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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT150GN120JDQ4 | 68.1600 | ![]() | 6281 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | APT150 | 625 w | 标准 | isotop® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | 沟渠场停止 | 1200 v | 215 a | 2.1V @ 15V,150a | 300 µA | 不 | 9.5 nf @ 25 V | |||
![]() | APTGT150A60T3AG | 105.0300 | ![]() | 1279 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SP3 | APTGT150 | 600 w | 标准 | SP3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | 沟渠场停止 | 600 v | 225 a | 1.9V @ 15V,150a | 250 µA | 是的 | 9.2 NF @ 25 V | ||
![]() | FS225R12KE4 | 529.7600 | ![]() | 151 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 1100 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 1200 v | 320 a | 2.15V @ 15V,225a | 3 ma | 是的 | 13 nf @ 25 V | |||
![]() | FP75R06KE3BOSA1 | 167.8200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopim™3 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FP75R06 | 250 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 600 v | 95 a | 1.9V @ 15V,75a | 1 MA | 是的 | 4.6 NF @ 25 V | ||
![]() | VS-GT50TP120N | - | ![]() | 9172 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 175°C(TJ) | 底盘安装 | int-a-pak(3 + 4) | GT50 | 405 w | 标准 | int-a-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGT50TP120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 半桥 | 沟 | 1200 v | 100 a | 2.35V @ 15V,50a | 5 ma | 不 | 6.24 NF @ 30 V | |
![]() | FZ3600R12HP4HOSA2 | 1.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | IHM-B | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FZ3600 | 19000 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单个开关 | 沟 | 1200 v | 4930 a | 2.05V @ 15V,3600a | 5 ma | 不 | 225 NF @ 25 V | ||
![]() | FS100R07N2E4BPSA1 | 136.6000 | ![]() | 5677 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopack™2 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FS100R07 | 335 w | 标准 | Ag-Econo2b | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 650 v | 100 a | 1.95V @ 15V,100a | 1 MA | 是的 | 6.2 NF @ 25 V | ||
![]() | DD600S17K3B2NOSA1 | 922.2700 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 标准 | - | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 2独立 | - | 1700 v | - | 不 | |||||||
![]() | FF300R07ME4B11BPSA1 | 170.1700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Infineon技术 | EconoDual™3 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FF300R07 | 1100 w | 标准 | Ag-Econod-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 2独立 | 沟渠场停止 | 650 v | 390 a | 1.95V @ 15V,300A | 1 MA | 是的 | 18.5 nf @ 25 V | ||
![]() | F4200R06KL4BOSA1 | - | ![]() | 1569年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | 模块 | F4200R | 695 w | 标准 | 模块 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 全桥 | - | 600 v | 225 a | 2.55V @ 15V,200a | 5 ma | 不 | 9 nf @ 25 V | ||
![]() | MITB10WB1200TMH | - | ![]() | 8659 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | Minipack2 | MITB10W | 70 W | 三相桥梁整流器 | Minipack2 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 三期逆变器 | 沟 | 1200 v | 17 a | 2.2V @ 15V,10a | 600 µA | 是的 | 600 pf @ 25 V | ||||
![]() | APTGT30X60T3G | 76.3606 | ![]() | 2894 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SP3 | APTGT30 | 90 W | 标准 | SP3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 600 v | 50 a | 1.9V @ 15V,30a | 250 µA | 是的 | 1.6 nf @ 25 V | ||
CM400DY-12NF | - | ![]() | 8550 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 1130 w | 标准 | 模块 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | - | 600 v | 400 a | 2.2V @ 15V,400A | 1 MA | 不 | 60 NF @ 10 V | |||||
![]() | FS450R17OE4PBOSA1 | 1.0000 | ![]() | 2404 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopack™+ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FS450R17 | 20兆 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4 | 全桥 | 沟渠场停止 | 1700 v | 900 a | 2.3V @ 15V,450a | 3 ma | 是的 | 36 NF @ 25 V | ||
![]() | DD1200S12H4HOSA1 | 852.4250 | ![]() | 5727 | 0.00000000 | Infineon技术 | IHM-B | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | DD1200 | 1200000 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 2独立 | - | 1200 v | 1200 a | 2.35V @ 15V,1200A | 不 | ||||
