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（BJT）（35082）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	获得	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
NSM6056MT1G	0.4600	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	NSM6056	380兆	SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		40 V	600 MA	-	NPN + Zener 二极管（隔离）	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
JANTXV2N5680	-	RFQ	6133	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/582	大部分	在sic中停产	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3		1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		120 v	1 a	10µA	PNP	1V @ 50mA，500mA	40 @ 250mA，2V	-
NJVMJD44E3T4G	0.9800	RFQ	6888	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NJVMJD44	1.75 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		80 V	10 a	10µA	npn-达灵顿	2V @ 20mA，10a	1000 @ 5A，5V	-
NSCT3904LT1G	-	RFQ	8368	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NSCT39	225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		40 V	200 ma	-	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
PDTC114ET-QVL	0.0247	RFQ	40	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTC114	250兆	TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		50 V	100 ma	1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	230 MHz	10 kohms	10 kohms
BC857BTT1	-	RFQ	9102	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	BC857	200兆	SC-75，SOT-416	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		45 v	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
AA1A4M-T（nd）-a	0.4400	RFQ	17	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
BDX33C	0.3900	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		70 W	TO-220AB	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-BDX33C-600039	Ear99	0000.00.0000	842		100 v	10 a	500µA	npn-达灵顿	2.5V @ 6mA，3a	750 @ 3a，3v	-
2N5322E3	20.1300	RFQ	5537	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以		10 W	TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N5322E3	Ear99	8541.29.0095	1		75 v	2 a	-	PNP	-	-	-
KSA473Y	-	RFQ	8729	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSA473	10 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	200		30 V	3 a	1µA（ICBO）	PNP	800mv @ 200mA，2a	120 @ 500mA，2V	100MHz
RN1906FE，LF（ct	0.2400	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1906	100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	4,000		50V	100mA	500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	4.7kohms	47kohms
PMSS3906,115	0.2200	RFQ	15	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	PMSS3906	200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		40 V	100 ma	50NA（iCBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	150MHz
DMC205C00R	-	RFQ	2459	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	DMC205C0	300MW	mini6-g4-b	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000		100V	20mA	1µA	2 NPN （双）	200mv @ 1mA，10mA	400 @ 2mA，10v	140MHz
2N3726	17.6550	RFQ	7413	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N372			-			到达不受影响	150-2N3726			1
JANTXV2N6341	132.3882	RFQ	8662	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/509	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		200 w	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		150 v	50 µA	50µA	NPN	1.8V @ 2.5a，25a	30 @ 10a，2v	-
2SA2154CT-Y（TPL3）	-	RFQ	5156	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	2SA2154	100兆	CST3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	10,000		50 V	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
HFA3096B	4.3700	RFQ	1	Intersil	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）		150MW	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	480	-	12V，15V	65mA		3 NPN + 2 PNP		40 @ 10mA，2v / 20 @ 10mA，2V	8GHz，5.5GHz			3.5db @ 1GHz
M8050-D-BP	-	RFQ	7529	微商业公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	M8050	625兆	到92	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		353-M8050-D-BP	Ear99	8541.21.0075	1,000		25 v	800 MA	100NA	NPN	500mv @ 80mA，800mA	160 @ 100mA，1V	150MHz
2N5088_D81Z	-	RFQ	9779	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N5088	625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		30 V	100 ma	50NA（iCBO）	NPN	500mv @ 1mA，10mA	300 @ 100µA，5V	50MHz
JANSD2N5153U3	229.9812	RFQ	9426	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		1.16 w	U3	-			到达不受影响	150-JANSD2N5153U3			1		80 V	2 a	50µA	PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
BCR135WE63 27BTSA1	-	RFQ	8418	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR135	250兆	PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		50 V	100 ma	100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	150 MHz	10 kohms	47科姆斯
JANKCBF2N3440	-	RFQ	4326	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的	-55°C 〜200°C	通过洞	到205AD，TO-39-3		800兆	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCBF2N3440			100		250 v	1 a	2µA	NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
DDTB143TC-7-F	-	RFQ	5333	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DDTB143	200兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		50 V	500 MA	500NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	100 @ 5mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯
JASP2N5152L	98.9702	RFQ	3886	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以		1 w	TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSP2N5152L			1		80 V	2 a	50µA	NPN	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
BC338-25 A1	-	RFQ	2708	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		625兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC338-25A1TB	过时的		1		25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，5V	100MHz
MUN5233T1	0.0400	RFQ	146	Onmi	-	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	MUN5233	310 MW	SC-70-3（SOT323）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v		4.7科姆斯	47科姆斯
DTA143ZUA	0.0240	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTA143	200兆	SOT-323	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-DTA143ZUATR	Ear99		3,000		50 V	100 ma	500NA	pnp- +二极管	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯
NSC1163	-	RFQ	2147	微芯片技术	-	大部分	积极的							-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-NSC1163			1
2N6076	-	RFQ	7676	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N6076	625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		25 v	500 MA	100NA	PNP	250mv @ 1mA，10mA	100 @ 10mA，1V	-
2N3584	4.9500	RFQ	10	固态公司	-	盒子	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2		35 w	到66	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2383-2N3584	Ear99	8541.10.0080	10		250 v	2 a	5mA	NPN	750mv @ 125mA，1a	25 @ 1A，1V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（BJT）（35082）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²