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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FF1200R17KE3NOSA1 | 1.0000 | ![]() | 6992 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | 模块 | FF1200 | 595000 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 单菜器 | - | 1700 v | 2.45V @ 15V,1200A | 5 ma | 不 | 110 nf @ 25 V | |||
![]() | APTGL90SK120T1G | - | ![]() | 6207 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SP1 | 385 w | 标准 | SP1 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | 沟渠场停止 | 1200 v | 110 a | 2.25V @ 15V,75a | 250 µA | 是的 | 4.4 NF @ 25 V | ||||
![]() | STGE50NC60VD | - | ![]() | 8007 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | STGE50 | 260 w | 标准 | 同位素 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | - | 600 v | 90 a | 2.5V @ 15V,40a | 150 µA | 不 | 4.55 NF @ 25 V | ||
![]() | NXH50M65L4Q1SG | 76.0300 | ![]() | 6664 | 0.00000000 | Onmi | - | 托盘 | 积极的 | 175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 86 W | 标准 | 56-PIM(93x47) | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 488-NXH50M65L4Q1SG | Ear99 | 8541.29.0095 | 21 | 全桥 | 沟渠场停止 | 650 v | 48 a | 2.22V @ 15V,50a | 300 µA | 是的 | 3.137 NF @ 20 V | ||
![]() | APTGT25A120D1G | - | ![]() | 6254 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 在sic中停产 | - | 底盘安装 | D1 | 140 w | 标准 | D1 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | 沟渠场停止 | 1200 v | 40 a | 2.1V @ 15V,25a | 5 ma | 不 | 1.8 nf @ 25 V | ||||
CM200DY-12NF | - | ![]() | 3513 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 650 w | 标准 | 模块 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | - | 600 v | 200 a | 2.2V @ 15V,200a | 1 MA | 不 | 30 NF @ 10 V | |||||
![]() | APTGF75DH120TG | - | ![]() | 5611 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | SP4 | 500 w | 标准 | SP4 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 不对称桥 | npt | 1200 v | 100 a | 3.7V @ 15V,75a | 250 µA | 是的 | 5.1 NF @ 25 V | |||||
![]() | CM600DXL-24 | - | ![]() | 5360 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 模块 | 4545 w | 标准 | 模块 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | - | 1200 v | 600 a | 2.3V @ 15V,600A | 1 MA | 是的 | 60 NF @ 10 V | |||||
![]() | FMG2G400LS60 | - | ![]() | 5933 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 晚上7点 | FMG2 | 1.136 w | 标准 | 晚上7点 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 半桥 | - | 600 v | 400 a | 1.8V @ 15V,400A | 250 µA | 不 | |||
![]() | APTGT300A170G | 422.3100 | ![]() | 2861 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SP6 | APTGT300 | 1660 w | 标准 | SP6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | 沟渠场停止 | 1700 v | 400 a | 2.4V @ 15V,300A | 750 µA | 不 | 26.5 nf @ 25 V | ||
APTGL475U120DAG | 246.7920 | ![]() | 5233 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SP6 | APTGL475 | 2307 w | 标准 | SP6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | 沟渠场停止 | 1200 v | 610 a | 2.2V @ 15V,400A | 4 mA | 不 | 24.6 nf @ 25 V | |||
![]() | DF1400R12IP4D | - | ![]() | 6093 | 0.00000000 | Infineon技术 | PrimePack™3 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | DF1400R | 标准 | 模块 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 单菜器 | 沟渠场停止 | 1200 v | 1400 a | - | 5 ma | 是的 | 82 NF @ 25 V | |||||||
![]() | APTGT75DDA60T3G | 71.5900 | ![]() | 4440 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SP3 | APTGT75 | 250 w | 标准 | SP3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 双提升斩波器 | 沟渠场停止 | 600 v | 100 a | 1.9V @ 15V,75a | 250 µA | 是的 | 4.62 NF @ 25 V | ||
![]() | FMG2G75US60 | - | ![]() | 8439 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 7 pm-ga | FMG2 | 310 w | 标准 | 7 pm-ga | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 半桥 | - | 600 v | 75 a | 2.8V @ 15V,75a | 250 µA | 不 | 7.056 NF @ 30 V | |||
![]() | MUBW75-12T8 | - | ![]() | 3386 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E3 | mubw75 | 355 w | 三相桥梁整流器 | E3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | 三期逆变器 | 沟 | 1200 v | 110 a | 2.15V @ 15V,75a | 4 mA | 是的 | 5.35 NF @ 25 V | ||
