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（BJT）（35082）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	获得	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
2SAR533PHZGT100	0.6800	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA		500兆	SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000		50 V	3 a	1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 50mA，1a	180 @ 50mA，3v	300MHz
MS1006	-	RFQ	8980	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	200°C	螺柱坐骑	M135		127W	M135	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	1	14dB	55V	3.25a		NPN		19 @ 1.4a，6v	30MHz			-
JANTXV2N5415U4	-	RFQ	4221	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/485	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		1 w	U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		200 v	50 µA	50µA	PNP	2V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
2SB865-AE	0.2200	RFQ	26	Onmi	*	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1
2N3440	2.1800	RFQ	32	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	-	通过洞	到205AD，TO-39-3			到39	下载	rohs3符合条件			2368-2N3440	Ear99	8541.29.0095	1		250 v	1 a	-	NPN	-	-	-
2SC4632LS-RA11	-	RFQ	6056	Sanyo	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
NTE55MCP	10.9700	RFQ	8503	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		2W	TO-220	-	rohs3符合条件			2368-NTE55MCP	Ear99	8541.29.0095	1	-	150V	8a		PNP		40 @ 2a，2v	30MHz			-
MS2502W	-	RFQ	5090	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的							-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1
ZXTP25020BFHTA	0.5600	RFQ	5801	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	ZXTP25020	1.25 w	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000		20 v	4 a	50NA（iCBO）	PNP	210mv @ 500mA，5a	100 @ 10mA，2V	250MHz
提示142	3.5300	RFQ	664	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		125 w	TO-247	下载	Rohs不合规			2368-TIP142	Ear99	8541.29.0095	1		100 v	10 a	-	NPN	-	1000 @ 5A，4V	-
2SC4942-T1-AZ	1.2500	RFQ	6	肾脏	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA		2 w	MP-2	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SC4942-T1-AZ	Ear99	8541.29.0095	1		600 v	1 a	10µA（ICBO）	NPN	1V @ 80mA，400mA	30 @ 100mA，5v	30MHz
BD650-S	-	RFQ	6836	Bourns Inc.	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BD650	2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		BD650	Ear99	8541.29.0095	50		100 v	8 a	500µA	pnp-达灵顿	2.5V @ 50mA，5a	750 @ 3a，3v	-
2SD2195T100	0.3969	RFQ	7876	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SD2195	2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000		100 v	2 a	10µA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 1mA，1a	1000 @ 1A，2V	80MHz
CEN1179	-	RFQ	3987	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-				-		-				1514-CEN1179	过时的		500	-	-	-		-		-	-			-
PMN70XPE，115	0.0600	RFQ	47	NXP半导体	*	大部分	积极的							下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMN70XPE，115-954			1
JAN2N6286	57.0836	RFQ	1578年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/505	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		175 w	TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	2266-JAN2N6286	Ear99	8541.29.0095	1		80 V	1 MA	1ma	pnp-达灵顿	3V @ 200mA，20a	1500 @ 1A，3V	-
MPSA10	0.0200	RFQ	7589	Fairchild半导体	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		625兆	TO-92-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.21.0095	1,660		40 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	-	40 @ 5µA，10V	125MHz
2N4918	-	RFQ	9117	Onmi	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	2N4918	30 W	TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2N4918OS	Ear99	8541.29.0095	500		40 V	1 a	500µA	PNP	600mv @ 100mA，1a	30 @ 500mA，1V	3MHz
BC546_J18Z	-	RFQ	8653	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC546	500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000		65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
FJNS3202RTA	-	RFQ	5508	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3	FJNS32	300兆	TO-92S	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000		50 V	100 ma	100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
JAN2N2907AUA/TR	19.0190	RFQ	7620	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N2907	500兆	UA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN2N2N2N2907AUA/TR	Ear99	8541.21.0095	1		60 V	600 MA	50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
DDTC114TUA-7	-	RFQ	2700	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-70，SOT-323	DDTC114	200兆	SOT-323	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		50 V	100 ma	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 100µA，1mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	10 kohms
DJT4031N-13	0.4800	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	DJT4031	1.2 w	SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500		40 V	3 a	100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 300mA，3a	200 @ 1A，1V	105MHz
KSC1845PTA	1.0000	RFQ	9449	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000		120 v	50 mA	50NA（iCBO）	NPN	300mv @ 1mA，10mA	200 @ 1mA，6v	110MHz
UMX18NTN	0.4300	RFQ	3793	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	UMX18	150MW	UMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		12V	500mA	100NA（ICBO）	2 NPN （双）	250mv @ 10mA，200mA	270 @ 10mA，2V	320MHz
2N6055 PBFRE	6.4700	RFQ	41	中央半导体公司	-	管子	上次购买	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		100 W	TO-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		60 V	8 a	500µA	NPN	3V @ 80mA，8a	750 @ 4A，3V	4MHz
PDTA143XK，115	-	RFQ	1945年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTA143	250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		50 V	100 ma	1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	50 @ 10mA，5V		4.7科姆斯	10 kohms
PDTC123YM，315	0.0396	RFQ	3570	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-101，SOT-883	PDTC123	250兆	SOT-883	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		50 V	100 ma	1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	35 @ 5mA，5v		2.2 kohms	10 kohms
MMBT5087LT3G	0.2200	RFQ	26	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT5087	300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		50 V	50 mA	50NA（iCBO）	PNP	300mv @ 1mA，10mA	250 @ 100µA，5V	40MHz
JANKCDF2N2907A	-	RFQ	7878	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3		500兆	TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANKCDF2N2907A			100		60 V	600 MA	50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（BJT）（35082）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²