SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
APT60GF120JRDQ3 Microchip Technology APT60GF120JRDQ3 113.0400
RFQ
ECAD 20 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 同位素 APT60GF120 625 w 标准 isotop® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单身的 npt 1200 v 149 a 3V @ 15V,100a 350 µA 7.08 nf @ 25 V
FF900R12ME7WB11BPSA1 Infineon Technologies FF900R12ME7WB11BPSA1 511.9800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Infineon技术 EconoDual™,Trenchstop™ 托盘 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 模块 FF900R12 20兆 标准 ag-econod 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 半桥逆变器 沟渠场停止 1200 v 890 a 1.8V @ 15V,900A 100 µA 是的 122 NF @ 25 V
P2000DL45X168HPSA1 Infineon Technologies P2000DL45X168HPSA1 10.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 TO-200AF P2000D 标准 BG-P16826K-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单身的 4500 v 2000 a 2.5V @ 15V,2000a 200 µA 420 NF @ 25 V
APTGT75H120TG Microchip Technology APTGT75H120TG 173.6100
RFQ
ECAD 5950 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SP4 APTGT75 357 w 标准 SP4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 完整的桥梁逆变器 沟渠场停止 1200 v 110 a 2.1V @ 15V,75a 250 µA 是的 5.34 NF @ 25 V
MG35P12P3 Yangjie Technology MG35P12P3 45.6958
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Yangjie技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 215 w 三相桥梁整流器 - - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-MG35P123 Ear99 24 三期逆变器 - 1200 v 35 a 2.25V @ 15V,35a 1 MA 是的 2 NF @ 25 V
FP10R12W1T7PBPSA1 Infineon Technologies FP10R12W1T7PBPSA1 38.9437
RFQ
ECAD 3368 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 FP10R12 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30
DF300R12KE3HOSA1 Infineon Technologies DF300R12KE3HOSA1 186.6020
RFQ
ECAD 8285 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 -40°C〜125°C 底盘安装 模块 DF300R12 1470 w 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 - 1200 v 480 a 2.15V @ 15V,300A 5 ma 21 nf @ 25 V
FP100R12W3T7B11BPSA1 Infineon Technologies FP100R12W3T7B11BPSA1 187.8100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Infineon技术 EasyPim™ 托盘 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 模块 FP100R12 20兆 三相桥梁整流器 ag-easy3b 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 8 三相逆变器 沟渠场停止 1200 v 100 a - 1 MA 是的 21.7 NF @ 25 V
APTGV25H120T3G Microsemi Corporation APTGV25H120T3G -
RFQ
ECAD 2351 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 底盘安装 SP3 156 w 标准 SP3 - (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 完整的桥梁逆变器 NPT,沟渠场停止 1200 v 40 a 2.1V @ 15V,25a 250 µA 是的 1.8 nf @ 25 V
FZ1600R17KF6CB2S2NOSA1 Infineon Technologies FZ1600R17KF6CB2S2NOSA1 -
RFQ
ECAD 3121 0.00000000 Infineon技术 IHM-B 托盘 过时的 FZ1600 - - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2 - - -
FP150R07N3E4B11BOSA1 Infineon Technologies FP150R07N3E4B11BOSA1 233.8180
RFQ
ECAD 3007 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 -40°C〜150°C 底盘安装 模块 FP150R07 430 w 标准 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 三相逆变器 沟渠场停止 650 v 150 a 1.95V @ 15V,150a 1 MA 是的 9.3 NF @ 25 V
FB20R06W1E3B11HOMA1 Infineon Technologies FB20R06W1E3B11HOMA1 40.6454
RFQ
ECAD 4062 0.00000000 Infineon技术 EasyPim™ 托盘 积极的 -40°C〜150°C 底盘安装 模块 FB20R06 94 W 标准 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 三相逆变器 沟渠场停止 600 v 29 a 2V @ 15V,20A 1 MA 是的 1.1 NF @ 25 V
MG100HF12LEC1 Yangjie Technology MG100HF12LEC1 41.0200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Yangjie技术 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 模块 675 w 标准 - - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-MG100HF12LEC1 Ear99 10 单个开关 npt 1200 v 100 a 3V @ 15V,100a 1 MA 6.7 NF @ 25 V
MG17100S-BN4MM Littelfuse Inc. MG17100S-BN4MM -
RFQ
ECAD 5990 0.00000000 Littelfuse Inc. - 大部分 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 S-3模块 620 w 标准 S3 - rohs3符合条件 (1 (无限) -MG17100S-BN4MM Ear99 8541.29.0095 50 半桥 沟渠场停止 1700 v 150 a 2.45V @ 15V,100a 3 ma 9 nf @ 25 V
FP15R12W1T7PBPSA1 Infineon Technologies FP15R12W1T7PBPSA1 52.8000
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Infineon技术 EasyPim™,Trenchstop™ 托盘 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 模块 FP15R12 20兆 三相桥梁整流器 ag-easy1b 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 三相逆变器 沟渠场停止 1200 v 15 a - 3 µA 是的 2.82 NF @ 25 V
