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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FP50R12N2T4PB81BPSA2 | 181.3700 | ![]() | 6926 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | FP50R12 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | ||||||||||||||||
![]() | VS-GT175DA120U | - | ![]() | 2201 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GT175 | 1087 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGT175DA120U | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | 单身的 | 沟 | 1200 v | 288 a | 2.1V @ 15V,100a | 100 µA | 不 | ||
![]() | VDI50-12P1 | - | ![]() | 9299 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | Eco-PAC2 | vdi | 208 w | 标准 | Eco-PAC2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 单身的 | npt | 1200 v | 49 a | 3.7V @ 15V,50a | 1.1 MA | 是的 | 1.65 NF @ 25 V | |||
![]() | FS820R08A6P2BBPSA1 | 534.2600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Infineon技术 | HybridPack™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FS820R08 | 714 w | 标准 | Ag-Hybridd-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 750 v | 450 a | 1.35V @ 15V,450a | 1 MA | 是的 | 80 nf @ 50 V | ||
![]() | 145-12A3中期 | - | ![]() | 4381 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | Y4-M5 | 145年中 | 700 w | 标准 | Y4-M5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 单身的 | npt | 1200 v | 160 a | 2.7V @ 15V,100a | 6 ma | 不 | 6.5 nf @ 25 V | ||
![]() | APTGT150DH60TG | 119.7300 | ![]() | 7579 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SP4 | APTGT150 | 480 w | 标准 | SP4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 不对称桥 | 沟渠场停止 | 600 v | 225 a | 1.9V @ 15V,150a | 250 µA | 是的 | 9.2 NF @ 25 V | ||
![]() | IFF300B12ME4PB11BPSA1 | 232.7000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | EconoDual™3 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | IFF300 | 20兆 | 标准 | Ag-Econod-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 半桥 | 沟渠场停止 | 1200 v | 300 a | 2.1V @ 15V,300A | 3 ma | 是的 | |||
![]() | FMG1G200US60H | 55.6300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 695 w | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | - | 600 v | 200 a | 2.7V @ 15V,200a | 250 µA | 不 | ||||
![]() | CM50RL-24NF | - | ![]() | 3736 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 390 w | 标准 | 模块 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 三期逆变器 | - | 1200 v | 50 a | 3V @ 15V,50a | 1 MA | 不 | 8.5 nf @ 10 V | |||||
![]() | SNXH80T120L2Q0P2G | - | ![]() | 1029 | 0.00000000 | Onmi | - | 托盘 | 过时的 | 175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | SNXH80 | 158 w | 标准 | 20-pim/q0pack(55x32.5) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 488-SNXH80T120L2Q0P2G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 三级逆变器 | 沟渠场停止 | 1200 v | 67 a | 2.85V @ 15V,80a | 300 µA | 是的 | 19.4 NF @ 20 V | ||
![]() | CM200TL-24NF | - | ![]() | 1021 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 1160 w | 标准 | 模块 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 三相逆变器 | - | 1200 v | 200 a | 3.1V @ 15V,200a | 1 MA | 不 | 35 NF @ 10 V | ||||
![]() | MKI50-06A7 | - | ![]() | 7206 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | E2 | MKI50 | 225 w | 标准 | E2 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 完整的桥梁逆变器 | npt | 600 v | 72 a | 2.4V @ 15V,50a | 600 µA | 不 | 2.8 nf @ 25 V | ||
![]() | FS75R07N2E4_B11 | 66.5200 | ![]() | 491 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopack™2 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 250 w | 标准 | Ag-Econo2b | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 650 v | 75 a | 1.95V @ 15V,75a | 1 MA | 是的 | 4.6 NF @ 25 V | ||||||
![]() | BSM15GD120DN2E3224BPSA1 | 103.4600 | ![]() | 4765 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 上次购买 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | BSM15G | 145 w | 标准 | Ag-econo2a | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 全桥 | - | 1200 v | 25 a | 3V @ 15V,15a | 500 µA | 不 | 1 nf @ 25 V | |||
![]() | STGE50NB60HD | - | ![]() | 6171 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh™ | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | STGE50 | 300 w | 标准 | 同位素 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 497-5269-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 单身的 | - | 600 v | 100 a | 2.8V @ 15V,50a | 250 µA | 不 | 4.5 nf @ 25 V | |
