SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 获得 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
NSM6056MT1G onsemi NSM6056MT1G 0.4600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-74,SOT-457 NSM6056 380兆 SC-74 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 40 V 600 MA - NPN + Zener 二极管(隔离) 750mv @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,1V 250MHz
JANTXV2N5680 Microchip Technology JANTXV2N5680 -
RFQ
ECAD 6133 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/582 大部分 在sic中停产 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 到205AD,TO-39-3 1 w TO-39((TO-205AD) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 120 v 1 a 10µA PNP 1V @ 50mA,500mA 40 @ 250mA,2V -
NJVMJD44E3T4G onsemi NJVMJD44E3T4G 0.9800
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ECAD 6888 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 NJVMJD44 1.75 w DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 80 V 10 a 10µA npn-达灵顿 2V @ 20mA,10a 1000 @ 5A,5V -
NSCT3904LT1G onsemi NSCT3904LT1G -
RFQ
ECAD 8368 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 NSCT39 225兆 SOT-23-3(TO-236) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 40 V 200 ma - NPN 300mv @ 5mA,50mA 100 @ 10mA,1V 300MHz
PDTC114ET-QVL Nexperia USA Inc. PDTC114ET-QVL 0.0247
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PDTC114 250兆 TO-236AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 30 @ 5mA,5V 230 MHz 10 kohms 10 kohms
BC857BTT1 onsemi BC857BTT1 -
RFQ
ECAD 9102 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-75,SOT-416 BC857 200兆 SC-75,SOT-416 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 ma 15NA(icbo) PNP 650mv @ 5mA,100mA 220 @ 2mA,5V 100MHz
AA1A4M-T(ND)-A Renesas Electronics America Inc AA1A4M-T(nd)-a 0.4400
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 1
BDX33C Fairchild Semiconductor BDX33C 0.3900
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ECAD 14 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 70 W TO-220AB 下载 供应商不确定 到达受影响 2156-BDX33C-600039 Ear99 0000.00.0000 842 100 v 10 a 500µA npn-达灵顿 2.5V @ 6mA,3a 750 @ 3a,3v -
2N5322E3 Microchip Technology 2N5322E3 20.1300
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ECAD 5537 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 - 通过洞 TO-205AA,TO-5-3金属可以 10 W TO-5AA - 到达不受影响 150-2N5322E3 Ear99 8541.29.0095 1 75 v 2 a - PNP - - -
KSA473Y onsemi KSA473Y -
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ECAD 8729 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 KSA473 10 W TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 200 30 V 3 a 1µA(ICBO) PNP 800mv @ 200mA,2a 120 @ 500mA,2V 100MHz
RN1906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1906FE,LF(ct 0.2400
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ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN1906 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏(双重) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
PMSS3906,115 Nexperia USA Inc. PMSS3906,115 0.2200
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 PMSS3906 200兆 SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 40 V 100 ma 50NA(iCBO) PNP 400mv @ 5mA,50mA 100 @ 10mA,1V 150MHz
DMC205C00R Panasonic Electronic Components DMC205C00R -
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ECAD 2459 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6 DMC205C0 300MW mini6-g4-b - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 100V 20mA 1µA 2 NPN (双) 200mv @ 1mA,10mA 400 @ 2mA,10v 140MHz
2N3726 Microchip Technology 2N3726 17.6550
RFQ
ECAD 7413 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N372 - 到达不受影响 150-2N3726 1
JANTXV2N6341 Microchip Technology JANTXV2N6341 132.3882
RFQ
ECAD 8662 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/509 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 TO-204AA,TO-3 200 w TO-3 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 150 v 50 µA 50µA NPN 1.8V @ 2.5a,25a 30 @ 10a,2v -
2SA2154CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154CT-Y(TPL3) -
RFQ
