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IGBT（5058）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
APT30GS60BRDQ2G	-	RFQ	8675	微芯片技术	Thunderboltigbt®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT30GS60	标准	250 w	TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	400V，30a，9.1Ohm，15V	25 ns	npt	600 v	54 a	113 a	3.15V @ 15V，30a	570µJ（OFF）	145 NC	16NS/360NS
SIGC08T60EX1SA2	-	RFQ	3571	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC08	标准		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1	-		沟渠场停止	600 v	15 a	45 a	1.9V @ 15V，15a	-		-
STGWA15H120DF2	4.6800	RFQ	5842	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA15	标准	259 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600	600V，15a，10ohm，15V	231 ns	沟渠场停止	1200 v	30 a	60 a	2.6V @ 15V，15a	（380µJ）（在370µJ上）	67 NC	23ns/111ns
SIGC25T60SNCX1SA1	-	RFQ	2011	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC25	标准		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1	400V，30a，11ohm，15V		npt	600 v	30 a	90 a	2.5V @ 15V，30a	-		44NS/324NS
RGTV00TS65DGC11	7.2700	RFQ	7101	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGTV00	标准	276 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450	400V，50a，10ohm，15V	102 ns	沟渠场停止	650 v	95 a	200 a	1.9V @ 15V，50a	（1.17MJ）（在），940µJ降低）	104 NC	41NS/142NS
HGT1S7N60C3D	0.9800	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准	60 W	i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	-	25 ns	-	600 v	14 a	56 a	2V @ 15V，7a	-	38 NC	-
APT25GT120BRDQ2G	8.2300	RFQ	7574	微芯片技术	Thunderboltigbt®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT25GT120	标准	347 w	TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	800V，25a，5ohm，15V		npt	1200 v	54 a	75 a	3.7V @ 15V，25a	930µJ（在）上，720µJ（720µJ）	170 NC	14NS/150NS
IXGT39N60BD1	-	RFQ	1404	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT39	标准	200 w	TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	480V，39A，4.7OHM，15V	25 ns	-	600 v	76 a	152 a	1.7V @ 15V，39a	（4MJ））	110 NC	25NS/250NS
IXGH20N140C3H1	-	RFQ	4108	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH20	标准	250 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	700V，20A，5OHM，15V	70 ns	pt	1400 v	42 a	108 a	5V @ 15V，20A	1.35MJ（在）上，440µJ off）	88 NC	19NS/110NS
stgya50h120df2	9.9900	RFQ	10	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	stgya50	标准	535 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-StgyA50H120DF2	Ear99	8541.29.0095	30	600V，50a，10ohm，15V	340 ns	沟渠场停止	1200 v	100 a	200 a	2.6V @ 15V，50a	2MJ（在）上，2.1MJ（2.1MJ）	210 NC	40NS/284NS
APT100GN120B2G	29.4600	RFQ	7446	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT100	标准	960 w		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	800V，100a，1ohm，15V		沟渠场停止	1200 v	245 a	300 a	2.1V @ 15V，100a	11MJ（在）中，9.5MJ（9.5MJ）	540 NC	50NS/615NS
IRG4CC40UB	-	RFQ	6435	Infineon技术	-	大部分	过时的	-	表面安装	死	irg4cc	标准		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1	-		-	600 v			2.2V @ 15V，10a	-		-
IXGH48N60C3D1	9.7800	RFQ	284	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH48	标准	300 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	400V，30a，3ohm，15V	25 ns	pt	600 v	75 a	250 a	2.5V @ 15V，30a	410µJ（在）上，230µJ（OFF）	77 NC	19NS/60NS
AUIRGP65G40D0	-	RFQ	9215	Infineon技术	Coolirigbt™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AUIRGP65	标准	625 w	TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400	400V，20A，4.7OHM，15V	41 ns	-	600 v	62 a	84 a	2.2V @ 15V，20A	298µJ（在）上，147µJ降低）	270 NC	35NS/142NS
STGF7H60DF	1.6500	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STGF7	标准	24 W	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16017-5	Ear99	8541.29.0095	50	400V，7A，47OHM，15V	136 ns	沟渠场停止	600 v	14 a	28 a	1.95V @ 15V，7a	（99µJ）（在），100µJ（100µJ）	46 NC	30NS/160NS