![]() | FP30R06YE3B4BOMA1 | 97.8075 | ![]() | 8400 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 不适合新设计 | FP30R06 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 20 | |||||||||||||||||
![]() | MIXA81WB1200TEH | - | ![]() | 7604 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | E3 | Mixa81 | 390 w | 三相桥梁整流器 | E3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | 三期逆变器 | pt | 1200 v | 120 a | 2.1V @ 15V,75a | 200 µA | 是的 | |||
![]() | FS100R12KT4PB11BPSA1 | 209.4600 | ![]() | 6940 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopack™2 | 托盘 | 积极的 | FS100R12 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 10 | |||||||||||||||||
FF200R12MT4BOMA1 | - | ![]() | 1093 | 0.00000000 | Infineon技术 | EconoDual™2 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FF200R12 | 1050 w | 标准 | 模块 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 14 | 2独立 | 沟渠场停止 | 1200 v | 2.15V @ 15V,200a | 1 MA | 是的 | 14 NF @ 25 V | |||||
![]() | FP75R12N2T4B16BOSA1 | - | ![]() | 5750 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopim™2 | 托盘 | 在sic中停产 | - | - | - | FP75R12 | - | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 10 | - | - | - | ||||||||
![]() | IRG5U150HF12B | - | ![]() | 9404 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | Powir®62模块 | 1100 w | 标准 | Powir®62 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001542108 | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 半桥 | - | 1200 v | 260 a | 3.5V @ 15V,150a | 2 ma | 不 | 18 nf @ 25 V | |||
![]() | VS-GB300AH120N | - | ![]() | 2164 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(5) | GB300 | 2500 w | 标准 | 双int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB300AH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 单身的 | - | 1200 v | 620 a | 1.9V @ 15V,300A(类型) | 5 ma | 不 | 21 nf @ 25 V | |
APTCV60HM45RCT3G | 127.5414 | ![]() | 8151 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SP3 | APTCV60 | 250 w | 单相桥梁整流器 | SP3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 完整的桥梁逆变器 | 沟渠场停止 | 600 v | 50 a | 1.9V @ 15V,50a | 250 µA | 是的 | 3.15 NF @ 25 V | |||
![]() | FD200R65KF2-K | 2.0000 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 125°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 380000 w | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单菜器 | - | 3600 v | 200 a | 4.9V @ 15V,200a | 200 µA | 不 | 28 NF @ 25 V | |||
![]() | BYM300A120DN2HOSA1 | 192.9200 | ![]() | 2842 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | BYM300 | 1000 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | - | 1200 v | 450 a | - | 不 | ||||
![]() | DF400R07PE4R_B6 | - | ![]() | 6183 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopack™4 | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | DF400R07 | 1100 w | 标准 | 模块 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 单菜器 | npt | 650 v | 450 a | 1.95V @ 15V,400A | 20 na | 是的 | 18.5 nf @ 25 V | |||
CPV364M4F | - | ![]() | 6788 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | (19-sip (13个领先),IMS-2 | CPV364 | 63 W | 标准 | IMS-2 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 84 | 三相逆变器 | - | 600 v | 27 a | 1.6V @ 15V,27a | 250 µA | 不 | 2.2 NF @ 30 V | ||||
![]() | IXGN50N60B | - | ![]() | 2488 | 0.00000000 | ixys | HiperFast™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | ixgn50 | 300 w | 标准 | SOT-227B | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 单身的 | - | 600 v | 75 a | 2.3V @ 15V,50a | 200 µA | 不 | 4.1 NF @ 25 V | |||
![]() | FZ1000R33HL3BPSA1 | 1.0000 | ![]() | 8451 | 0.00000000 | Infineon技术 | IHM-B | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FZ1000 | 1600 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 单个开关 | 沟渠场停止 | 3300 v | 1000 a | 2.85V @ 15V,1000a | 5 ma | 不 | 190 NF @ 25 V | ||
APT60GT60JRDQ3 | - | ![]() | 8246 | 0.00000000 | 微芯片技术 | Thunderboltigbt® | 管子 | 过时的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | APT60GT60 | 379 w | 标准 | isotop® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | npt | 600 v | 105 a | 2.5V @ 15V,60a | 330 µA | 不 | 3.1 NF @ 25 V |
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