电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 测试条件 | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIGC42T60UNX1SA2 | - | ![]() | 1559年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | SIGC42T60 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | 400V,50a,6.8Ohm,15V | npt | 600 v | 50 a | 150 a | 3.15V @ 15V,50a | - | 48NS/350NS | ||||||
![]() | NGTB50N65S1WG | - | ![]() | 9700 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | NGTB50 | 标准 | 300 w | TO-247-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,50a,10ohm,15V | 70 ns | 沟 | 650 v | 140 a | 140 a | 2.45V @ 15V,50a | 1.25mj(在)上,530µJ off) | 128 NC | 75NS/128NS | |||
![]() | SIGC100T60R3EX7SA1 | - | ![]() | 8402 | 0.00000000 | Infineon技术 | Trenchstop™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 死 | SIGC100 | 标准 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | 沟渠场停止 | 600 v | 200 a | 600 a | 1.9V @ 15V,200a | - | - | ||||||
![]() | IGC70T120T8RL | - | ![]() | 5812 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 死 | IGC70T120 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 沟渠场停止 | 1200 v | 225 a | 2.07V @ 15V,75a | - | - | |||||||
![]() | IXBT42N170-TRL | 23.5970 | ![]() | 1190 | 0.00000000 | ixys | Bimosfet™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | IXBT42 | 标准 | 360 w | TO-268 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixbt42n170-trltr | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 850V,42A,10欧姆,15V | - | 1700 v | 80 a | 300 a | 2.8V @ 15V,42a | - | 188 NC | 37NS/340NS | ||||
![]() | IKQ75N120CH7XKSA1 | 14.5500 | ![]() | 160 | 0.00000000 | Infineon技术 | Trenchstop™ | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IKQ75N120 | 标准 | 549 w | pg-to247-3-U01 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 149 ns | 沟渠场停止 | 1200 v | 82 a | 300 a | 2.15V @ 15V,75a | 5.28mj(在)上,1.76mj off) | 518 NC | 56NS/470NS | ||
![]() | IRG4CC40UB | - | ![]() | 6435 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | 表面安装 | 死 | irg4cc | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | - | - | 600 v | 2.2V @ 15V,10a | - | - | ||||||||
![]() | IXGH48N60C3D1 | 9.7800 | ![]() | 284 | 0.00000000 | ixys | Genx3™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXGH48 | 标准 | 300 w | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,30a,3ohm,15V | 25 ns | pt | 600 v | 75 a | 250 a | 2.5V @ 15V,30a | 410µJ(在)上,230µJ(OFF) | 77 NC | 19NS/60NS | ||
![]() | STGF7H60DF | 1.6500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STGF7 | 标准 | 24 W | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-16017-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V,7A,47OHM,15V | 136 ns | 沟渠场停止 | 600 v | 14 a | 28 a | 1.95V @ 15V,7a | (99µJ)(在),100µJ(100µJ) | 46 NC | 30NS/160NS | |
APT100GN120B2G | 29.4600 | ![]() | 7446 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3变体 | APT100 | 标准 | 960 w | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 800V,100a,1ohm,15V | 沟渠场停止 | 1200 v | 245 a | 300 a | 2.1V @ 15V,100a | 11MJ(在)中,9.5MJ(9.5MJ) | 540 NC | 50NS/615NS | |||||
![]() | FGD3050G2 | 2.1000 | ![]() | 4402 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101,Ecospark® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | FGD3050 | 逻辑 | 150 w | D-pak(TO-252) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 500 v | 32 a | 1.2V @ 4V,6A | - | 22 NC | |||||||
![]() | STGF14N60D | - | ![]() | 5777 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh™ | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STGF14 | 标准 | 33 W | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-8897-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 390V,7A,10欧姆,15V | 37 ns | - | 600 v | 11 a | 50 a | 2.1V @ 15V,7a | - | - | ||
![]() | NGTB25N120FL2WAG | - | ![]() | 6341 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-4 | NGTB25 | 标准 | 385 w | TO-247-4L | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V,50a,10ohm,15V | 136 ns | 现场停止 | 1200 v | 100 a | 100 a | 2.4V @ 15V,25a | (990µJ)(在),660µj((((() | 181 NC | 17ns/113ns | |||
![]() | STGF14NC60KD | 1.7900 | ![]() | 1182 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STGF14 | 标准 | 28 W | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-5115-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 390V,7A,10欧姆,15V | 37 ns | - | 600 v | 11 a | 50 a | 2.5V @ 15V,7a | (82µJ)(在155µj(()上 | 34.4 NC | 22.5NS/116NS | |
![]() | IXYH30N120A4 | 8.6576 | ![]() | 1401 | 0.00000000 | ixys | XPT™,Genx4™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | ixyh30 | 标准 | 500 w | TO-247(IXYH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixyh30n120a4 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 960V,25a,5ohm,15V | 42 ns | pt | 1200 v | 106 a | 184 a | 1.9V @ 15V,25a | 4MJ(在)上,3.4MJ(3.4MJ) | 57 NC | 15NS/235NS | ||