IKQ75N120CH7XKSA1	14.5500	RFQ	160	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKQ75N120	标准	549 w	pg-to247-3-U01	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	-	149 ns	沟渠场停止	1200 v	82 a	300 a	2.15V @ 15V，75a	5.28mj（在）上，1.76mj off）	518 NC	56NS/470NS
STGWA60V60DWFAG	13.3900	RFQ	3282	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA60	标准	375 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STGWA60V60DWFAG	Ear99	8541.29.0095	600	400V，60a，4.7Ohm，15V	200 ns	沟渠场停止	600 v	80 a	240 a	2.3V @ 15V，60a	1.02MJ（在）上，370µJ off）	314 NC	35NS/190NS
IXBT42N170-TRL	23.5970	RFQ	1190	ixys	Bimosfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXBT42	标准	360 w	TO-268	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixbt42n170-trltr	Ear99	8541.29.0095	400	850V，42A，10欧姆，15V		-	1700 v	80 a	300 a	2.8V @ 15V，42a	-	188 NC	37NS/340NS
AIKB30N65DF5ATMA1	5.3300	RFQ	2	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Aikb30	标准	188 w	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	400V，15a，23ohm，15V	67 ns	沟渠场停止	650 v	55 a	90 a	2.1V @ 15V，30a	330µJ（在）上，100µJ（OFF）	70 NC	25NS/188NS
MGF65A3L	-	RFQ	1566年	桑肯	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	MGF65	标准	217 w	TO-3P-3L	下载	Rohs符合条件			1261-MGF65A3L	Ear99	8541.29.0095	1,440	400V，30a，10ohm，15V	50 ns	沟渠场停止	650 v	50 a	90 a	1.96V @ 15V，30a	600µJ（在）上，600µJ（600µJ）off）	60 NC	30NS/90NS
RJP3053DPP-A9 ＃T2F	1.7100	RFQ	62	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
SGP30N60HSXKSA1	-	RFQ	3618	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SGP30N	标准	250 w	pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	400V，30a，11ohm，15V		npt	600 v	41 a	112 a	3.15V @ 15V，30a	1.15MJ	141 NC	20NS/250NS
STGP20V60DF	3.0500	RFQ	5433	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP20	标准	167 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13761-5	Ear99	8541.29.0095	50	400V，20A，15V	40 ns	沟渠场停止	600 v	40 a	80 a	2.2V @ 15V，20A	200µJ（在）上，130µJ（OFF）	116 NC	38NS/149NS
IXGP2N100A	-	RFQ	8395	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP2N100	标准	25 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	800V，2a，150ohm，15V		-	1000 v	4 a	8 a	3.5V @ 15V，2a	260µJ（离）	7.8 NC	15NS/300NS
RJH30H1DPP-M1 ＃T2	1.7100	RFQ	10	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
RGS80TSX2GC11	10.6500	RFQ	21	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGS80	标准	555 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGS80TSX2GC11	Ear99	8541.29.0095	30	600V，40a，10ohm，15V		沟渠场停止	1200 v	80 a	120 a	2.1V @ 15V，40a	3MJ（在）上，3.1MJ（3.1MJ）	104 NC	49NS/199N
APT100GN60B2G	9.5500	RFQ	9368	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT100	标准	625 w		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	400V，100A，1OHM，15V		沟渠场停止	600 v	229 a	300 a	1.85V @ 15V，100a	4.7MJ（在）上，2.675mj off）	600 NC	31NS/310NS
IRGIB4607DPBF	-	RFQ	9979	Infineon技术	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3完整包		标准		TO-220FP	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001537740	Ear99	8541.29.0095	500	-		-	600 v	7 a		-	62µJ（在）（140µJ）上（OFF）		-
IRG4PC30UDPBF-IR	-	RFQ	8288	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	100 W	TO-247AC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	480V，12a，23ohm，15V	42 ns	-	600 v	23 a	92 a	2.1V @ 15V，12A	（380µJ）（在160µJ上）	75 NC	40NS/91NS
STGW60H65DFB-4	6.3100	RFQ	5167	Stmicroelectronics	HB	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	STGW60	标准	375 w	TO-247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600	400V，60a，10ohm，15V	60 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	240 a	2V @ 15V，60a	346µJ（在），1.161MJ（（）	306 NC	65NS/261NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（5058）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²