IRG5K50HF12A Infineon Technologies IRG5K50HF12A -
RFQ
ECAD 4472 0.00000000 Infineon技术 - 盒子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 Powir®34模块 IRG5K50 390 w 标准 Powir®34 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 半桥 - 1200 v 100 a 2.6V @ 15V,50a 1 MA 6.2 NF @ 25 V
APTGT35X120T3G Microchip Technology APTGT35X120T3G 112.9609
RFQ
ECAD 4812 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SP3 APTGT35 208 w 标准 SP3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 三相逆变器 沟渠场停止 1200 v 55 a 2.1V @ 15V,35a 250 µA 是的 2.5 nf @ 25 V
NXH100B120H3Q0STG onsemi NXH100B120H3Q0STG 83.1388
RFQ
ECAD 3323 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 NXH100 186 w 标准 22-pim/q0boost (55x32.5) 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXH100B120H3Q0STG Ear99 8541.29.0095 24 2独立 沟渠场停止 1200 v 50 a 2.3V @ 15V,50a 200 µA 9.075 NF @ 20 V
MIXG240W1200PZ-PC IXYS MIXG240W1200PZ-PC 248.8071
RFQ
ECAD 9775 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 - - - Mixg240 - - - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MIXG240W1200PZ-PC 24 - - -
FF800R17KF6CB2NOSA1 Infineon Technologies FF800R17KF6CB2NOSA1 -
RFQ
ECAD 4980 0.00000000 Infineon技术 ihm-a 大部分 过时的 -40°C〜125°C 底盘安装 模块 FF800R17 6250 w 标准 模块 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2 2独立 - 1700 v 3.1V @ 15V,800A 1.5 ma 52 NF @ 25 V
APTGT150A120D1G Microsemi Corporation APTGT150A120D1G -
RFQ
ECAD 6590 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 底盘安装 D1 700 w 标准 D1 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 半桥 沟渠场停止 1200 v 220 a 2.1V @ 15V,150a 4 mA 10.8 NF @ 25 V
CM100E3U-24H Powerex Inc. CM100E3U-24H -
RFQ
ECAD 9178 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD™ 大部分 在sic中停产 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 650 w 标准 模块 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 单身的 - 1200 v 100 a 3.7V @ 15V,100a 1 MA 15 nf @ 10 V
BSM50GP60GBOSA1 Infineon Technologies BSM50GP60GBOSA1 -
RFQ
ECAD 7307 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 -40°C〜125°C 底盘安装 模块 BSM50G 250 w 三相桥梁整流器 模块 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 三相逆变器 - 600 v 70 a 2.55V @ 15V,50a 500 µA 是的 2.8 nf @ 25 V
FF1600R12IP7BOSA1 Infineon Technologies FF1600R12IP7BOSA1 600.1300
RFQ
ECAD 9234 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3
IRG5U100HF06A Infineon Technologies IRG5U100HF06A -
RFQ
ECAD 5961 0.00000000 Infineon技术 - 盒子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 Powir®34模块 400 w 标准 Powir®34 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 半桥 - 600 v 130 a 2.9V @ 15V,100a 1 MA 6.1 NF @ 25 V
APTGT450SK60G Microchip Technology APTGT450SK60G 197.0100
RFQ
ECAD 2759 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SP6 APTGT450 1750 w 标准 SP6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单身的 沟渠场停止 600 v 550 a 1.8V @ 15V,450a 500 µA 37 NF @ 25 V
MG50P12E2 Yangjie Technology MG50P12E2 84.0400
RFQ
ECAD 600 0.00000000 Yangjie技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 227 w 标准 - - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-MG50P12E2 Ear99 6 单身的 - 1200 v 50 a 2.3V @ 15V,50a 1 MA 是的 2.6 nf @ 25 V
FMM7G50US60N Fairchild Semiconductor FMM7G50US60N 28.1700
RFQ
ECAD 39 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 模块 139 w 三相桥梁整流器 - 下载 Rohs不合规 到达不受影响 2156-FMM7G50US60N Ear99 8541.29.0095 11 三期逆变器 - 600 v 50 a 2.7V @ 15V,50a 250 µA 是的 3.565 NF @ 30 V
FP50R12N2T7PBPSA1 Infineon Technologies FP50R12N2T7PBPSA1 145.8300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Infineon技术 Econopim™2,Trenchstop™ 托盘 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 模块 20兆 三相桥梁整流器 Ag-Econo2b 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 三相逆变器 沟渠场停止 1200 v 50 a 1.85V @ 15V,25a 4 µA 是的 11.1 NF @ 25 V
VS-GB75DA120UP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB75DA120UP -
RFQ
ECAD 1823年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GB75 658 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VSGB75DA120UP Ear99 8541.29.0095 180 单身的 npt 1200 v 3.8V @ 15V,75a 250 µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库