双瑜伽 (BJT)(35082)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
2SA1930(Q,M)	-	询价	3597	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1930	2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	500	180伏	2A	5μA（ICBO）	国民党	1V@100mA，1A	100@100mA，5V	200兆赫
MMBT200-FS	0.0300	询价	155	仙童	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		350毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1	45V	500毫安	50纳安	国民党	400毫伏@20毫安，200毫安	100@150mA，5V	250兆赫
JANKCDM2N5154	-	询价	6656	微芯片	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-205AD、TO-39-3金属罐		1W	TO-39 (TO-205AD)	-			REACH 不出行	150-JANKCDM2N5154			100	80V	2A	50微安	NPN	1.5V@500mA，5A	70@2.5A，5V	-
HR1F3P(0)-T1-AZ	0.4600	询价	25	瑞萨	-	大部分	过时的		表面贴装	TO-243AA	HR1F3P	2W	SC-62	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HR1F3P(0)-T1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1	60V	1A	100纳安	PNP - 预偏置	350mV@10mA、500mA	100@500mA，2V		2欧姆	10欧姆
SSTA06HZGT116	0.2600	询价	22	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSTA06	200毫W	海温3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000	80V	500毫安	100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	100@10mA，1V	100兆赫兹
DTA123EU3HZGT106	0.3800	询价	2	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	DTA123	200毫W	UMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000	50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	20@20mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	2.2欧姆
BC860CWE6327HTSA1	-	询价	1368	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	BC860	250毫W	PG-SOT323	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000	45V	100毫安	15nA（ICBO）	国民党	650mV@5mA、100mA	420@2mA，5V	250兆赫
BFT28C	-	询价	3340	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-205AD、TO-39-3金属罐		5W	TO-39	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	第324章	250伏	1A	5μA（ICBO）	国民党	5V@1mA、10mA	20@10mA，10V
BC550	0.0400	询价	17号	仙童	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)		500毫W	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.21.0075	2,000	45V	100毫安	15nA（ICBO）	NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	110@2mA，5V	300兆赫
2C3762	8.4600	询价	3657	微芯片	*	大部分	的积极							-			REACH 不出行	150-2C3762			1
FFB3906	-	询价	6107	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	FFB39	300毫W	SC-88 (SC-70-6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000	40V	200毫安	-	2 PNP（双）	400mV@5mA、50mA	100@10mA，1V	200兆赫
NSBC124EPDP6T5G	0.1042	询价	9162	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-963	NSBC124	250毫W	SOT-963	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	8,000	50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	250mV@300μA，10mA	60@5mA，10V	-	22k欧姆	22k欧姆
RN1705,LF	0.3000	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN1705	200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000	50V	100毫安	500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
DTC143ZE3TL	0.3700	询价	3	罗姆半导体	DTA143Z	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	故障码143	150毫W	紧急救治3	-	符合ROHS3标准	3（168小时）			EAR99	8541.21.0075	3,000	50V	100毫安	500nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	33@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	10欧姆
2SC4641T-AA-SY	0.0200	询价	24	三洋	*	大部分	的积极							-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	1
2SD1949T106Q	0.3900	询价	5	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SD1949	200毫W	UMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000	50V	500毫安	500nA（ICBO）	NPN	400毫伏@15毫安，150毫安	120@10mA，3V	250兆赫
BC182B	-	询价	3547	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	BC182	350毫W	TO-92 (TO-226)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	5,000	50V	100毫安	15nA（ICBO）	NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	180@2mA，5V	200兆赫
JANSM2N2906A	99.9500	询价	3321	微芯片	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	的积极	-65℃～200℃	通孔	TO-206AA、TO-18-3金属罐		500毫W	TO-18 (TO-206AA)	-			REACH 不出行	150-JANSM2N2906A			1	60V	600毫安	50纳安	国民党	1.6V@50mA、500mA	40@150mA，10V	-
RN1306,LXHF	0.3900	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1306	100毫W	SC-70	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000	50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	47欧姆
BC327A_J35Z	-	询价	2701	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BC327	625毫W	TO-92-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	45V	800毫安	100纳安	国民党	700毫伏@50毫安，500毫安	100@100mA，1V	100兆赫兹
2N2994	27.6600	询价	7538	微芯片	-	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-205AA、TO-5-3金属罐		5W	TO-5AA	-			REACH 不出行	150-2N2994	EAR99	8541.29.0095	1	100伏	1A	-	NPN	3V@50μA，200μA	-	-
TSD2150ACY RMG	-	询价	6148	台积电	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA		600毫W	SOT-89	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	1801-TSD2150ACYRMGTR	EAR99	8541.21.0095	1,000	50V	3A	100nA（ICBO）	NPN	500mV@200mA，2A	200@500mA，2V	90兆赫
JANSF2N2221AUB/TR	149.4750	询价	9875	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极							-				150-JANSF2N2221AUB/TR			50
FJPF13007TU	0.2900	询价	8670	仙童	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包		40W	TO-220F-3	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	50	400V	8A	-	NPN	3V@2A、8A	8 @ 2A，5V	4兆赫兹
KSC5504DTTU	0.2200	询价	13	仙童	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		75W	TO-220-3	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	50	600伏	4A	100微安	NPN	1.5V@400mA，2A	4 @ 2A，1V	11兆赫兹
MMBT3906LT1	0.0200	询价	9413	onsemi	-	大部分	过时的	-	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBT3906	225毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000	40V	200毫安	-	国民党	400mV@5mA、50mA	100@10mA，1V	250兆赫
SG2004J	-	询价	3013	微芯片	-	托盘	的积极	-55℃～125℃（TA）	通孔	16-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	SG2004	-	16-CERDIP	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	150-SG2004J	EAR99	8541.29.0095	25	50V	500毫安	-	7 NPN 达林顿	1.6V@500μA，350mA	1000@350mA，2V	-
RN2904,LF(CT	0.2800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2904	200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000	50V	100毫安	500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
DDTA123JCA-7	-	询价	1042	分散公司	-	卷带式 (TR)	SIC停产		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	DDTA123	200毫W	SOT-23-3	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000	50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	47欧姆
2N1490	58.8900	询价	9306	微芯片	-	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3		75W	TO-204AD (TO-3)	-			REACH 不出行	150-2N1490	EAR99	8541.29.0095	1	55V	6A	25μA（ICBO）	NPN	3V@300mA，1.5A	25@1.5A，4V	-

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2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

双瑜伽 (BJT)(35082)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²