SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
FF1200R17KE3NOSA1 Infineon Technologies FF1200R17KE3NOSA1 1.0000
RFQ
ECAD 6992 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 不适合新设计 -40°C〜125°C 底盘安装 模块 FF1200 595000 w 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2 单菜器 - 1700 v 2.45V @ 15V,1200A 5 ma 110 nf @ 25 V
APTGL90SK120T1G Microsemi Corporation APTGL90SK120T1G -
RFQ
ECAD 6207 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SP1 385 w 标准 SP1 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单身的 沟渠场停止 1200 v 110 a 2.25V @ 15V,75a 250 µA 是的 4.4 NF @ 25 V
STGE50NC60VD STMicroelectronics STGE50NC60VD -
RFQ
ECAD 8007 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 STGE50 260 w 标准 同位素 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 - 600 v 90 a 2.5V @ 15V,40a 150 µA 4.55 NF @ 25 V
NXH50M65L4Q1SG onsemi NXH50M65L4Q1SG 76.0300
RFQ
ECAD 6664 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 175°C(TJ) 底盘安装 模块 86 W 标准 56-PIM(93x47) 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXH50M65L4Q1SG Ear99 8541.29.0095 21 全桥 沟渠场停止 650 v 48 a 2.22V @ 15V,50a 300 µA 是的 3.137 NF @ 20 V
APTGT25A120D1G Microsemi Corporation APTGT25A120D1G -
RFQ
ECAD 6254 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 在sic中停产 - 底盘安装 D1 140 w 标准 D1 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 半桥 沟渠场停止 1200 v 40 a 2.1V @ 15V,25a 5 ma 1.8 nf @ 25 V
CM200DY-12NF Powerex Inc. CM200DY-12NF -
RFQ
ECAD 3513 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD™ 大部分 在sic中停产 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 650 w 标准 模块 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 半桥 - 600 v 200 a 2.2V @ 15V,200a 1 MA 30 NF @ 10 V
APTGF75DH120TG Microsemi Corporation APTGF75DH120TG -
RFQ
ECAD 5611 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 底盘安装 SP4 500 w 标准 SP4 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 不对称桥 npt 1200 v 100 a 3.7V @ 15V,75a 250 µA 是的 5.1 NF @ 25 V
CM600DXL-24S Powerex Inc. CM600DXL-24 -
RFQ
ECAD 5360 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD™ 大部分 在sic中停产 -40°C〜150°C(TJ) 模块 4545 w 标准 模块 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 半桥 - 1200 v 600 a 2.3V @ 15V,600A 1 MA 是的 60 NF @ 10 V
FMG2G400LS60 Fairchild Semiconductor FMG2G400LS60 -
RFQ
ECAD 5933 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 晚上7点 FMG2 1.136 w 标准 晚上7点 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 半桥 - 600 v 400 a 1.8V @ 15V,400A 250 µA
APTGT300A170G Microchip Technology APTGT300A170G 422.3100
RFQ
ECAD 2861 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SP6 APTGT300 1660 w 标准 SP6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 半桥 沟渠场停止 1700 v 400 a 2.4V @ 15V,300A 750 µA 26.5 nf @ 25 V
APTGL475U120DAG Microchip Technology APTGL475U120DAG 246.7920
RFQ
ECAD 5233 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SP6 APTGL475 2307 w 标准 SP6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单身的 沟渠场停止 1200 v 610 a 2.2V @ 15V,400A 4 mA 24.6 nf @ 25 V
DF1400R12IP4D Infineon Technologies DF1400R12IP4D -
RFQ
ECAD 6093 0.00000000 Infineon技术 PrimePack™3 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 DF1400R 标准 模块 下载 0000.00.0000 1 单菜器 沟渠场停止 1200 v 1400 a - 5 ma 是的 82 NF @ 25 V
APTGT75DDA60T3G Microchip Technology APTGT75DDA60T3G 71.5900
RFQ
ECAD 4440 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SP3 APTGT75 250 w 标准 SP3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 双提升斩波器 沟渠场停止 600 v 100 a 1.9V @ 15V,75a 250 µA 是的 4.62 NF @ 25 V
FMG2G75US60 onsemi FMG2G75US60 -
RFQ
ECAD 8439 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 7 pm-ga FMG2 310 w 标准 7 pm-ga 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 15 半桥 - 600 v 75 a 2.8V @ 15V,75a 250 µA 7.056 NF @ 30 V
MUBW75-12T8 IXYS MUBW75-12T8 -
RFQ
ECAD 3386 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 E3 mubw75 355 w 三相桥梁整流器 E3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 三期逆变器 1200 v 110 a 2.15V @ 15V,75a 4 mA 是的 5.35 NF @ 25 V