![]() | STGWA25H120F2 | 6.4400 | ![]() | 6772 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | STGWA25 | 标准 | 375 w | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V,25a,10ohm,15V | 沟渠场停止 | 1200 v | 50 a | 100 a | 2.6V @ 15V,25a | 600µJ(在)上,700µJ(700µJ) | 100 NC | 29NS/130NS | |||
![]() | FGPF4533 | - | ![]() | 9482 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | FGPF4 | 标准 | 28.4 w | TO-220F-3 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | - | 沟 | 330 v | 200 a | 1.8V @ 15V,50a | - | 44 NC | - | ||||||
![]() | RGS60TS65DHRC11 | 7.2700 | ![]() | 5051 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGS60 | 标准 | 223 w | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RGS60TS65DHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,30a,10ohm,15V | 103 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 56 a | 90 a | 2.1V @ 15V,30a | (660µJ)(在),810µJ OFF) | 36 NC | 28NS/104NS | |
![]() | AUIRGP65G40D0 | - | ![]() | 9215 | 0.00000000 | Infineon技术 | Coolirigbt™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | AUIRGP65 | 标准 | 625 w | TO-247AC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 400V,20A,4.7OHM,15V | 41 ns | - | 600 v | 62 a | 84 a | 2.2V @ 15V,20A | 298µJ(在)上,147µJ降低) | 270 NC | 35NS/142NS | |||
![]() | RJP3053DPP-A9 #T2F | 1.7100 | ![]() | 62 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | AIKB30N65DF5ATMA1 | 5.3300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | Aikb30 | 标准 | 188 w | pg-to263-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V,15a,23ohm,15V | 67 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 55 a | 90 a | 2.1V @ 15V,30a | 330µJ(在)上,100µJ(OFF) | 70 NC | 25NS/188NS | ||
![]() | STGWA60V60DWFAG | 13.3900 | ![]() | 3282 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | STGWA60 | 标准 | 375 w | TO-247长铅 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-STGWA60V60DWFAG | Ear99 | 8541.29.0095 | 600 | 400V,60a,4.7Ohm,15V | 200 ns | 沟渠场停止 | 600 v | 80 a | 240 a | 2.3V @ 15V,60a | 1.02MJ(在)上,370µJ off) | 314 NC | 35NS/190NS | |
![]() | IXYP30N65B3D1 | - | ![]() | 5180 | 0.00000000 | ixys | GenX3™,XPT™ | 管子 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-220-3 | IXYP30 | - | TO-220AB | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 238-IXYP30N65B3D1 | 50 | - | - | - | - | - | |||||||||
![]() | IRG4PH40UD-EPBF | - | ![]() | 5511 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 包 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | 标准 | 160 w | TO-247AC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 800V,21a,10ohm,15V | 63 ns | - | 1200 v | 41 a | 82 a | 3.1V @ 15V,21a | 1.8mj(在)上,1.93mj off) | 86 NC | 46NS/97NS | ||||
![]() | STGWF40V60DF | - | ![]() | 7569 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-3PFM,SC-93-3 | STGWF40 | 标准 | to-3pf | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 沟渠场停止 | 600 v | 40 a | - | (456µJ)(在411µJ上) | - | ||||||
![]() | MGF65A3L | - | ![]() | 1566年 | 0.00000000 | 桑肯 | - | 大部分 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | MGF65 | 标准 | 217 w | TO-3P-3L | 下载 | Rohs符合条件 | 1261-MGF65A3L | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,440 | 400V,30a,10ohm,15V | 50 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 50 a | 90 a | 1.96V @ 15V,30a | 600µJ(在)上,600µJ(600µJ)off) | 60 NC | 30NS/90NS | |||
![]() | AIKB15N65DH5ATMA1 | 3.7300 | ![]() | 5606 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | - | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | AIKB15 | 标准 | pg-to263-3-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | npt | 650 v | 15 a | - | - | - | ||||||
![]() | IKFW60N60EH3XKSA1 | 6.8580 | ![]() | 7990 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | - | - | - | IKFW60 | - | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 240 | - | - | - | - | - | ||||||||
![]() | IXGM20N60A | - | ![]() | 7892 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AE | IXGM20 | 标准 | 150 w | TO-204AE | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 480V,20a,82ohm,15V | 200 ns | - | 600 v | 40 a | 80 a | 3V @ 15V,20A | 2MJ(在)上,2MJ(2MJ)(OFF) | 120 NC | 100NS/600NS | ||
![]() | STGWA25H120DF2 | - | ![]() | 9305 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | STGWA25 | 标准 | 375 w | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V,25a,10ohm,15V | 303 ns | 沟渠场停止 | 1200 v | 50 a | 100 a | 2.6V @ 15V,25a | 600µJ(在)上,700µJ(700µJ) | 100 NC | 29NS/130NS |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库