	RFQ	2922	Microsemi Corporation	PowerMos7®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	APT13GP120	标准	250 w	TO-220 [K]	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	600V，13A，5OHM，15V		pt	1200 v	41 a	50 a	3.9V @ 15V，13a	（114µJ）（在165µJ）上脱落）	55 NC	9NS/28N
STGW30V60DF	3.8700	RFQ	34	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW30	标准	258 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	400V，30a，10ohm，15V	53 ns	沟渠场停止	600 v	60 a	120 a	2.3V @ 15V，30a	（383µJ）（在），233µj（（（（（（）	163 NC	45NS/189NS
IXGP7N60CD1	-	RFQ	7096	ixys	HiperFast™，Lightspeed™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP7	标准	75 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	480V，7a，18ohm，15V	35 ns	-	600 v	14 a	30 a	2.5V @ 15V，7a	120µJ（离）	25 NC	10NS/65NS
FGB40N60SM	-	RFQ	2594	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准	349 w	D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	400V，40a，6ohm，15V		现场停止	600 v	80 a	120 a	2.3V @ 15V，40a	870µJ（在）上，260µJ降）	119 NC	12NS/92NS
IXGR32N170AH1	-	RFQ	8538	ixys	-	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixgr32	标准	200 w	ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	1360V，21a，2.7Ohm，15V	230 ns	npt	1700 v	26 a	200 a	5.2V @ 15V，21a	1.5mj（（）	155 NC	46NS/260NS
IXYP20N120B4	15.2094	RFQ	1757年	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准	375 w	TO-220（（IXYP）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYP20N120B4	Ear99	8541.29.0095	50	960V，20a，10ohm，15V	47 ns	-	1200 v	76 a	130 a	2.1V @ 15V，20A	3.9MJ（在）上，1.6MJ off）	44 NC	15NS/200NS
AIMZHN120R080M1TXKSA1	14.3275	RFQ	1415	Infineon技术	*	管子	积极的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-AIMZHN120R080M1TXKSA1			240
FGPF7N60RUFDTU	0.5100	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准	41 w	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50	300V，7A，30OHM，15V	65 ns	-	600 v	14 a	21 a	2.8V @ 15V，7a	230µJ（在）上，100µJ（OFF）	24 NC	60NS/60NS
DGTD120T40S1PT	-	RFQ	6715	二极管合并	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	DGTD120	标准	357 w	TO-247	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	450	600V，40a，10ohm，15V	100 ns	现场停止	1200 v	80 a	160 a	2.4V @ 15V，40a	1.96mj（在）上，540µJ off）	341 NC	65NS/308NS
IXGQ150N30TCD1	-	RFQ	3666	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ150	标准		to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	-		-	300 v	150 a		-	-		-
IXXH60N65B4H1	13.4200	RFQ	7731	ixys	Genx4™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXXH60	标准	380 w	TO-247AD（IXXH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	400V，60a，5ohm，15V	150 ns	pt	650 v	116 a	230 a	2V @ 15V，60a	3.13MJ（在）上，1.15MJ（OFF）	95 NC	37NS/145NS
HGT1S14N36G3VLT	-	RFQ	7218	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	HGT1S14	逻辑	100 W	i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	300V，7a，25ohm，5V		-	390 v	18 a		2.2V @ 5V，14a	-	24 NC	- /7µs
IXGT24N60C	-	RFQ	7102	ixys	HiperFast™，Lightspeed™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT24	标准	150 w	TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	480V，24a，10ohm，15V		-	600 v	48 a	96 a	2.5V @ 15V，24a	240µJ（离）	55 NC	15NS/75NS
STGW19NC60HD	3.2600	RFQ	7698	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW19	标准	140 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	390V，12a，10ohm，15V	31 ns	-	600 v	42 a	60 a	2.5V @ 15V，12A	（85µJ）（在189µj of）上	53 NC	25NS/97NS
IXYX110N120A4	39.8300	RFQ	13	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYX110	标准	1360 w	TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixyx110n120a4	Ear99	8541.29.0095	30	600V，50a，1.5Ohm，15V		pt	1200 v	375 a	900 a	1.8V @ 15V，110a	2.5MJ（在）上，8.4MJ off）	305 NC	42NS/550NS
IKZA75N65EH7XKSA1	9.2900	RFQ	230	Infineon技术	-	管子	积极的								下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240
FGA20S125P	-	RFQ	4601	Onmi	-	管子	过时的		通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA20S125	标准	250 w	to-3pn	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450	-		沟渠场停止	1250 v	40 a	60 a	2.5V @ 15V，20A	-	129 NC	-
FGH40T70SHD-F155	-	RFQ	7037	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGH40	标准	268 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450	400V，40a，6ohm，15V	37 ns	沟渠场停止	700 v	80 a	120 a	2.15V @ 15V，40a	1.15MJ（在）上，271µJ off）	69 NC	22ns/66ns
IXGT16N170A	14.3900	RFQ	1962年	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT16	标准	190 w	TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	850V，16a，10ohm，15V		npt	1700 v	16 a	40 a	5V @ 15V，11a	900µJ（离）	65 NC	36NS/160NS
APT80GA60LD40	12.9500	RFQ	6881	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT80GA60	标准	625 w	TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	400V，47A，4.7OHM，15V	22 ns	pt	600 v	143 a	240 a	2.5V @ 15V，47a	（840µJ）（在751µJ上）	230 NC	23ns/158ns
IRG4CC80UD	-	RFQ	5429	Infineon技术	-	大部分	过时的	-	表面安装	死	irg4cc	标准		死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1	-		-	600 v			-	-		-
IXBF12N300	35.1392	RFQ	1975年	ixys	Bimosfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXBF12	标准	125 w	ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	-	1.4 µs	-	3000 v	26 a	98 a	3.2V @ 15V，12A	-	62 NC	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（5058）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²