FP30R06YE3B4BOMA1 Infineon Technologies FP30R06YE3B4BOMA1 97.8075
RFQ
ECAD 8400 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 不适合新设计 FP30R06 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 0000.00.0000 20
MIXA81WB1200TEH IXYS MIXA81WB1200TEH -
RFQ
ECAD 7604 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 E3 Mixa81 390 w 三相桥梁整流器 E3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 三期逆变器 pt 1200 v 120 a 2.1V @ 15V,75a 200 µA 是的
FS100R12KT4PB11BPSA1 Infineon Technologies FS100R12KT4PB11BPSA1 209.4600
RFQ
ECAD 6940 0.00000000 Infineon技术 Econopack™2 托盘 积极的 FS100R12 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 0000.00.0000 10
FF200R12MT4BOMA1 Infineon Technologies FF200R12MT4BOMA1 -
RFQ
ECAD 1093 0.00000000 Infineon技术 EconoDual™2 大部分 过时的 -40°C〜150°C 底盘安装 模块 FF200R12 1050 w 标准 模块 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 14 2独立 沟渠场停止 1200 v 2.15V @ 15V,200a 1 MA 是的 14 NF @ 25 V
FP75R12N2T4B16BOSA1 Infineon Technologies FP75R12N2T4B16BOSA1 -
RFQ
ECAD 5750 0.00000000 Infineon技术 Econopim™2 托盘 在sic中停产 - - - FP75R12 - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 10 - - -
IRG5U150HF12B Infineon Technologies IRG5U150HF12B -
RFQ
ECAD 9404 0.00000000 Infineon技术 - 盒子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 Powir®62模块 1100 w 标准 Powir®62 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001542108 Ear99 8541.29.0095 15 半桥 - 1200 v 260 a 3.5V @ 15V,150a 2 ma 18 nf @ 25 V
VS-GB300AH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB300AH120N -
RFQ
ECAD 2164 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(5) GB300 2500 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB300AH120N Ear99 8541.29.0095 12 单身的 - 1200 v 620 a 1.9V @ 15V,300A(类型) 5 ma 21 nf @ 25 V
APTCV60HM45RCT3G Microchip Technology APTCV60HM45RCT3G 127.5414
RFQ
ECAD 8151 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SP3 APTCV60 250 w 单相桥梁整流器 SP3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 完整的桥梁逆变器 沟渠场停止 600 v 50 a 1.9V @ 15V,50a 250 µA 是的 3.15 NF @ 25 V
FD200R65KF2-K Infineon Technologies FD200R65KF2-K 2.0000
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 125°C(TJ) 底盘安装 模块 380000 w 标准 - 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单菜器 - 3600 v 200 a 4.9V @ 15V,200a 200 µA 28 NF @ 25 V
BYM300A120DN2HOSA1 Infineon Technologies BYM300A120DN2HOSA1 192.9200
RFQ
ECAD 2842 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 不适合新设计 150°C(TJ) 底盘安装 模块 BYM300 1000 w 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 - 1200 v 450 a -
DF400R07PE4R_B6 Infineon Technologies DF400R07PE4R_B6 -
RFQ
ECAD 6183 0.00000000 Infineon技术 Econopack™4 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 模块 DF400R07 1100 w 标准 模块 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 单菜器 npt 650 v 450 a 1.95V @ 15V,400A 20 na 是的 18.5 nf @ 25 V
CPV364M4F Vishay General Semiconductor - Diodes Division CPV364M4F -
RFQ
ECAD 6788 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 (19-sip (13个领先),IMS-2 CPV364 63 W 标准 IMS-2 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 84 三相逆变器 - 600 v 27 a 1.6V @ 15V,27a 250 µA 2.2 NF @ 30 V
IXGN50N60B IXYS IXGN50N60B -
RFQ
ECAD 2488 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 ixgn50 300 w 标准 SOT-227B 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 单身的 - 600 v 75 a 2.3V @ 15V,50a 200 µA 4.1 NF @ 25 V
FZ1000R33HL3BPSA1 Infineon Technologies FZ1000R33HL3BPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 8451 0.00000000 Infineon技术 IHM-B 托盘 不适合新设计 -40°C〜150°C 底盘安装 模块 FZ1000 1600 w 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2 单个开关 沟渠场停止 3300 v 1000 a 2.85V @ 15V,1000a 5 ma 190 NF @ 25 V
APT60GT60JRDQ3 Microchip Technology APT60GT60JRDQ3 -
RFQ
ECAD 8246 0.00000000 微芯片技术 Thunderboltigbt® 管子 过时的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 APT60GT60 379 w 标准 isotop® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单身的 npt 600 v 105 a 2.5V @ 15V,60a 330 µA 3.1 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库