![]() | FF450R12ME3BOSA1 | 289.6780 | ![]() | 7194 | 0.00000000 | Infineon技术 | EconoDual™ | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | 模块 | FF450R12 | 2100 w | 标准 | 模块 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 半桥 | 沟渠场停止 | 1200 v | 600 a | 2.15V @ 15V,450a | 5 ma | 是的 | 32 NF @ 25 V | ||
![]() | IFF300B12N2E4PB11BPSA1 | 272.3180 | ![]() | 7115 | 0.00000000 | Infineon技术 | MIPAQ™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | IFF300 | 20兆 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 半桥 | 沟渠场停止 | 1200 v | 600 a | 2.1V @ 15V,300A | 1 MA | 是的 | 18.5 nf @ 25 V | ||
![]() | VS-100MT060WSP | - | ![]() | 8105 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | 12-mtp模块 | 100MT060 | 403 w | 单相桥梁整流器 | MTP | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | 单身的 | - | 600 v | 107 a | 2.49V @ 15V,60a | 100 µA | 是的 | 9.5 nf @ 30 V | ||
![]() | MIXA80W1200TEH | 117.0020 | ![]() | 8969 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E3 | Mixa80 | 390 w | 标准 | E3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | 三期逆变器 | pt | 1200 v | 120 a | 2.2V @ 15V,77a | 200 µA | 是的 | |||
![]() | BSM600GA120DLC | - | ![]() | 1216 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 3900 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | - | 1200 v | 900 a | 2.6V @ 15V,600A | 5 ma | 不 | 44 NF @ 25 V | |||
![]() | BSM200GB170DLCE3256HDLA1 | - | ![]() | 6806 | 0.00000000 | Infineon技术 | Primestack™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | 模块 | BSM200 | 1660 w | 标准 | - | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000091989 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | - | 1700 v | 400 a | 3.2V @ 15V,200a | 5 ma | 不 | 15 nf @ 25 V | ||
![]() | VS-GB50NA120UX | - | ![]() | 3846 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GB50 | 431 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | VSGB50NA120UX | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | 单身的 | npt | 1200 v | 84 a | 2.8V @ 15V,50a | 50 µA | 不 | |||
FS3L25R12W2H3B11BPSA1 | 81.2000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Infineon技术 | EasyPack™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FS3L25 | 175 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 三级逆变器 | - | 1200 v | 40 a | 2.4V @ 15V,25a | 1 MA | 是的 | 1.45 NF @ 25 V | |||
![]() | IFF450B12ME4S8PB11BPSA1 | 300.8067 | ![]() | 8849 | 0.00000000 | Infineon技术 | EconoDual™3 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | IFF450 | 20兆 | 标准 | Ag-Econod-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 半桥 | 沟渠场停止 | 1200 v | 450 a | 2.1V @ 15V,450a | 3 ma | 是的 | |||
![]() | BSM150GB120DN2HOSA1 | 215.7930 | ![]() | 3228 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 上次购买 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | BSM150 | 1250 w | 标准 | 模块 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 半桥 | - | 1200 v | 210 a | 3V @ 15V,150a | 2.8 ma | 不 | 11 nf @ 25 V | ||
![]() | VS-GT75YF120UT | 146.1400 | ![]() | 107 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 431 w | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-VS-GT75YF120UT | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 全桥 | 沟渠场停止 | 1200 v | 118 a | 2.6V @ 15V,75a | 100 µA | 是的 | |||
![]() | FMM7G20US60N | 28.1700 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 模块 | 89 w | 三相桥梁整流器 | - | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 2156-FMM7G20US60N | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 三期逆变器 | - | 600 v | 20 a | 2.7V @ 15V,20A | 250 µA | 是的 | 1.277 NF @ 30 V | |||
![]() | FZ900R12KF5NOSA1 | - | ![]() | 3486 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | - | - | - | FZ800 | - | - | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000100502 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | ||||||||
NXH35C120L2C2SG | 106.6000 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 26-PowerDip 模块(1.199英寸,47.20mm) | NXH35 | 20兆 | 三相桥梁整流器 | 26浸 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 三期逆变器 | - | 1200 v | 35 a | 2.4V @ 15V,35a | 250 µA | 是的 | 8.33 NF @ 20 V | |||
![]() | FF450R12ME4EB11BPSA2 | - | ![]() | 6432 | 0.00000000 | Infineon技术 | EconoDual™3 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FF450R12 | 20兆 | 标准 | Ag-Econod-6 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 半桥逆变器 | 沟渠场停止 | 1200 v | 450 a | 2.1V @ 15V,450a | 3 ma | 是的 | 28 NF @ 25 V |
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