![]() | MWI200-06A8T | - | ![]() | 6303 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | - | 底盘安装 | E3 | MWI200 | 675 w | 标准 | E3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | 三相逆变器 | npt | 600 v | 225 a | 2.5V @ 15V,200a | 1.8 ma | 不 | 9 nf @ 25 V | ||
APTGF350DA60G | - | ![]() | 8006 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | SP6 | 1562 w | 标准 | SP6 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | npt | 600 v | 430 a | 2.5V @ 15V,360a | 200 µA | 不 | 17.2 NF @ 25 V | ||||||
![]() | BSM75GD60DLCBOSA1 | - | ![]() | 1238 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | 模块 | BSM75G | 330 w | 标准 | 模块 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 全桥 | - | 600 v | 95 a | 2.45V @ 15V,75a | 500 µA | 不 | 3.3 NF @ 25 V | ||
![]() | VS-GT75LP120N | - | ![]() | 6088 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | int-a-pak | GT75 | 543 w | 标准 | int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 半桥 | - | 1200 v | 150 a | 2.35V @ 15V,75a | 5 ma | 不 | 5.52 NF @ 25 V | |||
![]() | VS-20MT120UFP | - | ![]() | 4450 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 16-MTP模块 | 20MT120 | 240 w | 标准 | MTP | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS20MT120UFP | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | 完整的桥梁逆变器 | npt | 1200 v | 40 a | 4.66V @ 15V,40a | 250 µA | 不 | 3.79 NF @ 30 V | |
![]() | FP75R07N2E4B16BPSA1 | 127.9073 | ![]() | 2419 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopim™2 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 20兆 | 三相桥梁整流器 | Ag-Econo2b | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 650 v | 95 a | 1.95V @ 15V,75a | 1 MA | 是的 | 4.6 NF @ 25 V | |||
![]() | APTGT100SK170TG | 117.5900 | ![]() | 4991 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SP4 | APTGT100 | 560 w | 标准 | SP4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | 沟渠场停止 | 1700 v | 150 a | 2.4V @ 15V,100a | 250 µA | 是的 | 9 nf @ 25 V | ||
![]() | FZ2400R12HP4NPSA1 | 745.7300 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 标准 | AG-IHMB130-2-1 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单个开关 | 沟 | 1200 v | 3460 a | 2.05V @ 15V,2.4KA | 5 ma | 不 | 150 nf @ 25 V | |||||||
CM450DX-24A | - | ![]() | 3951 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 2840 w | 标准 | 模块 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 835-1021 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | - | 1200 v | 450 a | 2.6V @ 15V,450a | 1 MA | 是的 | 68 NF @ 10 V | ||||
![]() | MWI15-12A6K | - | ![]() | 3039 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E1 | MWI15 | 90 W | 标准 | E1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三相逆变器 | npt | 1200 v | 19 a | 3.4V @ 15V,15a | 900 µA | 是的 | 600 pf @ 25 V | ||
![]() | FF300R17KE3HOSA1 | 236.9400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon技术 | c | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | 模块 | FF300R17 | 1450 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 2独立 | 沟渠场停止 | 1700 v | 2.45V @ 15V,300A | 3 ma | 不 | 27 NF @ 25 V | |||
![]() | VS-GB200NH120N | - | ![]() | 3076 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(3 + 4) | GB200 | 1562 w | 标准 | 双int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB200NH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 单身的 | - | 1200 v | 420 a | 1.8V @ 15V,200a(类型) | 5 ma | 不 | 18 nf @ 25 V | |
![]() | IXGN100N160A | - | ![]() | 4171 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | - | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | ixgn100 | 标准 | SOT-227B | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | - | 1600 v | 200 a | - | 不 | |||||
![]() | IXA90IF650NA | - | ![]() | 9831 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | - | - | - | IXA90IF650 | - | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | - | - | - | 不 | |||||||
APTGT50H60RT3G | 83.9900 | ![]() | 3383 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | 底盘安装 | SP3 | APTGT50 | 176 w | 单相桥梁整流器 | SP3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 完整的桥梁逆变器 | 沟渠场停止 | 600 v | 80 a | 1.9V @ 15V,50a | 250 µA | 是的 | 3.15 NF @ 25 V |
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