ECAD 5156 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-101,SOT-883 2SA2154 100兆 CST3 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) PNP 300mv @ 10mA,100mA 120 @ 2mA,6v 80MHz
HFA3096B Intersil HFA3096B 4.3700
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ECAD 1 0.00000000 Intersil - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) 150MW 16-Soic 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.21.0075 480 - 12V,15V 65mA 3 NPN + 2 PNP 40 @ 10mA,2v / 20 @ 10mA,2V 8GHz,5.5GHz 3.5db @ 1GHz
M8050-D-BP Micro Commercial Co M8050-D-BP -
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ECAD 7529 0.00000000 微商业公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) M8050 625兆 到92 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 353-M8050-D-BP Ear99 8541.21.0075 1,000 25 v 800 MA 100NA NPN 500mv @ 80mA,800mA 160 @ 100mA,1V 150MHz
2N5088_D81Z onsemi 2N5088_D81Z -
RFQ
ECAD 9779 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) 2N5088 625兆 TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 30 V 100 ma 50NA(iCBO) NPN 500mv @ 1mA,10mA 300 @ 100µA,5V 50MHz
JANSD2N5153U3 Microchip Technology JANSD2N5153U3 229.9812
RFQ
ECAD 9426 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/545 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 表面安装 3-SMD,没有铅 1.16 w U3 - 到达不受影响 150-JANSD2N5153U3 1 80 V 2 a 50µA PNP 1.5V @ 500mA,5a 70 @ 2.5A,5V -
BCR135WE6327BTSA1 Infineon Technologies BCR135WE63​​ 27BTSA1 -
RFQ
ECAD 8418 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-70,SOT-323 BCR135 250兆 PG-SOT323 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) npn-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 70 @ 5mA,5V 150 MHz 10 kohms 47科姆斯
JANKCBF2N3440 Microchip Technology JANKCBF2N3440 -
RFQ
ECAD 4326 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/368 大部分 积极的 -55°C 〜200°C 通过洞 到205AD,TO-39-3 800兆 TO-39((TO-205AD) - 到达不受影响 150-JANKCBF2N3440 100 250 v 1 a 2µA NPN 500mv @ 4mA,50mA 40 @ 20mA,10v -
DDTB143TC-7-F Diodes Incorporated DDTB143TC-7-F -
RFQ
ECAD 5333 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DDTB143 200兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 500 MA 500NA(ICBO) pnp-预先偏见 300mv @ 2.5mA,50mA 100 @ 5mA,5V 200 MHz 4.7科姆斯
JANSP2N5152L Microchip Technology JASP2N5152L 98.9702
RFQ
ECAD 3886 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/544 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-205AA,TO-5-3金属可以 1 w TO-5AA - 到达不受影响 150-JANSP2N5152L 1 80 V 2 a 50µA NPN 1.5V @ 500mA,5a 30 @ 2.5A,5V -
BC338-25 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC338-25 A1 -
RFQ
ECAD 2708 0.00000000 台湾半导体公司 - (TB) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 625兆 到92 下载 到达不受影响 1801-BC338-25A1TB 过时的 1 25 v 800 MA 100NA(ICBO) NPN 700mv @ 50mA,500mA 160 @ 100mA,5V 100MHz
MUN5233T1 onsemi MUN5233T1 0.0400
RFQ
ECAD 146 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 MUN5233 310 MW SC-70-3(SOT323) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 250mv @ 1mA,10mA 80 @ 5mA,10v 4.7科姆斯 47科姆斯
DTA143ZUA Yangjie Technology DTA143ZUA 0.0240
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Yangjie技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 DTA143 200兆 SOT-323 - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-DTA143ZUATR Ear99 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp- +二极管 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250 MHz 4.7科姆斯
NSC1163 Microchip Technology NSC1163 -
RFQ
ECAD 2147 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-NSC1163 1
2N6076 onsemi 2N6076 -
RFQ
ECAD 7676 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) 2N6076 625兆 TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 25 v 500 MA 100NA PNP 250mv @ 1mA,10mA 100 @ 10mA,1V -
2N3584 Solid State Inc. 2N3584 4.9500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 固态公司 - 盒子 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-213AA,TO-66-2 35 w 到66 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 2383-2N3584 Ear99 8541.10.0080 10 250 v 2 a 5mA NPN 750mv @ 125mA,1a 25 @ 1A,1V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库