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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 获得 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) | 噪声图( db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NSM6056MT1G | 0.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | NSM6056 | 380兆 | SC-74 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 V | 600 MA | - | NPN + Zener 二极管(隔离) | 750mv @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,1V | 250MHz | ||||||
JANTXV2N5680 | - | ![]() | 6133 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/582 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 1 w | TO-39((TO-205AD) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 1 a | 10µA | PNP | 1V @ 50mA,500mA | 40 @ 250mA,2V | - | ||||||||
![]() | NJVMJD44E3T4G | 0.9800 | ![]() | 6888 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | NJVMJD44 | 1.75 w | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 80 V | 10 a | 10µA | npn-达灵顿 | 2V @ 20mA,10a | 1000 @ 5A,5V | - | ||||||
![]() | NSCT3904LT1G | - | ![]() | 8368 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | NSCT39 | 225兆 | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 V | 200 ma | - | NPN | 300mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 300MHz | |||||||
PDTC114ET-QVL | 0.0247 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PDTC114 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 V | 100 ma | 1µA | npn-预先偏见 | 150MV @ 500µA,10mA | 30 @ 5mA,5V | 230 MHz | 10 kohms | 10 kohms | ||||||
![]() | BC857BTT1 | - | ![]() | 9102 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | BC857 | 200兆 | SC-75,SOT-416 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 ma | 15NA(icbo) | PNP | 650mv @ 5mA,100mA | 220 @ 2mA,5V | 100MHz | ||||||
![]() | AA1A4M-T(nd)-a | 0.4400 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | BDX33C | 0.3900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 70 W | TO-220AB | 下载 | 供应商不确定 | 到达受影响 | 2156-BDX33C-600039 | Ear99 | 0000.00.0000 | 842 | 100 v | 10 a | 500µA | npn-达灵顿 | 2.5V @ 6mA,3a | 750 @ 3a,3v | - | |||||||
![]() | 2N5322E3 | 20.1300 | ![]() | 5537 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-205AA,TO-5-3金属可以 | 10 W | TO-5AA | - | 到达不受影响 | 150-2N5322E3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 75 v | 2 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||
![]() | KSA473Y | - | ![]() | 8729 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | KSA473 | 10 W | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 200 | 30 V | 3 a | 1µA(ICBO) | PNP | 800mv @ 200mA,2a | 120 @ 500mA,2V | 100MHz | |||||||
![]() | RN1906FE,LF(ct | 0.2400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | RN1906 | 100MW | ES6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250MHz | 4.7kohms | 47kohms | ||||||
![]() | PMSS3906,115 | 0.2200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | PMSS3906 | 200兆 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 V | 100 ma | 50NA(iCBO) | PNP | 400mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 150MHz | ||||||
![]() | DMC205C00R | - | ![]() | 2459 | 0.00000000 | 松下电子组件 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | DMC205C0 | 300MW | mini6-g4-b | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100V | 20mA | 1µA | 2 NPN (双) | 200mv @ 1mA,10mA | 400 @ 2mA,10v | 140MHz | |||||||
![]() | 2N3726 | 17.6550 | ![]() | 7413 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | 2N372 | - | 到达不受影响 | 150-2N3726 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N6341 | 132.3882 | ![]() | 8662 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/509 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 200 w | TO-3 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 50 µA | 50µA | NPN | 1.8V @ 2.5a,25a | 30 @ 10a,2v | - | ||||||||
![]() | 2SA2154CT-Y(TPL3) | - | ![]() | 5156 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | 2SA2154 | 100兆 | CST3 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 300mv @ 10mA,100mA | 120 @ 2mA,6v | 80MHz | ||||||||
![]() | HFA3096B | 4.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | 150MW | 16-Soic | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 480 | - | 12V,15V | 65mA | 3 NPN + 2 PNP | 40 @ 10mA,2v / 20 @ 10mA,2V | 8GHz,5.5GHz | 3.5db @ 1GHz | |||||||
![]() | M8050-D-BP | - | ![]() | 7529 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | M8050 | 625兆 | 到92 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 353-M8050-D-BP | Ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 25 v | 800 MA | 100NA | NPN | 500mv @ 80mA,800mA | 160 @ 100mA,1V | 150MHz | ||||||
![]() | 2N5088_D81Z | - | ![]() | 9779 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 2N5088 | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 30 V | 100 ma | 50NA(iCBO) | NPN | 500mv @ 1mA,10mA | 300 @ 100µA,5V | 50MHz | |||||||
![]() | JANSD2N5153U3 | 229.9812 | ![]() | 9426 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/545 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 1.16 w | U3 | - | 到达不受影响 | 150-JANSD2N5153U3 | 1 | 80 V | 2 a | 50µA | PNP | 1.5V @ 500mA,5a | 70 @ 2.5A,5V | - | ||||||||||
![]() | BCR135WE63 27BTSA1 | - | ![]() | 8418 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BCR135 | 250兆 | PG-SOT323 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 70 @ 5mA,5V | 150 MHz | 10 kohms | 47科姆斯 | ||||||
JANKCBF2N3440 | - | ![]() | 4326 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/368 | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜200°C | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 800兆 | TO-39((TO-205AD) | - | 到达不受影响 | 150-JANKCBF2N3440 | 100 | 250 v | 1 a | 2µA | NPN | 500mv @ 4mA,50mA | 40 @ 20mA,10v | - | |||||||||||
DDTB143TC-7-F | - | ![]() | 5333 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DDTB143 | 200兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 500 MA | 500NA(ICBO) | pnp-预先偏见 | 300mv @ 2.5mA,50mA | 100 @ 5mA,5V | 200 MHz | 4.7科姆斯 | |||||||
![]() | JASP2N5152L | 98.9702 | ![]() | 3886 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/544 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-205AA,TO-5-3金属可以 | 1 w | TO-5AA | - | 到达不受影响 | 150-JANSP2N5152L | 1 | 80 V | 2 a | 50µA | NPN | 1.5V @ 500mA,5a | 30 @ 2.5A,5V | - | ||||||||||
![]() | BC338-25 A1 | - | ![]() | 2708 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | 625兆 | 到92 | 下载 | 到达不受影响 | 1801-BC338-25A1TB | 过时的 | 1 | 25 v | 800 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 700mv @ 50mA,500mA | 160 @ 100mA,5V | 100MHz | |||||||||
![]() | MUN5233T1 | 0.0400 | ![]() | 146 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | MUN5233 | 310 MW | SC-70-3(SOT323) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 250mv @ 1mA,10mA | 80 @ 5mA,10v | 4.7科姆斯 | 47科姆斯 | ||||||
DTA143ZUA | 0.0240 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTA143 | 200兆 | SOT-323 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-DTA143ZUATR | Ear99 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp- +二极管 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | ||||||||
![]() | NSC1163 | - | ![]() | 2147 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-NSC1163 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N6076 | - | ![]() | 7676 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 2N6076 | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 25 v | 500 MA | 100NA | PNP | 250mv @ 1mA,10mA | 100 @ 10mA,1V | - | |||||||
![]() | 2N3584 | 4.9500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-213AA,TO-66-2 | 35 w | 到66 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-2N3584 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 250 v | 2 a | 5mA | NPN | 750mv @ 125mA,1a | 25 @ 1A,1V | - |
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